Method Article
We describe the methodology of mechanical exfoliation and deposition of flakes of novel materials with micron-sized dimensions onto substrate, fabrication of experimental device structures for transport experimentation, and the magnetotransport measurement in a dry helium close-cycle cryostat at temperatures down to 0.300 K and magnetic fields up to 12 T.
Novel electronic materials are often produced for the first time by synthesis processes that yield bulk crystals (in contrast to single crystal thin film synthesis) for the purpose of exploratory materials research. Certain materials pose a challenge wherein the traditional bulk Hall bar device fabrication method is insufficient to produce a measureable device for sample transport measurement, principally because the single crystal size is too small to attach wire leads to the sample in a Hall bar configuration. This can be, for example, because the first batch of a new material synthesized yields very small single crystals or because flakes of samples of one to very few monolayers are desired. In order to enable rapid characterization of materials that may be carried out in parallel with improvements to their growth methodology, a method of device fabrication for very small samples has been devised to permit the characterization of novel materials as soon as a preliminary batch has been produced. A slight variation of this methodology is applicable to producing devices using exfoliated samples of two-dimensional materials such as graphene, hexagonal boron nitride (hBN), and transition metal dichalcogenides (TMDs), as well as multilayer heterostructures of such materials. Here we present detailed protocols for the experimental device fabrication of fragments and flakes of novel materials with micron-sized dimensions onto substrate and subsequent measurement in a commercial superconducting magnet, dry helium close-cycle cryostat magnetotransport system at temperatures down to 0.300 K and magnetic fields up to 12 T.
A busca de plataformas de materiais para tecnologia eletrônica avançada exige métodos para a síntese de materiais de alto rendimento e posterior caracterização. Novos materiais de interesse nesta busca pode ser produzida em grandes quantidades por síntese directa de reacção 1,2, 3,4 electroquímica de crescimento, e outros métodos de 5 de um modo mais rápido do que o único cristal finas técnicas de deposição de filmes mais envolvidos tais como epitaxia de feixe molecular ou deposição de vapor químico. O método convencional para medir as propriedades de transporte de amostras de cristal a granel é para clivar um fragmento em forma de prisma rectangular, com dimensões de aproximadamente 1 mm x 1 mm x 6 mm e anexar fio conduz à amostra numa configuração de barra pavilhão 6.
Certos materiais de representar um desafio, em que a barra de salão método de fabricação a granel dispositivo tradicional é insuficiente para produzir um dispositivo para a medição mensurável transporte de amostras. Isto pode ser serfazer com que os cristais produzidos são demasiado pequenos para prender cabos para, mesmo sob um poderoso microscópio óptico, porque a espessura da amostra desejada é da ordem de uma a algumas poucas monocamadas, ou porque um visa medir uma pilha de camadas bidimensionais materiais com espessura near- ou sub-nanométrica. A primeira categoria consiste em, por exemplo, nanofios e algumas preparações de óxido de molibdênio bronzes 7. A segunda categoria consiste de simples a muito poucos-camadas de materiais bidimensionais, como o grafeno 8, DTMs (MoS 2, WTE 2, etc.), e isoladores topológicos (Bi 2 SE 3, Bi x Sb 1-x Te 3 , etc). A terceira categoria consiste em heteroestruturas preparados pelo empilhamento de camadas individuais de materiais bidimensionais pela montagem manual por meio de transferência de camada, mais notavelmente uma pilha de camada tripla de hBN-grafeno-hBN 9.
A pesquisa exploratória de romance emateriais lectronic exige métodos adequados para a produção de dispositivos em amostras de difícil medida. Muitas vezes, o primeiro lote de um novo material sintetizado por reacção directa ou crescimento electroquímica rendimentos muito pequenos cristais individuais com dimensões na ordem de tamanho de micron. Essas amostras foram historicamente provado extremamente difícil para anexar contatos metálicos para, necessitando melhoria dos parâmetros de crescimento amostra para conseguir cristais maiores para facilitar a fabricação de dispositivos de transporte, apresentando um obstáculo na investigação de alto rendimento de novos materiais. A fim de permitir a rápida caracterização de materiais, um método de fabricação do dispositivo para amostras muito pequenas, foi concebida para permitir a caracterização de novos materiais, logo que um lote preliminar foi produzido. Uma ligeira variação desta metodologia é aplicável à produção de dispositivos que utilizam amostras esfoliados de materiais bidimensionais, como o grafeno, hBN, e DTM, bem como heteroestruturas multicamadas de tal materiais. Os dispositivos são respeitados e fio-ligado a um pacote para inserção em um magneto supercondutor comercial, close-ciclo do sistema cryostat magnetotransporte hélio seco. Medidas de transporte são tomadas em temperaturas abaixo de 0,300 K e campos magnéticos de até 12 T.
