牺牲纳米颗粒使用删除散粒噪声的影响通过电子束光刻装配式接触孔

均匀尺寸的纳米颗粒可以除去在有机玻璃图案化的接触孔尺寸（PMMA）光致抗蚀剂膜通过电子束（E-束）光刻波动。该方法包括静电漏斗中的接触孔中心并沉积的纳米颗粒，随后光致抗蚀剂回流和等离子体和湿法蚀刻步骤。

纳米图案制造极端紫外线（EUV）或电子束（电子束）的大小光刻出现意外变化。此变化被归因于统计波动在到达从散粒噪声（SN）所产生的一个给定的纳米区域光子/电子的数量。的SN成反比到光子数/电子的平方根。对于一个固定的剂量，对SN是在EUV和电子束光刻技术比传统的（193纳米）光学光刻大。自下而上和自上而下的图案形成的方法组合以最小化散粒噪声的纳米孔图案化的影响。具体地说，在硅晶片上的氨基硅烷的表面活性剂自组装，其随后旋涂有PMMA基电子束光致抗蚀剂的100纳米薄膜。暴露于电子束和随后发展露出下面的表面活性剂膜在孔的底部。将晶片浸入在悬浮液中的带负电荷的，柠檬酸盐封端的，为20nm克老纳米颗粒（GNP）存款每穴一个粒子。在孔露出的带正电荷的表面活性剂膜静电漏斗带负电的纳米粒子的露出孔，其永久地固定的位置登记的中心。接着，通过光致抗蚀剂聚合物的玻璃化转变温度附近加热，光致抗蚀剂膜重排和吞噬纳米颗粒。这个过程将删除受SN孔而是通过强烈的静电结合叶锁定到位沉积的GNP。用氧等离子体处理通过蚀刻光致抗蚀剂的薄层暴露的GNP。湿蚀刻露出的GNP与I ₂的溶液/ KI产生位于由电子束光刻图案化的凹槽的中心一致的孔。实验提出表明，该方法减少了在从35％造成的SN至10％以下的孔的尺寸的变化。该方法扩展了晶体管的接触孔的图案形成限制到低于20纳米。

计算能力的指数增长，由摩尔定律^1，2（1）量化，在光学光刻逐步进步的结果。在这种自上而下图案化技术，可实现的分辨率R，是由公知的罗利定理³给出:

这里，λ和NA是光的波长和数值孔径，分别。注意，NA =η·SINθ，其中η是透镜和晶片之间的介质的折射率; θ= ^TAN-1（D / 1-21）为直径d，透镜和距离，L，透镜和晶片的中心之间。在过去的五十年，光刻分辨率已通过使用（一）光源的改进S，其中包括准分子激光，以逐渐减小UV波长; （二）采用相移掩膜⁴聪明的光学设计; （三）高NA。在空气中（η= 1）曝光，NA为总是小于单位，但通过引入液体 与η> 1 时 ，诸如水^5，透镜和晶片之间，NA可以高于1升高，从而改善浸没式光刻的分辨率。目前可行路径到20纳米节点和超出包括使用多层光致抗蚀剂^6，7的复杂双重和四重处理极端紫外光源（λ= 13纳米）或图案化技术。

在纳米尺度，统计的波动，引起的散粒噪声（SN），在lithogra的尺寸的纳米区域原因变化内到达的光子数 PHIC模式。这些效果是与暴露于高能量EUV光和E形梁，需要大小更少光子/粒子的订单相比普通光学光刻⁸系统更加明显。超敏化学放大（具有量子效率> 1）光致抗蚀剂也引入引起的光反应性分子的数量的变化的化学SN暴露纳米区域^9,10。需要更长时间的曝光灵敏度降低光致抗蚀剂抑制这些效应，但它们也减少吞吐量。

在分子尺度的贡献到线边缘粗糙度从固有的光致抗蚀剂聚合物中的分子大小分布可通过使用分子抗蚀剂¹¹被降低。即纳米图案化这种自上而下处理互补的方法是使用自下而上的方法^12，S ="外部参照"> 13，关于二嵌段聚合物¹⁴的定向自组装（DSA），专门依赖。这些方法的指导核和，从而创建所需的图案，如孔或线之间的非均匀间距的能力，仍然具有挑战性。分子成分¹⁵的粒度分布^，16也限制了规模和制造^17，18的产率。类似的问题限制了软刻蚀¹⁹纳米微接触印刷。

