The authors are grateful for the financial support from Ministry of Science and Technology.

シルバー前駆体インクの調製<ol><li> 3.15ミリリットルの脱イオン水にジエタノールアミン1.85グラム（DEA）を追加します。 </li><li> 5ml中の硝酸銀の脱イオン水0.15グラムを溶かします。 </li><li>使用直前に10 mlの銀前駆体インクを持っている1体積比：1でDEAと硝酸銀水溶液を混合します。 </li></ol>伸縮性導電性薄膜の作製2。 <ol><li> AgNWインクの調製 <ol><li> 18ミリリットルの脱イオン水とイソプロパノール0.5重量％のAgNWsの2ミリリットルを希釈します。 </li><li> 25℃で30秒間超音波浴中に配置します。 </li></ol></li><li> 自動スプレー塗装によりAgNW薄膜の作製 <ol><li> 1×2.5センチメートル2に等しいサイズのピースにスライドし、標準的な顕微鏡をカットします。このサイズの16ガラス片を作製し、エタノール湿らせたレンズクリーニングティッシュでそれらを清掃してください。 </li><li> airbrの塗料カップに（部1から）転送16ミリリットルAgNWインクピペットでUSH。スプレー塗装用コンピュータ制御ロボットにエアブラシをマウントします。 </li><li>ステージ上で4×2の構成ではガラス片の8を配置し、耐熱テープで固定します。ステージ上のすべてのガラス基板の総面積は4×5 cm 2です。 </li><li>別に、3バールおよび100℃での使用圧力と加熱ステージの温度を設定します。 </li><li>ロボット制御ソフトウェアを開きます。 「コマンド」列の下にブラシモーションコマンドシーケンスをクリックして選択します。 図1に示すように、自動噴霧プログラムを完了するために必要な入力パラメータを入力します。プログラムを実行します。 注意：「回線速度」コマンドでは、200ミリメートル/秒でエアブラシの旅行になります。 「ブラシ領域」コマンドにより、エアブラシは、ガラス基板の短辺方向に前後に移動する長辺方向に沿ってステージを移動すると2つのストローク間の空間ながら配列は5mmです。 「ラインスタート &quot;と&quot;林Eの終了」コマンドは、自動噴霧操作の開始点と終了点の位置を決定する。それらの位置は、ステージ上のガラス基板のアレイの位置に依存しています。「ポイントを待って &quot;コマンドは、20秒の待機時間を設定します各自動噴霧サイクルの終わり。コマンド」をループアドレス」は、複数の噴霧サイクルを可能にし、自動噴霧サイクル数は15回です。コマンドのより詳細な指示は、製造業者のプロトコルに記載されています。 </li><li> 30回に自動噴霧サイクル数を変更します。 30噴霧サイクルのAgNW薄膜を作製するために2.2.5 - 繰り返して、2.2.3を繰り返します。 </li><li>スプレーコーティングした後、10分間、120℃のホットプレート上の銀ナノワイヤ薄膜を焼きます。 </li></ol></li><li> 化学はんだ付けプロセス <ol><li>ガラス基板上の各スプレー塗布銀ナノワイヤ薄膜の上に銀前駆体インクの400μLをキャストします。 </li><li> 100のホットプレート上の膜を焼きます＃176; C 40分間。 </li><li>非反応化学残基および空気乾燥塗膜を除去するために、脱イオン水で慎重に反応性コーティングを洗い流します。 </li></ol></li><li> キャスト・剥離工程 <ol><li>ガラス基板上の各銀ナノコンポジット薄膜の上に200μlの市販の水ベースのPUエマルジョンをキャストします。 </li><li>完全に凝固を確実にするために、10時間にわたってフィルム空気が乾燥します。 </li><li>自立複合フィルムなどのガラス基板からサンプルをはがし。 </li></ol></li></ol> 3.特性評価<ol><li> ストレッチテスト <ol><li>リニアモーター駆動ステージをオンにして、マシンがウォームアップするために10分を待ちます。 </li><li>ステージ制御ソフトウェアを開きます。 8000ように、モータの移動ステップ数を設定します。それは固定ステージに接触するまで、モバイルのステージを移動するステージ制御ソフトウェアの「X +」をクリックして、Tの位置を設定するには、「0を設定」をクリックステージ制御ソフトウェアのゼロとして、彼の携帯のステージ。 注意：モバイルステージは、モータの1ステップで0.00125ミリメートルを移動します。モータは8,000ステップを移動した場合例えば、移動ステージは1cmに移動します。 「X +」のプラス記号は &quot;X-&quot;の負の符号が離れて固定ステージから移動することを意味しな​​がら、固定ステージに近づく方向でモバイルステージが移動することを意味します。 </li><li>モバイルと固定ステージの間に1cmのスペースを残すために、モバイル、ステージを移動するために &quot;X-&quot;をクリックしてください。ステージ上に有線ホルダーとサンプルの両端を固定します。これにより、サンプルの伸び面積は1×1 cm 2です。延伸機の設定は、図2に示されています。 </li><li>抵抗測定用のデジタルマルチメータに接続するには、ステージ所有者への配線ケーブルのもう一方の端（ 図2）は、ワニ口クリップを使用します。 </li><li> MOVへの800をクリックして「X-」とモータの移動ステップ数を設定します。電子離れて固定ステージから移動ステージ1ミリ（10％株）は、サンプルを伸ばし、抵抗を記録します。かなり抵抗が増加する（〜150％系統）まで、この手順を繰り返します。 </li></ol></li><li> 安定性試験 <ol><li> 3.1.4 - ステップ3.1.2のようにテストを準備します。 </li><li>デジタルマルチメータのソフトウェアを開きます。コンピュータにデジタルマルチメーターを接続します。デジタルマルチメータの長押し &quot;RELΔ」ボタンコンピュータのアイコンは、デジタルマルチメータモニターの左上隅に表示されるまで。デジタルマルチメータソフトウェアの「USB接続」をクリックして、ソフトウェアが測定された抵抗値を記録するために開始します。 </li><li> 図3に示すように、ステージ制御ソフトウエアのプログラムパネルの入力フィールドにコマンドを入力し、コマンド&quot;：U-4000」は、コマンドながら4,000歩の距離固定ステージから移動ステージを移動することを意味する&quot;：U4000」手段4000ステップバックモバイルステージを移動します固定ステージ（50％株について4000、100％の株について8000）へ。ストレッチングサイクル数は15回です。モバイルステージのデフォルトの速度を1mm / secです。 </li><li>自動プログラムを実行するステージ制御ソフトウエアのプログラムパネルで「123の実行」をクリックしてください。モバイルステージは三角波の伸長サイクルでサンプルをストレッチするための往復運動に移動します。 </li><li>マルチメータのソフトウェアで保存アイコンをクリックして、.xlsファイルとして抵抗応答プロファイルのデータをエクスポートします。 </li></ol></li><li> LED点灯試験 <ol><li> 3.1.3 - ステップ3.1.2のようにテストを準備します。 LEDと電源に直列に配線ホルダーを接続します。 </li><li>電源をオンにします。 LEDを点灯するために9 Vまで電圧を上げます。 </li><li>サンプルを伸ばし、LEDの明るさを記録するために写真を撮るために固定ステージから離れ、携帯ステージ1ミリ（10％歪み）を移動するには、 &quot;X-&quot;をクリックしてください。この手順を繰り返して、LEDの光が暗くなります。写真を撮影しながら、カメラの自動露出をオフにする必要があることに注意してください。 </li></ol></li></ol>