1. Preparação de Substrato
2. Transferência de Flocos de exemplo ao substrato
3. Electron Beam Litografia de estrutura do dispositivo
4. Execute Magnetotransporte Experiment
A Figura 3 mostra um típico dispositivo de barra Municipal modelado com a finalidade de uma baixa temperatura magnetotransporte experimento. A imagem óptica na figura superior mostra um sucesso-fabricadas bar Grafeno / hBN Salão; a imagem inferior mostra o diagrama esquemático do dispositivo com os estados de borda Landauer-Büttiker que surgem a partir dos Landau níveis (LL), um mecanismo de transporte que pode ser usado para calcular os valores das resistências quantificados municipal, a investigação experimental de que vai ser discutida como uma aplicação representativa da técnica experimental descrito no presente documento. Muitas vezes, a fabricação da estrutura de barras Municipal constitui um enorme desafio no processo global de fabrico. As etapas envolvidas na corrosão da amostra para esta forma pode ser ignorado e os eléctrodos podem ser ligados directamente a amostra de flocos à medida que são após a transferência para a peça do substrato. No entanto, a geometria imperfeita não permitirá carroeful medição das propriedades de transporte, de modo saltando os passos envolvidos na decapagem a amostra em uma estrutura de barra Municipal deve ser restringida às medições iniciais.
Parâmetros experimentais incluem campos magnéticos tão elevadas quanto 12 T, temperaturas tão baixas quanto 0,300 K, e tensões de porta tão elevadas quanto 30 corrente alternada V. pode ser fornecido pelo oscilador de um amplificador lock-in com lock-AC em medições de tensão associados, enquanto a corrente contínua pode ser fornecida por um sourcemeter com medidas associadas tensão em corrente contínua. A corrente alternada versus corrente directa e a magnitude da corrente são parâmetros que devem ser cuidadosamente seleccionados com base nas propriedades, incluindo as características de resistência e de degradação, do material a ser estudados. A resistência de Hall está definida como a diferença de potencial entre as, ou a tensão medida entre, leva 6 e 2 na Figura 3 dividido pela corrente aplicada. Re longitudinalsistência é definida como a diferença de potencial entre as, ou a tensão medida entre, conduz 2 e 3 dividido pela corrente aplicada. Uma barra Grafeno Hall com a superfície superior protegida por um floco hBN encapsular totalmente a Grafeno foi medida a 1,7 K a campos magnéticos que variam de -6 a t 6 t e tensões de porta traseira que variam de -30 V a 30 V. A Figura 4 mostra como a resistência Salão muda dentro deste espaço de parâmetros. O comportamento da resistência Salão medido na barra de grafeno / hBN Hall, especificamente os planaltos observáveis na resistência Hall correspondente a Landau enchimento nível, é um exemplo modelo do efeito Hall quântico, um fenômeno da mecânica quântica observável apenas pela aplicação de tais magnetotransporte técnica avançada, conforme descrito neste documento.
A Figura 5 mostra uma fatia dos dados apresentados na Figura 4 em B = T 6, com a resistência de Hall (R XY) Como uma função da tensão de porta para trás e para a correspondente resistência longitudinal (R XX) como uma função da tensão da porta de trás. A medição mostra claramente a que o grafeno apresenta um efeito Hall quântico com os valores de resistência quantificados Salão de com-valor inteiro número de nível Landau n, constante de Planck h, e carga do elétron e. Os platôs quantificados resistência Salão coincidir com desaparecimento resistência longitudinal.
Figura 1. Padrão de substrato. (A) uma região da configuração projetada para as marcas posicional / alinhamento lithographically-modelado para o substrato da amostra. (B) prestação computador dos modelado ouro marcas posicional / alinhamento. Por favor clique aqui para ver uma versão maior desta figura.
Figura 2. O grafeno floco. Uma imagem de flocos de grafeno monocamada ao lado de um marcador de posição Cr / Au observado através de um microscópio óptico. Por favor clique aqui para ver uma versão maior desta figura.
Figura 3. dispositivo bar Hall. Figura superior, imagem óptica do dispositivo bar Grafeno / hBN Salão com metal conduz contactado aos terminais. Lower figura, esquemática dispositivo com leads de contato numeradas correspondente aos terminais marcados numericamente imagem óptica do dispositivo em. Setas demonstrar fluxo de corrente resultantes estados de borda Landauer-Büttiker.es / ftp_upload / 53506 / "target =" _ blank 53506fig3large.jpg "> Clique aqui para ver uma versão maior desta figura.
Figura 4. 3D enredo de resistência Hall como uma função do campo magnético e backgate global. Trama 3D da resistência Hall of grafeno bar salão no regime Hall quântico em função do campo magnético e porta traseira mundial em 1,7 K demonstrando comportamento transporte quântico. Por favor clique aqui para ver uma versão maior desta figura.