本文提出了结合静电定向自组装经典的自上而下的投影光刻减少SN /线边缘粗糙度^（LER）20效果的新的混合方法（ 图1）的研究。正电上的自组装单层的N（自组装膜）胺基- （2-氨基乙基）-11-氨基十一烷基甲氧基硅烷（AATMS）聚甲基丙烯酸甲酯膜底层被显影后曝光。聚甲基丙烯酸甲酯的带负电荷的光致抗蚀剂膜静电漏斗²¹带负电荷的金纳米颗粒（的GNP），用柠檬酸盐封端， ^{- 24}为SN影响孔^25。再流的PMMA光刻胶吞没在薄膜预涂膜纳米颗粒。

图 1: 策略的示意图去除散粒噪声和线边缘粗糙度的影响为利用精确的尺寸的纳米颗粒接触孔图案化。这里，临界尺寸（CD）是孔的所需直径。该方法（步骤1）开始沉积硅烷分子的自组装单层（SAM）的轴承正电的胺基上的氧化冲浪硅晶片的王牌。接着，电子束光刻来图案的孔（步骤2和3）中的PMMA光刻胶膜，蓝色层，其产生的散粒噪声，如插图SEM图像中示出。光刻在孔的底部暴露胺基。步骤4嗣继承受控尺寸，柠檬酸盐封端（带负电）的金纳米颗粒（的GNP）在采用静电漏斗（EF）光刻图案化孔的水相沉积。在步骤5中，将晶片加热至100℃，低于PMMA，110℃的玻璃化转变温度，使周围的预沉积的纳米颗粒的光致抗蚀剂的回流。蚀刻覆盖的PMMA与暴露的粒子的氧等离子体（步骤6）公开的GNP，和随后的湿法蚀刻（碘）（步骤7）产生对应于所述的GNP的大小的孔。当与反应离子/湿蚀刻耦合，有可能在孔图案中的光致抗蚀剂转移到_的 SiO _2（步骤^8）31。回覆印有许可参考^20。 请点击此处查看该图的放大版本。

在基板上的带相反电荷的GNP和胺基之间的静电相互作用防止在结合位点的的GNP的位移。回流步骤保持的GNP的相对位置，但擦除孔和SN / LER的影响。等离子/湿蚀刻步骤重新生成具有国民生产总值的大小的孔。反应性离子蚀刻传送他们_的 SiO ₂硬掩模层的图案。该方法依赖于使用更均匀尺寸的纳米颗粒比的图案化纳米孔（NH），表示为标准偏差，σ，使得σ _{生产总值 <σNH。}本报告重点关注（ 图1描述了4和5）步骤，涉及纳米粒子的分散性，从和沉积他们周围的光致抗蚀剂的回流，以评估的优点，并且该方法的局限性。这两个步骤是，原则上可扩展到更大尺寸的基板，无需广泛在芯片上制造现代集成电路的电流流动的修饰。

1.衍生和表征硅片的表面

1. 清洁用美国无线电公司（RCA）的清洁溶液SC1和SC2的晶片的表面上。
2. 制备SC1和SC2由容积混合下述化学物:
   SC1:H ₂ O _{2:NH 4} OH:H ₂ O = 1:1:5 V / V和SC2:H ₂ O _2:盐酸:H ₂ O = 1:1:5 V / V。
   1. 沉浸在SC1晶片10分钟，在70℃，然后执行一个去离子水洗涤。
   2. 遵循SC2类似协议（在70℃下10分钟，接着是洗涤）。
      注:此清洁过程中移除有机和离子杂质和硅晶片的氧化硅表面上产生硅烷醇基。
3. 衍生与AATMS硅晶片的表面
   1. 孵育在0.05M AATMS清洁的硅晶片（d中制备RY甲苯）中于80℃进行20分钟。声处理，在室温下，在100瓦超声波仪5分钟，在纯甲苯5分钟，并干燥在氮气流。
4. 表征衍生硅晶片的表面
   1. 测量用测角仪和ImageJ的软件²⁵接触角。
   2. 确定使用椭薄膜的厚度（He-Ne激光光源，λ的70°= 632.8纳米，固定入射角^）25。
   3. 通过X射线光电子能谱^（XPS）25估计表面元素组成。