<ol>
	<li>Rogers, J. A., Someya, T., Huang, Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Materials+and+mechanics+for+stretchable+electronics.">Materials and mechanics for stretchable electronics.</a> Science. 327 (5973), 1603-1607 (2010).</li><li>Mazzeo, A. D., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Paper-based,+capacitive+touch+pads.">Paper-based, capacitive touch pads.</a> Adv. Mater. 24 (21), 2850-2856 (2012).</li><li>Yang, C., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Silver+nanowires:+from+scalable+synthesis+to+recyclable+foldable+electronics.">Silver nanowires: from scalable synthesis to recyclable foldable electronics.</a> Adv. Mater. 23 (27), 3052-3056 (2011).</li><li>Sekitani, T., Someya, T. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Stretchable,+Large-area+Organic+Electronics.">Stretchable, Large-area Organic Electronics.</a> Adv. Mater. 22 (20), 2228-2246 (2010).</li><li>Lipomi, D. J., Tee, B. C., Vosgueritchian, M., Bao, Z. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Stretchable+organic+solar+cells.">Stretchable organic solar cells.</a> Adv. Mater. 23 (15), 1771-1775 (2011).</li><li>Liang, J., Li, L., Niu, X., Yu, Z., Pei, Q. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Elastomeric+polymer+light-emitting+devices+and+displays.">Elastomeric polymer light-emitting devices and displays.</a> Nat. Photonics. 7 (10), 817-824 (2013).</li><li>White, M. S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Ultrathin,+highly+flexible+and+stretchable+PLEDs.">Ultrathin, highly flexible and stretchable PLEDs.</a> Nat. Photonics. 7 (10), 811-816 (2013).</li><li>Chang, I., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Performance+enhancement+in+bendable+fuel+cell+using+highly+conductive+Ag+nanowires.">Performance enhancement in bendable fuel cell using highly conductive Ag nanowires.</a> Int. J. Hydrogen Energ. 39 (14), 7422-7427 (2014).</li><li>Yan, C. Y., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=An+Intrinsically+Stretchable+Nanowire+Photodetector+with+a+Fully+Embedded+Structure.">An Intrinsically Stretchable Nanowire Photodetector with a Fully Embedded Structure.</a> Adv. Mater. 26 (6), 943-950 (2014).</li><li>Lee, M. S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=High-performance,+transparent,+and+stretchable+electrodes+using+graphene-metal+nanowire+hybrid+structures.">High-performance, transparent, and stretchable electrodes using graphene-metal nanowire hybrid structures.</a> Nano Lett. 13 (6), 2814-2821 (2013).</li><li>Xu, F., Zhu, Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Highly+conductive+and+stretchable+silver+nanowire+conductors.">Highly conductive and stretchable silver nanowire conductors.</a> Adv. Mater. 24 (37), 5117-5122 (2012).</li><li>Yun, S., Niu, X., Yu, Z., Hu, W., Brochu, P., Pei, Q. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Compliant+silver+nanowire-polymer+composite+electrodes+for+bistable+large+strain+actuation.">Compliant silver nanowire-polymer composite electrodes for bistable large strain actuation.</a> Adv. Mater. 24 (10), 1321-1327 (2012).</li><li>Lee, P., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Highly+stretchable+and+highly+conductive+metal+electrode+by+very+long+metal+nanowire+percolation+network.">Highly stretchable and highly conductive metal electrode by very long metal nanowire percolation network.</a> Adv. Mater. 24 (25), 3326-3332 (2012).</li><li>Akter, T., Kim, W. S. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Reversibly+Stretchable+Transparent+Conductive+Coatings+of+Spray-Deposited+Silver+Nanowires.">Reversibly Stretchable Transparent Conductive Coatings of Spray-Deposited Silver Nanowires.</a> ACS Appl. Mater. Interfaces. 4 (4), 1855-1859 (2012).</li><li>Madaria, A., Kumar, A., Ishikawa, F., Zhou, C. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Uniform,+highly+conductive,+and+patterned+transparent+films+of+a+percolating+silver+nanowire+network+on+rigid+and+flexible+substrates+using+a+dry+transfer+technique.">Uniform, highly conductive, and patterned transparent films of a percolating silver nanowire network on rigid and flexible substrates using a dry transfer technique.</a> Nano Res. 3 (8), 564-573 (2010).</li><li>Lee, J., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Room-Temperature+Nanosoldering+of+a+Very+Long+Metal+Nanowire+Network+by+Conducting-Polymer-Assisted+Joining+for+a+Flexible+Touch-Panel+Application.">Room-Temperature Nanosoldering of a Very Long Metal Nanowire Network by Conducting-Polymer-Assisted Joining for a Flexible Touch-Panel Application.</a> Adv. Funct. Mater. 23 (34), 4171-4176 (2013).</li><li>Tokuno, T., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Fabrication+of+silver+nanowire+transparent+electrodes+at+room+temperature.">Fabrication of silver nanowire transparent electrodes at room temperature.</a> Nano Res. 4 (12), 1215-1222 (2011).</li><li>Garnett, E. C., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Self-limited+plasmonic+welding+of+silver+nanowire+junctions.">Self-limited plasmonic welding of silver nanowire junctions.</a> Nat. Mater. 11 (3), 241-249 (2012).</li><li>Zhu, S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Transferable+self-welding+silver+nanowire+network+as+high+performance+transparent+flexible+electrode.">Transferable self-welding silver nanowire network as high performance transparent flexible electrode.</a> Nanotechnology. 24 (10), 1321-1327 (2013).</li><li>Han, S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Fast+Plasmonic+Laser+Nanowelding+for+a+Cu-Nanowire+Percolation+Network+for+Flexible+Transparent+Conductors+and+Stretchable+Electronics.">Fast Plasmonic Laser Nanowelding for a Cu-Nanowire Percolation Network for Flexible Transparent Conductors and Stretchable Electronics.</a> Adv. Mater. 26 (33), 5808-5814 (2014).</li><li>Chen, S. P., Liao, Y. C. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Highly+stretchable+and+conductive+silver+nanowire+thin+films+formed+by+soldering+nanomesh+junctions.">Highly stretchable and conductive silver nanowire thin films formed by soldering nanomesh junctions.</a> Phys. Chem. Chem. Phys. 16 (37), 19856-19860 (2014).</li><li>Chen, S. P., Kao, Z. K., Lin, J. L., Liao, Y. C. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Silver+conductive+features+on+flexible+substrates+from+a+thermally+accelerated+chain+reaction+at+low+sintering+temperatures.">Silver conductive features on flexible substrates from a thermally accelerated chain reaction at low sintering temperatures.</a> ACS Appl. Mater. Interfaces. 4 (12), 7064-7068 (2012).</li></ol>