Figura 5. Hall e magnetorresistência longitudinal. Hall (R xy) e longitudinal (R xx) resistência em função do portão de trás global da correçãoed │B│ campo magnético = 6 T demonstrando efeito Hall quântico com valores de resistência Salão quantificados coincidindo com desaparecimento resistência longitudinal. Por favor clique aqui para ver uma versão maior desta figura.
Após a aquisição de amostras a granel elevada qualidade, caracterizados para garantir uma composição e estrutura adequada, as amostras são modelados na geometria representada por esfoliantes flocos de amostra para 1 cm x 1 cm pedaços de substrato. Os substratos compostos de p-fortemente dopado Si cobertos por cerca de 300 nm de SiO2 são preferidos uma vez que aumentam o espaço de parâmetros experimentais, permitindo a aplicação de uma porta traseira. As amostras devem ser suficientemente fina - menos de 10 nm, - para produzir um efeito de campo suficiente para ajustar o potencial químico na totalidade do canal de condução do dispositivo de barra de Hall. Espessura da amostra é controlada de forma adequada por esfoliantes flocos de material a granel utilizando bolacha padrão cortar fita e pressionando repetidamente a tecla de fita com flocos aderido a ela a fita fresco até que os flocos são de espessura suficiente para o objectivo da experiência planeada. Amostras transferidas para substrato peças são muito pequenas para vera olho nu, de modo que um microscópio óptico deve ser utilizada para identificar peças transferidos adequados para o fabrico de uma barra de Hall. Espessura de floco de amostra é medido com precisão através de microscopia de força atómica (AFM), no entanto, investigadores com experiência suficiente pode ser capaz de identificar amostras com a espessura desejada com base na cor do floco.
Um notável desafio para o processo técnico descrito neste manuscrito surge quando flocos de amostra não aderir adequadamente ao substrato pedaços por forças de van der Waals. Neste caso, durante todo o número de passos do processo de fabricação (especialmente durante a imersão em solventes) os flocos de amostra vai ser batido ou lavado da superfície da peça de substrato. Este é tratado pela nova técnica descrita neste manuscrito em que o floco de amostra é fixada à peça de substrato por revestimento da peça em sputtered SiO2. Uma vez feito isso, partes do floco amostra deve ser exposto para permitir a um directadherence de contatos de metal. A máscara usada para a deposição destes contactos pode ser utilizada para atender a este propósito, servindo como uma máscara para a gravação do Si SiO 2, uma vez que tal etch SiO2 exactamente onde os contactos de metal vai ser depositado, permitindo o contacto eléctrico para a amostra floco enquanto ainda mantém o floco presa com estalou SiO2 sobre a maioria de sua área. Realizar este passo permite a medição transporte de material a granel romance que foi sintetizado em cristais de tamanho insuficiente para medições de transporte convencionais de materiais a granel, permitindo o estudo de transporte de muitos materiais novos como parte da busca da pesquisa exploratória ciência dos materiais.
Um avanço técnico profundo oferecido pelas técnicas experimentais descritas neste artigo vêm da capacidade de empilhar vários materiais em camadas em heteroestruturas. Isso tem inúmeras vantagens. Hexagonal nitreto de boro (hBN) pode serusado para sanduíche outros materiais 2D, como o grafeno, para o produto a superfície de defeitos decorrentes da interação com o ar, permitindo, a medição mais precisa do transporte livre de defeitos de estado de portador. Além disso, comportamentos emergentes interessantes podem ser observável em heteroestruturas formadas a partir de pilhas de diferentes materiais 12. Após a esfoliação, transferir a peça do substrato, e a identificação de flocos de amostra adequado, um processo pode ser seguido para a produção de uma pilha de material de camadas múltiplas heterostrutura envolvendo transferência da amostra através do uso cuidadoso de polímeros de polidimetilsiloxano (PDMA) e carbonato de polipropileno (PPC). Este método permite a introdução de tal empilhamento sem glóbulos destes polímeros como contaminantes entre materiais adjacentes, como empilhamento ocorre pressionando as superfícies limpas de materiais em camadas em conjunto. Uma pilha heterostrutura concluída podem ser transferidos para uma nova peça de substrato para fabricação do dispositivo.