2.电子束图​​案

1. 旋涂光致抗蚀剂（2％的聚（苯甲醚甲基丙烯酸甲酯（PMMA））上以4000rpm 60秒AATMS-衍生晶片。
2. 在180℃下预烘膜120秒以干燥光致抗蚀剂膜。
3. 测量光致抗蚀剂膜厚度使用椭。确保了He-Ne激光光源，λ= 632.8nm处，被固定在70°的入射角。优化采样阶段使用反射表面，如硅晶片，以最大限度地提高检测器的信号。使用连接的PC上的椭偏测量程序（GEMP）来测量光致抗蚀剂膜的厚度;它应该是约100nm。
4. 电子束曝光:
   1. 晶片转移到电子束对准的高真空室中。
   2. 创建使用电子束（30千伏加速电压，37 pA的束电流）通过一个10微米的孔径，并提供24μC/ cm ³的用量扑克点孔图案。
   3. 根据需要，以产生所需的孔直径（80纳米）和间距（200纳米）的扑克点型空穴图案调整图案间距和剂量。
   4. 除去从电子束室中的晶片。
5. 开发光刻图案:
   1. 开始图案发展在甲基异丁基酮/异丙醇中的溶液（MIBK / IPA，1:3（体积比））为70秒。
   2. 继续浸泡在IPA进一步发展为30秒。完成洗涤的去离子水的发展为30秒。干燥在氮气流中的晶片。

3.国民生产总值沉积成电子束图案孔

注:孔图案国民生产总值的沉积采用两种不同的方法。

1. 浸入GNP的解决方案预图案的晶片（方法1）。
   1. 留在国内生产总值悬浮介质中的样品为24-48小时，这取决于GNP的尺寸和孔的直径。使用含有7.0×10 ¹¹纳米颗粒/ mL的20纳米，柠檬酸皑皑的国民生产总值停牌。
      注意:一个可以使用10-100纳米大小的国民生产总值和5.7的浓度范围内×10 ¹² - 5.7×10 ⁹纳米颗粒/毫升，由特德佩拉提供。注意，沉积密度服从扩散法^{̴（DT）1/2，}其中D和t的纳米颗粒和沉积时间扩散系数，分别为（ 即，更小的颗粒需要更短的时间对沉积，如在参照图20， 图2c讨论）。
2. 在图案化晶片喷雾沉积的GNP（方法2）
   1. 通过蒸发沉积的GNP，喷洒的GNP的溶液到图案化衬底，水平放置。定向手持喷雾器（方法2），以使喷雾方向垂直于衬底表面。
   2. 喷雾悬浮液的足够体积润湿整个衬底表面。
      注:可能有必要通过10倍稀释GNP停牌，以避免迫使多个纳米粒子成一个大洞。
   3. 孵育在保持30-35℃，以产生受控蒸发10分钟的热板上的样品。
3. 沉积（通过方法后1或方法2），轻度ultrasonicate（100瓦）在去离子水中的样品50秒，并在氮气流中干燥。

4.扫描电子显微镜成像

注:两种类型的涉及常规的自上而下和横截面SEM成像研究。

1. 自顶向下的SEM图像，使用电子束加速5kV的电压在300微安〜电流以防止光致抗蚀剂膜的损坏。
   注意:可能的最低电压和电流设置是必要的，以减少在光致抗蚀剂断链反应。这些断链反应降低聚合物，这反过来又影响了下述的抗蚀剂回流步骤中的操作温度的玻璃化转变温度。
2. 横断面成像:
   1. 溅射涂层厚的金膜10纳米以上PMMA光致抗蚀剂，以防止离子束的损伤。使用在30千伏和93操作聚焦镓离子束pA的通过孔切割。通过倾斜从其正常的水平位置的晶片获得的横截面SEM图像。

5. PMMA光刻胶回流的图案孔的周围的GNP

1. 热在T _回流 （100℃）的热板上的图案化的基板3分钟，这是低于预先确定的玻璃化转变温度，T _克 （110℃），95万克/摩尔的PMMA;回流的用于聚合物的速率为1.7±0.1纳米/秒。
   注意:发生了与扫描电子显微镜（SEM）成像期间以前被暴露于电子束，这可能是因为在暴露于电子束中的聚合物骨架链的切割的图案的区域的显着更快的回流，导致减少_的Tg。这个观察是通过从Keymeulen和同事的研究谁指出，暴露于X射线辐射减少的T支承_摹 PMMA ^26。