The authors have nothing to disclose.

化学的なはんだ付けプロセスは、銀ナノワイヤとの間の接触を強化することができます。 図4bに示すように、ワイヤ/ワイヤ接合はAgNW薄膜スプレーコーティング上に、反応性の銀インクを塗布した後、銀で被覆されています。銀回収は、DEAの分解から発生するホルムアルデヒドに強く依存し、したがって、はんだ付けプロセスまたは銀の減少は温度上昇により加速することができる。22 AgNWsの金属表面は、効果的な電子交換部位を提供するので、銀ナノ粒子が優先的にAgNW面に沿って減少しています、およびアマルガムコンタクトを形成するワイヤのワイヤ接合をオーバーラップします。この化学的なはんだ付けプロセスは、しかし、その後、過剰な反応性の溶液を除去するためのすすぎ工程を必要とします。一つは、乾燥前AgNWsとガラスの間の低い接着にゆっくりと慎重に半田AgNW薄膜を洗浄するために必要です。リンスおよび乾燥後、AgNW薄膜とすることができます簡単キャスト・アンド・剥離法によりPUに転送されます。ガラスの上に金型やスペーサーを使用すると、1にも簡単に複合伸縮性導体にPU層の厚さを調整することができます。 複合伸縮性導体は関係なく、スプレーコーティングされたAgNWs量の高い歪み条件で大きな電気伝導性を示します。強固に接合ナノワイヤの連絡先の結果、AgNWネットワークは、延伸条件の下で無傷のままであり、偉大な電子移動経路を提供します。 図5に示すように導体の伸びがunsolderedワイヤワ ​​イヤ接合部のずれにつながり、AgNWネットワークの導電経路を減らすために適用される株が増加すると、unsoldered伸縮性導体のシート抵抗が急激に増加します。一方、はんだ付け伸縮性導体のシート抵抗は、減少した銀nanoparを示し、120％の大ひずみで〜100Ω/□程度の低いままticlesはメッシュAgNWの脱臼を防ぐためにAgNWs間の接触をアニールし、AgNWsの接続性を向上させる行います。効果的な浸透AgNWネットワークが形成されると、複合伸縮性導体は関係なく堆積AgNW量の高い導電性を示すことができます。 図5の抵抗-ひずみ曲線に明らかなように、半分AgNW量（15対30の噴霧サイクル）と伸縮性導体はAgNWsの量は、化学物質の後に導電率にはほとんど影響を持っていることを示す、延伸工程の下で実質的に同じ導電性を示していますはんだ付け。結果として、より低いAgNW量であれば、最初のスプレーAgNW薄膜被覆として使用することができる化学はんだ付け工程の前に導電性です。 伸縮性導体も速い伸び率を持つ大規模な動的ひずみの下でかなり良好な機械的安定性を示します。 図6に示すように、はんだ付けAgNWメッシュネットワークが残ります一方は50％の歪みの大きな歪みに三角形の伸長サイクルを適用するときにそのまま。このように、伸縮性導体の電気抵抗は、50％の静的歪みの下抵抗変化（〜4Ω/□）と一致する、〜5Ω/□の非常に小さな変化とほぼ変わりません。でも大きなひずみ振幅（100％）が適用されたときしかし、大きな抵抗変化が脈動プロセスにおけるAgNWネットワークの整合性の構造変化を示し、観察されました。動的な抵抗変化は、静的ストレッチよりもはるかに大きいです。ダイナミック抵抗が最初のピークで、90Ω/□であり、動的な脈動に400Ω/□まで上昇しながら、 図5のデータと比較して、静的な抵抗は、100％のひずみで約25Ω/□です。 100％の大ひずみでは、サンプルは矛盾betweeにつながる、破損する恐れがあり、ダイナミックストレスやはんだ付けAgナノワイヤのネットワークのいくつかの構造を維持することはできませんnは、静的および動的ひずみ下のシート抵抗。また、ピーク抵抗が発生する方向が、反転しストレッチしながら、瞬間的に大きな速度の高速化は、モバイル段階によって適用され、動的なピーク抵抗の増加に反映さらなる構造損害につながることができます。また、静的および動的抵抗の差の部分は動的ひずみ下AgNWsとPU基板との間の可能性のある一時的な転位から来るかもしれません。抵抗は脈動が停止した後に元の値に戻っているという事実によって証明されるように、これらの転位は、復元することができます。したがって、抵抗変化を避けるために、一つは注意深くAgNWメッシュと弾性基材の間の接着性及び機械的適合性を評価する必要があります。 伸縮性導体は、多くの電子用途での理想的な弾性相互接続として直接提供することができます。ときstret 図7は、動的観察を示していますchable導体は直列にLEDが接続されています。一定の電圧が供給されると、LEDライトの明るさはあっても、110％までの株でほとんど変化しません。この合成された複合伸縮性導体を簡単に弾性導電性トラックとして任意の電気機器に適用することができます。しかし、実際の電気デバイスのさらなる実施するためには、完全な回路に小型化電極パターンを必要とします。このように、印刷技術と伸縮​​性の回路を作成する方法の詳細な研究はまだ進行中です。 要約すると、この作業は、低温での高い伸縮性導体を製造するための簡単​​な方法を提供します。 PUの化学的に半田付けAgNWネットワークは、実質的な弾性歪みに対応し、延伸工程で優れた導電性だけでなく、機械的安定性を発揮することができます。また、化学的にはんだ付け導体iは、AgNWsの量に関わらず、ほぼ同一の電気的、機械的な性能を示し、材料の無駄で可能な削減をndicating。我々は、この伸縮性導体材料が直接、次世代エレクトロニクスのために、このようなLEDや太陽電池などのウェアラブルと伸縮性光電子デバイスのように効果的な相互接続を果たすことができると信じています。