Fabri dispositivocação é um processo rigoroso que envolve muitas etapas. Uma vez que uma peça de amostra adequada foi transferido, identificado, e, se desejado, empilhados num heterostrutura composta de vários flocos individuais, os passos de aplicação de máscara de polímero e uma modelação e várias iterações de decapagem e de metal de deposição envolvida no processo de fabrico pode tomar várias dias para produzir uma única amostra de alta qualidade. Devido à natureza de localização e sonda desta metodologia, em que um floco de tamanho desejado, a espessura e qualidade podem ser encontrados em qualquer lugar sobre a peça do substrato e dimensões de barras municipal deve ser determinada depois de a peça ter sido identificado, litografia deve ser feito por feixe de elétrons litografia. Litografia por feixe de electrões é uma técnica de litografia avançada que permite a escrita directa das estruturas para baixo para cerca de 5 nm dimensões através da utilização de um varrimento de um feixe de electrões focado de. Estruturas de dispositivos específicos são preparados para cada amostra. Gravura Isotrópico é feito usando o gene plasmaclassificado num sistema de gravação iónica reactiva (RIE). Para a corrosão de um nitreto de boro hexagonal / Grafeno / nitreto de boro hexagonal pilha, o gás utilizado para este etch plasma é uma mistura de O 2 e 3 CHF. Contactos metal depositado consistem de uma fina camada de Cr, destina-se a servir como uma camada de adesão, e uma segunda camada de 750 nm de Au, escolhido pela sua elevada condutividade eléctrica, depositadas sequencialmente em alto vácuo numa câmara de evaporação por feixe de electrões. Fabricação do dispositivo completa-se após a deposição de metais bem sucedida lift-off seguinte de metal, depois de cujo ponto o dispositivo pode ser ligado a uma embalagem e carregado num criostato magnetotransporte para medição experimental.
Avanço da fabricação e técnicas experimentais descritos neste manuscrito implicará melhorias no processo pelo qual flocos individuais podem ser empilhadas em heteroestruturas. Além disso, esfoliação de flocos individuais e empilhamento de material em camadass em heteroestrutura pelas técnicas descritas neste manuscrito estão limitados a materiais que não são efectuadas por exposição ao ar. Considerações adicionais, tais como a realizar a maior parte do processo, num ambiente inerte, deve ser feita de materiais que são destruídos por oxidação, tais como os metais de transição e dichalcogenides isoladores topológicos Bi-calcogenetos. Sistemas de magnetotransporte continuará a ver a melhoria como ímãs mais fortes e criostatos mais baixos de temperatura são projetados, levando a mais poderosa capacidade de medição experimental.
The authors declare no competing financial interests. Commercial materials, instruments and equipment are identified in this paper to specify the experimental procedure as completely as possible. In no case does such identification imply a recommendation or endorsement by the National Institute of Standards.
This work is supported by the National Institute of Standards and Technology of the United States Department of Commerce.
Name | Company | Catalog Number | Comments |
Cryogenic Limited 12 T CFMS | Cryogen Limited | CFM-12T-H3- IVTI-25 | Magnetotransport system customized with modulated field magnet (step 4) |
7270 DSP Lock-in amplifier | Signal Recovery | 7270 | lock-in amplifier for source/drain and voltage measurements (step 4) |
GS200 DC Voltage/Current Source | Yokogawa | GS200 | Voltage source for gate voltage application (step 4) |
2636B System Sourcemeter | Keithley | 2636B | Sourcemeter for source/drain and voltage measurements |
DWL 2000 Laser Pattern Generator | Heidelberg Instruments | DWL 2000 | Generate chrome mask for lithography of substrate location/alignment feature pattern (step 1.3) |
Suss MicroTec MA6/BA6 Contact Aligner | Suss | MA6 | Used for the lithography of substrate location/alignment feature pattern (step 1.4.12) |
JEOL Direct Write Electron Beam Lithography System | JEOL | JBX 6300-FS | Perform high-resolution lithography of devices |
Discovery 550 Sputtering System | Denton Vacuum | Discovery 550 | Perform SiO2 sputtering (step 2.5) |
Infinity 22 Electron Beam Evaporator | Denton Vacuum | Infinty 22 | Perform Cr/Au deposition (steps 1.5 and 3.7) |
Unaxis 790 Reactive Ion Etcher | Unaxis | Unaxis 790 | Etch sample into Hall bar structure (step 3.4) |
PMMA 495 A4 | MicroChem | PMMA 495 A4 | Polymer coating/electron beam mask for lithography (step 3.5.1) |
PMMA 950 A4 | MicroChem | PMMA 950 A4 | Polymer coating/electron beam mask for sample dicing and lithography (steps 1.7.3, 3.3.1, and 3.5.2) |
S1813 positive photoresist | MicroChem | S1813 G2 | Positive photoresist (step 1.4.8) |
LOR resist | MicroChem | LOR 3A | Lift off resist (step 1.4.3) |
1:3 MIBK:IPA PMMA developer | MicroChem | 1:3 MIBK:IPA | PMMA developer |
MF-321 Developer | MicroChem | MF-321 | Novolac positive photoresist-compatible developer solution (step 1.4.15) |
Diglycidiyl ether-terminated polydimethylsiloxane | Sigma Aldrich | SA 480282 | For layered material stacking (step 2.6.1) |
Polypropylene carbonate | Sigma Aldrich | SA 389021 | For layered material stacking (step 2.6.2) |
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