6.干法和湿法蚀刻

1. 干蚀刻进行足够长的时间（第55号）与氧等离子体暴露覆盖有回流后的PMMA薄膜的GNP。仔细监测的PMMA膜蚀刻的使用椭或薄膜厚度监视的速率作为时间的函数。
   注:太短蚀刻时间不得暴露的GNP，而蚀刻时间过长会完全删除PMMA薄膜。为950 kDa的聚甲基丙烯酸甲酯，蚀刻速率为1.5nm /秒，因此需要55号的蚀刻时间。
2. 在使用碘的溶液回流后接触孔的底部湿法蚀刻的GNP，含有1.0g碘晶体（I _2）的，4.0克碘化钾（KI），和40毫升去离子水，持续10分钟。
   注:碘化钾提高溶液中的碘的溶解度并促进金蚀刻。黄金与碘（2AU + I _2→2 AUI）反应生成金碘化物，它是在室温下的水溶液中微溶。

7。质点位移，密度和填充率的计算

1. 定位孔中心和GNP排量:
   1. 用手画出的通孔，分别的行和列的水平和垂直的最佳拟合直线，既定孔中心在这些线的交点（ 图2a和2b）。包括在计算中至少有500多个孔。
   2. 手动确定的位置，R，每个纳米粒子相对于该纳米孔（ 即，位移），其中它被淀积（ 图2b）的中心。
2. 确定颗粒数与使用标准的电子表格程序排量直方图。
3. 粒子密度的计算:ρ= N（颗粒数）/单位面积（ ^平方微米）:
   1. 首先，确定一个环的环形区域具有固定宽度（≈R/ 10，其中R是所述孔的半径）和由两个半径（R _{1，R 2）}在r的位移 （=（R ₁为界+ R _2）/ 2）; 。
   2. 从在步骤7.2构建直方图综上所述粒子数N，在该地区，上方。
   3. 重复该过程作为r的函数，以产生约10在r = R时，孔半径终止相等的步骤。
4. 利用非线性最小二乘法（ 图2a，插图^）20贴合的颗粒密度相对于位移数据到高斯曲线。提取位移（σ _沉积 ）为沉积和其嵌合的不确定性的标准偏差。
5. 重复以上过程使用图2c所示的SEM图像的光致抗蚀剂回流后获得的扫描电镜的图案。
   注:后回流孔消失，绘制生产总值的位置最合适的水平和垂直线，以确定该孔的中心的最佳拟合值。计算粒子位移按步骤7.1和提取的综合σ _总下列步骤7.2-7.4划定的协议。
   注:在这里，结合或总指国民生产总值的整体位移，由于沉积和回流焊步骤。
6. 通过估计填充孔的数量的比率，以孔的总数目， 图2b确定的填充分数。

图2示出了沉积在通过静电漏斗驱动的60-100纳米厚的PMMA膜图案80纳米直径的孔20纳米的GNP的SEM图像。正如其他²²观察，这个过程导致每穴约一个粒子。颗粒周围的孔的中心的分布为高斯（右上插图）。大多数孔（93％）包含在一个生产总值，并且这些颗粒的95％的中心为20nm内发生。进一步的优化，在其他地方所讨论的，需要改善填充馏分和的GNP ^20，25的定心。 图2b和2c示出了从较大的晶片的区域，前后光刻胶的回流后沉积的GNP的SEM图像。讨论部分提出了进一步的定量分析。

图2:（a）存入80通过变桨，P，200纳米（左上插图）分离纳米直径孔20纳米直径的GNP。孔的93％包含一种纳米颗粒，并且该纳米颗粒的95％是从中心（蓝色圆圈）18纳米范围内。右上方插图显示从中心的粒子位移的高斯分布，具有σ= 9.0±0.1纳米。后沉积，σ= 9±1纳米的大面积（b）的SEM图像。 （ 三 ）同b）该光致抗蚀剂的回流后，σ= 11±2纳米。从参考²⁰改性许可。 请点击此处查看该图的放大版本。

蒸发沉积可以减少需要沉积²⁵ 24-48小时。当纳米颗粒的分散体被允许蒸发图案化表面上，的GNP沉积在PMMA膜上，以及在孔。在缓冲溶液中温和超声去掉弱结合在PMMA的GNP，只留下在孔中的强烈结合的颗粒。 图3示出粒子如何多个可以用这种方法被压入孔，因为在逐渐浓缩离子分散液中的减小的粒子间排斥力的。这种离子屏蔽作用，应避免使用，因为它们允许多粒子占用和降低，指示粒子的孔的中心的静电漏斗的效率。降低的GNP的浓度在沉积的分散性，用超声波沿，将可能允许每孔一个颗粒的沉积比更迅速本体溶液相沉积。在这项工作中，我们没有优化必要条件。

图3: 一个蒸发持续超过 20 分钟 时的GNP的沉积 。底部的SEM照片显示了由电子束图案的孔自上而下和横截面图。从参考²⁵修改许可。 请点击此处查看该图的放大版本。