大きな伸縮性のある変形可能な電子機器は、次の世代のウェアラブルと携帯用電子機器の実現に不可欠な部品として同定されている。1これら伸縮性電子デバイスは、プラスチックシート上のものの電子デバイスとして大きな柔軟性を示す2、3だけでなく、優れた展示だけでなく、延伸条件やひねり厳しい下のパフォーマンス。4大変形下での優れた電気的性能と伸縮性エレクトロニクス、材料を実現するためには必要とされています。材料科学の最近の進歩は、このような機能性材料を合成する可能性を示しており、複雑な形状の変形に大きな耐性を有する伸縮性光電子デバイス5-9を設計するためにそれらを使用しています。全ての電子機能材料の中では、伸縮性の導体は、これらの光電子デバイスに電力を供給するために必要であり、従って、デバイス性能のために非常に重要です。金属またはインジウムスズ酸化物、大変形下での機械的ロバスト性の欠如のような規則的な導電性材料、ので、これらの材料で作られた相互接続は、プロセスの延伸下で良好な電気伝導性を発揮することができません。したがって、このようなカーボンナノチューブ、グラフェン1、10またはAgNWs等の可撓性導電性材料の薄い層で覆われた弾性基質は、11-14は、優れた伸縮性を有する導電体のために設計されています。そのため、高いバルク導電率の、AgNW薄膜はAgNW薄膜の13浸透ネットワークが効果的に大きな電気伝導度と延伸工程に大きな弾性変形を収容することができます。複合伸縮性導体のための最も有望な材料であることが示されている、とのように考えられています有望な伸縮性電極候補。伸縮性導体としてAgNW薄膜を実現するために、それはAgNWs間の効果的な電気接点を有することが必要です。液相堆積AN後基板表面上のD乾燥、AgNWsは定期的に大きな電気抵抗に生じる緩み接点と浸透メッシュを形成するために一緒に積み重ねます。したがって、一つの接触抵抗を低減するために、高温または高圧アニーリング方法15-20によってナノワイヤ間のコンタクトをアニールする必要があります。 文献において、これらのアニーリングプロセスとは対照的に、ここでは、我々は、通常の実験室条件下でAgNWネットワーク接続をアニールするために、単純な化学的方法を実証する。21の製造プロセスは、 図4Aに示されています。反応性インクをガラス板上の薄膜AgNWスプレーコーティングを焼結するのに使用されます。反応後、ナノワイヤ間の接触は、銀で被覆されているので、AgNWネットワークは、化学的に一緒にはんだ付けされています。キャスト及び剥離方法は、その後、明らかな変化を示さないことができる複合導体を形成するために、伸縮性PU基板に半田付けAgNWネットワークを転送するために使用されるIでも120％の大きな引張歪みにおけるn個の電気伝導度。