的截面SEM轮廓显示朝向其中心倾斜的孔的侧壁。侧壁的角度为小于最佳90°，当接近光刻胶晶片接口创建在井增加截面面积。此配置汉邦解释所观察到的包装图案（左）克莱斯，表明其排量从孔的中心了。更好聚焦电子束的，空气和光致抗蚀剂膜之间的界面下方，将消除这种伪像。

PMMA光致抗蚀剂²⁷的薄的固体膜^{- 30}液化并流110ºC的玻璃化转变， _的Tg附近。 10°下的光致抗蚀剂的聚合物，聚甲基丙烯酸甲酯的_Tg的温度，引发光致抗蚀剂的缓慢回流。在软化的，液体状，玻璃态，光致抗蚀剂膜的表面张力降低的边缘曲率和粗糙度，导致抑制LER影响。如在图4中，其中每孔的GNP的数目是高示出的前进的液体光致抗蚀剂前完全吞噬纳米孔，与沉积的的GNP一起。注意从孔边框光刻胶回流如何抹去日在影片中纳米孔电子模式。然而，强结合锁定到图案的位置登记的GNP。值得注意的是，这些光致抗蚀剂回流研究显示较强的静电柠檬酸皑皑的国民生产总值以胺封端硅烷的结合。之前和支持这一结论，回流后的GNP的沉积图案的相似性;参见图4c（ 参见下文 ）。

图4:所沉积的GNP的位置是相对不敏感的光致抗蚀剂的回流（见文本）。沉积的60纳米的GNP在250纳米孔的图案:（1）在回流之前，（B）完全回流后部分回流，以及（c）之后。 请点击此处查看该FIGUR的放大版本即

的步骤，并在相应的SEM图像中发生的变化的整体序列示于图5。在图5b中 ，在该膜中的孔光致抗蚀剂回流时收缩，而吞噬过程在不到3分钟（ 图5c）完成。氧等离子体刻蚀光刻胶较厚的薄膜是叠加在国民生产总值的顶部，他们暴露在空气中。一旦暴露，这些的GNP进行湿式蚀刻使用基于KI / I _2（ 图5d）金蚀刻溶液。变异为直径系数为9％由GNP-辅助方法形成的孔中。需要注意的是在这些研究中，孔的起始直径缩小为80〜20纳米，其示出了该方法的强度。该方法的主要限制是引入在一个重新孔中心的位置的不确定性，由于不确定性的INTR的组合国民生产总值的沉积和抗蚀回流期间oduced。当前正在进行的工作试图解决这些影响。除了金，不同材料的其它纳米颗粒，例如二氧化硅（在稀释的HF刻蚀），可用于降低材料和加工费用。主要的要求是，纳米颗粒/纳米结构必须是在不影响抗蚀剂材料的选择性蚀刻。

图5:SEM 表示。期间采用以最小化孔大小的变化的步骤中收集的图像。 （ 一 ）沉积（24小时）。 （b和c）光致抗蚀剂的回流（20秒，3分钟）。 （D）蚀刻PMMA（O ₂等离子:第55号）和国民生产总值（湿法腐蚀与I ₂ / KI溶液:10分钟）。">请点击此处查看该图的放大版本。

在光刻中散粒噪声（SN）是在给定的纳米区域到达光子或粒子（N）的数目统计波动的一个简单的后果;它是成反比的一些光子/粒子的平方根:

其中A和r是分别的区域和露出区域的大小。例如，当使用在52毫焦/厘米²的曝光剂量的ArF 193纳米（6.4电子伏特）受激准分子激光器，以图案50纳米孔，接收到的光子的数目是大约1×10 ⁶时。对于50千电子伏的电子束源，电子输送50毫焦耳的数量/厘米²将是约128，这意味着SN的效果将是电子束光刻的100倍。此外，在一个给定的区域到达光子/电子的数量与图形的面积直接减小。因此，人发生在接收的"相同的"曝光结果的孔的大小ARGE波动作为空穴的尺寸要制作的降低。对于图1与30千电子伏的电子束中所示的35纳米的孔，大约1,440的电子传递的24μC/ cm ²的所需的剂量。到图案20纳米的孔相同的条件下，人们将需要大约400的电子，这是接近由莫罗³²给出的理论SN极限（200电子）。目前，打压SN效果的唯一方法是通过使用需要更高的电子/光子剂量低灵敏度光刻胶。它是在较低的吞吐量和纳米图案成本较高的成本。我们的方法减少了尺寸波动由使用单分散纳米结构重新定义光刻图案化的孔的尺寸，同时保持原来的位置登记的效果。注册表是由强烈的静电纳米结构结合固定到表面，通过静电漏斗指导。

图案形成在该方法的成功取决于两个效果。第一个是在孔的尺寸的变化，而第二个是影响所述位置的注册表中的孔中的纳米颗粒的定心。变异为通过这种方法（9％，或19±2纳米）图案化的孔的直径的系数是媲美的GNP ²⁰的尺寸（8％）的系数。另一方面，如在图1显示，电子束图案35纳米（35±9）的孔，而无需使用这种方法制成，具有35％的CV。制造20纳米孔时，电子束单独的图形所对应的CV将变得更加糟糕。该SN可设置为成比例的简历，为20纳米，并在分别为61％和15％，80纳米孔的CV粗略的估计。这里介绍的方法，通过电子束ALON提供CV至少六倍（〜61％/ 9％）的改善20纳米孔Ë图案。即使是80纳米孔出发，CV结果近60％的改善（〜15％/ 9％），这种方法后发生。

第二个影响的担忧颗粒沉积在孔（注册表）的几何中心之遥。两个起作用的因素，以这样的效果是从的GNP的中孔沉积（ 图2b）和后光致抗蚀剂回流（ 图2c）后收集的SEM数据萃取。从它们居住（ 图2a）的纳米孔的中心的GNP的位移的统计分析表明，该溶液相沉积过程中，的GNP关于孔的中心的分布为高斯分布，使用标准偏差（σ为9nm，或的GNP的大约一半的直径_沉积 ）。分析程序相当于假定粒子，平均而言，保持在孔的中心，尽管单独它们可以移动岭由于ndomly沉积过程中扩散。

影响位移的第二个因素是由于的GNP的光致抗蚀剂在回流过程中的运动。结果，在图4中，表示该正电荷AATMS SAM如此强烈的GNP它们不光刻胶的回流期间移动地结合。光致抗蚀剂回流后收集的SEM图像的类似的分析（ 参见上文 ）（ 图2c）的步骤在沉积和回流后的粒子的定位（ 即，注册表）提供的总体标准偏差（σ _总计 ）。要提取抵制回流的贡献，我们假设沉积和光致抗蚀剂回流的过程中产生，从孔的中心取代颗粒独立效应，使得:

使用σ的拟合值; _沉积 （9±1纳米）和σ _合计 （11±2纳米），σ的提取值_{抗蚀回流焊}估计为6纳米，这相当于三倍于20纳米的GNP的标准偏差。这样的低标准偏差意味着在光致抗蚀剂回流工艺上结合的粒子的位移非常可忽略的影响。尽管如此，σ _沉积出现直接与国民生产总值的大小发生变化;因此，它需要显著改善。 ²⁰别处提出一种模型显示，光致抗蚀膜和SAM的电荷密度，提高了位置注册表的优化。几种方法，包括的GNP采用静电偏压和充电的，目前正在探讨。注意，如上面所讨论的，该SEM图像分析提供了优化的上述处理的简单的方法。

商业阿瓦伊几乎单分散GNP颗粒不稳决定金纳米粒子的选择。原则上，其他廉价的纳米材料，如与适当的收费螯合剂衍生的二氧化硅纳米颗粒，也是合适的候选者。对纳米颗粒的选择的主要标准是其单分散性和其易感性蚀刻。对于静电漏斗，在SAM和NP适当补充费用必须存在。关于纳米颗粒的电荷取决于其ζ电位，其符号和幅度可以通过溶液或螯合剂的电荷的pH值来调节。同样地，在选择阳离子或阴离子端基允许在SAM表面电荷的修改。如果完善，方法很容易扩展到图案战壕与纳米线^{33 - 35。}该方法的整体成功将取决于预先图案photore优化布局和纳米结构的填充SIST薄膜，利用静电，磁，或配体连接的相互作用。

作者什么都没有透露。

英特尔公司通过提供资金资助号414305这项工作中，和俄勒冈纳米技术与微倡议（ONAMI）提供的配套资金。我们非常感谢詹姆斯·布莱克威尔博士在这项工作中的各个阶段的支持和建议。我要特别感谢德鲁Beasau和切尔西本笃分析颗粒定位的统计数据。我们感谢霍尔教授的手稿和库尔特Langworthy博士的仔细阅读，在俄勒冈，尤金的大学，或者，对于他的电子束光刻帮助。