<table border="0" cellpadding="0" cellspacing="0" width="833">
	<tbody>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:173px;">Silver nanowire</td>
			<td style="width:195px;">Sigma-Aldrich</td>
			<td style="width:117px;">778095-25ML</td>
			<td style="width:349px;">AgNW, 120 nm in diameter and 20-50 mm in length, 0.5 wt% in IPA</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;">Silver nitrate crystal</td>
			<td>Macron Fine Chemicals</td>
			<td>MK216903</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;">Diethanolamine</td>
			<td>Sigma-Aldrich</td>
			<td>D8885-500G</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;">Polyurethane emulsion</td>
			<td>First Chemical</td>
			<td>20130326036</td>
			<td>35 wt% water-based anionic polyester-polyurethane emulsion</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;">Airbrush</td>
			<td>Taiwan Airbrush &#38; Equipment</td>
			<td>AFC-sensor&#160;</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;">Desktop robot</td>
			<td>Dispenser Tech</td>
			<td>DT-200&#160;</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;">Digital dispenser controller</td>
			<td>Dispenser Tech</td>
			<td>9000E&#160;</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="42">
			<td height="42" style="height:42px;width:173px;">Auto-spraying program</td>
			<td style="width:195px;">Dispenser Tech</td>
			<td style="width:117px;">Smart robot edit version 3.0.0.5</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;">Air compressor&#160;</td>
			<td>PUMA Industrial</td>
			<td>NCS-10&#160;</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;">Linear motorized stage</td>
			<td>TANLIAN E-O</td>
			<td>Customized</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:173px;">Stage control software</td>
			<td style="width:195px;">TANLIAN E-O</td>
			<td style="width:117px;">Customized</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;">Digital multimeter</td>
			<td>HILA INTERNATIONAL</td>
			<td>DM-2690TU</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:173px;">Digital multimeter software</td>
			<td style="width:195px;">HILA INTERNATIONAL</td>
			<td style="width:117px;">NA</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;">Power supply</td>
			<td>CHERN TAIH</td>
			<td>CT-605</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;">LED</td>
			<td>PChome</td>
			<td>M08330766</td>
			<td>http://www.pcstore.com.tw/sun-flower/M08330766.htm</td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

a fabrication method for highly stretchable conductors with silver nanowires

伸縮性エレクトロニクスは、次世代の電子用途のためのキーテクノロジーとして識別されます。伸縮性電子デバイスの製造における課題の一つは、優れた機械的安定性を有する伸縮性導体の製造です。本研究では、化学的に銀ナノワイヤー（AgNW）ネットワークとの間の接触点をはんだ付けするための簡単​​な製造方法を開発しました。 AgNWナノメッシュは、第一のスプレーコーティング法を介してスライドガラス上に堆積させました。銀ナノ粒子（AgNPs）前駆体から成る反応性インクはAgNW薄膜をスプレーコーティングの上に適用しました。 40分間加熱した後、AgNPsを優先AgNWナノメッシュをはんだ付けするナノワイヤ接合部に生成し、導電ネットワークを強化しました。化学的に修飾されたAgNW薄膜は、その後、キャスト法により、ポリウレタン（PU）基板に移しました。 PU上のはんだ付けAgNW薄膜は伸張またはローランの下での電気伝導度に明らかな変化を示さありませんでした伸びグラムプロセスは、120％までの株。

化学はんだ付け工程後AgNW薄膜の形態は、 図4Bに示されています。 AgNPsが優先AgNWsの表面に成長し、ワイヤ/ワイヤ接合部の上にラップ回収した。 図5は unsolderedとAgNWsの異なる量を含むはんだ付け薄膜に適用伸び株とシート抵抗の変化を示しています。化学はんだ付けプロセスの後、AgNW薄膜導体に関係なくAgNWsの噴霧量の、高ひずみ条件下で高い導電性を維持することができます。 120％以下の株が適用される場合の両方はんだ付けAgNW薄膜は100Ω/□以下のシート抵抗を示しています。複合伸縮性導電性薄膜は、動的変形過程における大きな機械的安定性を示す。 図6は、0の速いひずみ速度で三角波の伸長サイクル下に伸縮性導体の抵抗の変化を示す図<html> 0.05 秒 -1。明らかな抵抗変化は、50％のひずみ振幅で観察されません。時歪み振幅が増加する100％ひずみに、ピーク抵抗が脈動サイクルの数と共に増加し、脈動が停止した後、膜の抵抗は、元の値に戻る。 図7を化学的にはんだ付け薄膜の電子申請を実証。 <img alt="図1" src="/files/ftp_upload/53623/53623fig1.jpg" /> 図1のロボット制御ソフトウェアのスクリーンショット。 <a href="https://www-jove-com.remotexs.ntu.edu.sg/files/ftp_upload/53623/53623fig1large.jpg" target="_blank">この図の拡大版をご覧になるにはこちらをクリックしてください。</a> <img alt="図2" src="/files/ftp_upload/53623/53623fig2.jpg" /> 図2. マシン構成を伸ばします。<html> ve.com/files/ftp_upload/53623/53623fig2large.jpg「ターゲット= &quot;_空白&quot;&gt;この図の拡大版をご覧になるにはこちらをクリックしてください。 <img alt="図3" src="/files/ftp_upload/53623/53623fig3.jpg" /> 図3. ステージ制御ソフトウェアのスクリーンショット。 <a href="https://www-jove-com.remotexs.ntu.edu.sg/files/ftp_upload/53623/53623fig3large.jpg" target="_blank">この図の拡大版をご覧になるにはこちらをクリックしてください。</a> <img alt="図4" src="/files/ftp_upload/53623/53623fig4.jpg" /> 非常に伸縮性と導電性の金属導体の製造プロセスの図4の模式図である。（A）図に示すように試料を調製します。 （B）PU基板に転写される前に、化学はんだ付けAgNW薄膜のSEM像。<html> 53623fig4large.jpg「ターゲット= &quot;_空白&quot;&gt;この図の拡大版をご覧になるにはこちらをクリックしてください。 <img alt="図5" src="/files/ftp_upload/53623/53623fig5.jpg" /> 図5は、unsolderedの電気抵抗のテスト。比較をストレッチし、延伸条件の下で様々な溶射AgNW量のAgNW薄膜をハンダ付け。 <a href="https://www-jove-com.remotexs.ntu.edu.sg/files/ftp_upload/53623/53623fig5large.jpg" target="_blank">この図の拡大版をご覧になるにはこちらをクリックしてください。</a> <img alt="図6" src="/files/ftp_upload/53623/53623fig6.jpg" /> 6.安定性試験図。三角波の伸長サイクルの下でフィルムを延伸する抵抗応答プロファイル。脈動歪速度10秒-1です。テストサンプルは、15噴霧サイクルのAgNW薄膜から形成されています。S / ftp_upload / 53623 / 53623fig6large.jpg「ターゲット= &quot;_空白&quot;&gt;この図の拡大版をご覧になるにはこちらをクリックしてください。 <img alt="図7" src="/files/ftp_upload/53623/53623fig7.jpg" /> 様々なひずみ条件下での伸縮性導体に接続されたLEDの光の図7.ビデオが。延伸導体に起因するLEDの輝度変化は、図に示されています。テストサンプルは15噴霧サイクルのAgNW薄膜から作られています<a href="https://www-jove-com.remotexs.ntu.edu.sg/files/ftp_upload/53623/Figure7.mp4">。（右クリックしてダウンロード）</a>

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A Fabrication Method for Highly Stretchable Conductors with Silver Nanowires

A simple synthesis method is used to chemically solder silver nanowire thin film to fabricate highly stretchable and conductive metal conductors.

シルバーナノワイヤーと伸縮性の高い導体の製造方法

Stretchable electronics are identified as a key technology for electronic applications in the next generation. One of the challenges in fabrication of ...

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A Method to Fabricate Disconnected Silver Nanostructures in 3D

The standard nanofabrication toolkit includes techniques primarily aimed at creating 2D patterns in dielectric media. Creating metal patterns on a submicron scale requires a combination of nanofabrication tools and several material processing steps. For example, steps to create planar metal structures using ultraviolet photolithography and electron-beam lithography can include sample exposure, sample development, metal deposition, and metal liftoff. To create 3D metal structures, the sequence is repeated multiple times. The complexity and difficulty of stacking and aligning multiple layers limits practical implementations of 3D metal structuring using standard nanofabrication tools. Femtosecond-laser direct-writing has emerged as a pre-eminent technique for 3D nanofabrication.1,2 Femtosecond lasers are frequently used to create 3D patterns in polymers and glasses.3-7 However, 3D metal direct-writing remains a challenge. Here, we describe a method to fabricate silver nanostructures embedded inside a polymer matrix using a femtosecond laser centered at 800 nm. The method enables the fabrication of patterns not feasible using other techniques, such as 3D arrays of disconnected silver voxels.8 Disconnected 3D metal patterns are useful for metamaterials where unit cells are not in contact with each other,9 such as coupled metal dot10,11or coupled metal rod12,13 resonators. Potential applications include negative index metamaterials, invisibility cloaks, and perfect lenses.
In femtosecond-laser direct-writing, the laser wavelength is chosen such that photons are not linearly absorbed in the target medium. When the laser pulse duration is compressed to the femtosecond time scale and the radiation is tightly focused inside the target, the extremely high intensity induces nonlinear absorption. Multiple photons are absorbed simultaneously to cause electronic transitions that lead to material modification within the focused region. Using this approach, one can form structures in the bulk of a material rather than on its surface.
Most work on 3D direct metal writing has focused on creating self-supported metal structures.14-16 The method described here yields sub-micrometer silver structures that do not need to be self-supported because they are embedded inside a matrix. A doped polymer matrix is prepared using a mixture of silver nitrate (AgNO3), polyvinylpyrrolidone (PVP) and water (H2O). Samples are then patterned by irradiation with an 11-MHz femtosecond laser producing 50-fs pulses. During irradiation, photoreduction of silver ions is induced through nonlinear absorption, creating an aggregate of silver nanoparticles in the focal region. Using this approach we create silver patterns embedded in a doped PVP matrix. Adding 3D translation of the sample extends the patterning to three dimensions.

Femtosecond-laser direct-writing is frequently used to create three-dimensional (3D) patterns in polymers and glasses. However, patterning metals in 3D remains a challenge. We describe a method for fabricating silver nanostructures embedded inside a polymer matrix using a femtosecond laser centered at 800 nm.

3Dで切断された銀ナノ構造体を製造する方法

The standard nanofabrication toolkit includes  techniques primarily aimed at creating 2D patterns in dielectric media. Creating  metal patterns on a ...

工学

Monolayer Contact Doping of Silicon Surfaces and Nanowires Using Organophosphorus Compounds

Monolayer Contact Doping (MLCD) is a simple method for doping of surfaces and nanostructures1. MLCD results in the formation of highly controlled, ultra shallow and sharp doping profiles at the nanometer scale. In MLCD process the dopant source is a monolayer containing dopant atoms.
In this article a detailed procedure for surface doping of silicon substrate as well as silicon nanowires is demonstrated. Phosphorus dopant source was formed using tetraethyl methylenediphosphonate monolayer on a silicon substrate. This monolayer containing substrate was brought to contact with a pristine intrinsic silicon target substrate and annealed while in contact. Sheet resistance of the target substrate was measured using 4 point probe. Intrinsic silicon nanowires were synthesized by chemical vapor deposition (CVD) process using a vapor-liquid-solid (VLS) mechanism; gold nanoparticles were used as catalyst for nanowire growth. The nanowires were suspended in ethanol by mild sonication. This suspension was used to dropcast the nanowires on silicon substrate with a silicon nitride dielectric top layer. These nanowires were doped with phosphorus in similar manner as used for the intrinsic silicon wafer. Standard photolithography process was used to fabricate metal electrodes for the formation of nanowire based field effect transistor (NW-FET). The electrical properties of a representative nanowire device were measured by a semiconductor device analyzer and a probe station.

A detailed procedure for surface doping of Silicon interfaces is provided. The ultra-shallow surface doping is demonstrated by using phosphorus containing monolayers and rapid annealing process. The method can be used for doping of macroscopic area surfaces as well as nanostructures.

Monolayer Contact Doping (MLCD) is a simple method for doping of surfaces and nanostructures1. MLCD results in the formation of highly controlled, ultra ...

Evaluating Plasmonic Transport in Current-carrying Silver Nanowires

Plasmonics is an emerging technology capable of simultaneously transporting a plasmonic signal and an electronic signal on the same information support1,2,3. In this context, metal nanowires are especially desirable for realizing dense routing networks4. A prerequisite to operate such shared nanowire-based platform relies on our ability to electrically contact individual metal nanowires and efficiently excite surface plasmon polaritons5 in this information support. In this article, we describe a protocol to bring electrical terminals to chemically-synthesized silver nanowires6 randomly distributed on a glass substrate7. The positions of the nanowire ends with respect to predefined landmarks are precisely located using standard optical transmission microscopy before encapsulation in an electron-sensitive resist. Trenches representing the electrode layout are subsequently designed by electron-beam lithography. Metal electrodes are then fabricated by thermally evaporating a Cr/Au layer followed by a chemical lift-off. The contacted silver nanowires are finally transferred to a leakage radiation microscope for surface plasmon excitation and characterization8,9. Surface plasmons are launched in the nanowires by focusing a near infrared laser beam on a diffraction-limited spot overlapping one nanowire extremity5,9. For sufficiently large nanowires, the surface plasmon mode leaks into the glass substrate9,10. This leakage radiation is readily detected, imaged, and analyzed in the different conjugate planes in leakage radiation microscopy9,11. The electrical terminals do not affect the plasmon propagation. However, a current-induced morphological deterioration of the nanowire drastically degrades the flow of surface plasmons. The combination of surface plasmon leakage radiation microscopy with a simultaneous analysis of the nanowire electrical transport characteristics reveals the intrinsic limitations of such plasmonic circuitry.

Silver nanowires can simultaneously transport electrons and optical information in the form of surface plasmons. A procedure is described here to realize such a shared circuitry and the limitations at propagating both information carriers are evaluated.

Plasmonics is an emerging technology capable of simultaneously transporting a plasmonic signal and an electronic signal on the same information ...

Preparation and Use of Photocatalytically Active Segmented Ag|ZnO and Coaxial TiO2-Ag Nanowires Made by Templated Electrodeposition

Photocatalytically active nanostructures require a large specific surface area with the presence of many catalytically active sites for the oxidation and reduction half reactions, and fast electron (hole) diffusion and charge separation. Nanowires present suitable architectures to meet these requirements. Axially segmented Ag|ZnO and radially segmented (coaxial) TiO2-Ag nanowires with a diameter of 200 nm and a length of 6-20 &#181;m were made by templated electrodeposition within the pores of polycarbonate track-etched (PCTE) or anodized aluminum oxide (AAO) membranes, respectively. In the photocatalytic experiments, the ZnO and TiO2 phases acted as photoanodes, and Ag as cathode. No external circuit is needed to connect both electrodes, which is a key advantage over conventional photo-electrochemical cells. For making segmented Ag|ZnO nanowires, the Ag salt electrolyte was replaced after formation of the Ag segment to form a ZnO segment attached to the Ag segment. For making coaxial TiO2-Ag nanowires, a TiO2 gel was first formed by the electrochemically induced sol-gel method. Drying and thermal annealing of the as-formed TiO2 gel resulted in the formation of crystalline TiO2 nanotubes. A subsequent Ag electrodeposition step inside the TiO2 nanotubes resulted in formation of coaxial TiO2-Ag nanowires. Due to the combination of an n-type semiconductor (ZnO or TiO2) and a metal (Ag) within the same nanowire, a Schottky barrier was created at the interface between the phases. To demonstrate the photocatalytic activity of these nanowires, the Ag|ZnO nanowires were used in a photocatalytic experiment in which H2 gas was detected upon UV illumination of the nanowires dispersed in a methanol/water mixture. After 17 min&#160;of illumination, approximately 0.2 vol% H2 gas was detected from a suspension of ~0.1 g of Ag|ZnO nanowires in a 50 ml 80 vol% aqueous methanol solution.

Preparation and Use of Photocatalytically Active Segmented Ag|ZnO and Coaxial TiO2-Ag Nanowires Made by Templated Electrodeposition

Procedures are outlined to prepare segmented and coaxial nanowires via templated electrodeposition in nanopores. As examples, segmented nanowires consisting of Ag and ZnO segments, and coaxial nanowires consisting of a TiO2 shell and a Ag core were made. The nanowires were used in photocatalytic hydrogen formation experiments.

ZnOと同軸のTiO |光触媒活性セグメント化銀の調製および使用<sub&gt; 2</subテンプレート化電製&gt; - 銀ナノワイヤー

Photocatalytically active nanostructures require a large specific surface area with the presence of many catalytically active sites for the oxidation and ...

Atomically Traceable Nanostructure Fabrication

Reducing the scale of etched nanostructures below the 10 nm range eventually will require an atomic scale understanding of the entire fabrication process being used in order to maintain exquisite control over both feature size and feature density. Here, we demonstrate a method for tracking atomically resolved and controlled structures from initial template definition through final nanostructure metrology, opening up a pathway for top-down atomic control over nanofabrication. Hydrogen depassivation lithography is the first step of the nanoscale fabrication process followed by selective atomic layer deposition of up to 2.8 nm of titania to make a nanoscale etch mask. Contrast with the background is shown, indicating different mechanisms for growth on the desired patterns and on the H passivated background. The patterns are then transferred into the bulk using reactive ion etching to form 20 nm tall nanostructures with linewidths down to ~6 nm. To illustrate the limitations of this process, arrays of holes and lines are fabricated. The various nanofabrication process steps are performed at disparate locations, so process integration is discussed. Related issues are discussed including using fiducial marks for finding nanostructures on a macroscopic sample and protecting the chemically reactive patterned Si(100)-H surface against degradation due to atmospheric exposure.

We report a protocol for combining the atomic metrology of the Scanning Tunneling Microscope for surface patterning with selective Atomic Layer Deposition and Reactive Ion Etching. Using a robust process involving numerous atmospheric exposures and transport, 3D nanostructures with atomic metrology are fabricated.

アトミックトレーサブルナノ構造作製

Reducing the scale of etched nanostructures below the 10 nm range eventually will require an atomic scale understanding of the entire fabrication process ...

Fabrication Process of Silicone-based Dielectric Elastomer Actuators

This contribution demonstrates the fabrication process of dielectric elastomer transducers (DETs). DETs are stretchable capacitors consisting of an elastomeric dielectric membrane sandwiched between two compliant electrodes. The large actuation strains of these transducers when used as actuators (over 300% area strain) and their soft and compliant nature has been exploited for a wide range of applications, including electrically tunable optics, haptic feedback devices, wave-energy harvesting, deformable cell-culture devices, compliant grippers, and propulsion of a bio-inspired fish-like airship. In most cases, DETs are made with a commercial proprietary acrylic elastomer and with hand-applied electrodes of carbon powder or carbon grease. This combination leads to non-reproducible and slow actuators exhibiting viscoelastic creep and a short lifetime. We present here a complete process flow for the reproducible fabrication of DETs based on thin elastomeric silicone films, including casting of thin silicone membranes, membrane release and prestretching, patterning of robust compliant electrodes, assembly and testing. The membranes are cast on flexible polyethylene terephthalate (PET) substrates coated with a water-soluble sacrificial layer for ease of release. The electrodes consist of carbon black particles dispersed into a silicone matrix and patterned using a stamping technique, which leads to precisely-defined compliant electrodes that present a high adhesion to the dielectric membrane on which they are applied.

This manuscript shows the fabrication process for the manufacture of dielectric elastomer soft actuators based on silicone membranes. The three key stages of production are presented in detail: blade casting of thin silicone membranes; pad printing of compliant electrodes; and the assembly of all the components.

シリコーン系誘電エラストマーアクチュエータの製造工程

This contribution demonstrates the fabrication process of dielectric elastomer transducers (DETs). DETs are stretchable capacitors consisting of an ...

Solvent Bonding for Fabrication of PMMA and COP Microfluidic Devices

Thermoplastic microfluidic devices offer many advantages over those made from silicone elastomers, but bonding procedures must be developed for each thermoplastic of interest. Solvent bonding is a simple and versatile method that can be used to fabricate devices from a variety of plastics. An appropriate solvent is added between two device layers to be bonded, and heat and pressure are applied to the device to facilitate the bonding. By using an appropriate combination of solvent, plastic, heat, and pressure, the device can be sealed with a high quality bond, characterized as having high bond coverage, bond strength, optical clarity, durability over time, and low deformation or damage to microfeature geometry. We describe the procedure for bonding devices made from two popular thermoplastics, poly(methyl-methacrylate) (PMMA), and cyclo-olefin polymer (COP), as well as a variety of methods to characterize the quality of the resulting bonds, and strategies to troubleshoot low quality bonds. These methods can be used to develop new solvent bonding protocols for other plastic-solvent systems.

Solvent bonding is a simple and versatile method for fabricating thermoplastic microfluidic devices with high quality bonds. We describe a protocol to achieve strong, optically clear bonds in PMMA and COP microfluidic devices that preserve microfeature details, by a judicious combination of pressure, temperature, an appropriate solvent, and device geometry.

PMMAおよびCOPマイクロ流体デバイスの作製のための溶剤接着

Thermoplastic microfluidic devices offer many advantages over those made from silicone elastomers, but bonding procedures must be developed for each ...

Challenges in Rheological Characterization of Highly Concentrated Suspensions &#8212; A Case Study for Screen-printing Silver Pastes

A comprehensive rheological characterization of highly concentrated suspensions or pastes is mandatory for a targeted product development meeting the manifold requirements during processing and application of such complex fluids. In this investigation, measuring protocols for a conclusive assessment of different process relevant rheological parameters have been evaluated. This includes the determination of yield stress, viscosity, wall slip velocity, structural recovery after large deformation and elongation at break as well as tensile force during filament stretching.
The importance of concomitant video recordings during parallel-plate rotational rheometry for a significant determination of rheological quantities is demonstrated. The deformation profile and flow field at the sample edge can be determined using appropriate markers. Thus, measurement parameter settings and plate roughness values can be identified for which yield stress and viscosity measurements are possible. Slip velocity can be measured directly and measuring conditions at which plug flow, shear banding or sample spillover occur can be identified clearly. 
Video recordings further confirm that the change in shear moduli observed during three stage oscillatory shear tests with small deformation amplitude in stage I and III but large oscillation amplitude in stage II can be directly attributed to structural break down and recovery. For the pastes investigated here, the degree of irreversible, shear-induced structural change increases with increasing deformation amplitude in stage II until a saturation is reached at deformations corresponding to the crossover of G' and G'', but the irreversible damage is independent of the duration of large amplitude shear. 
A capillary breakup elongational rheometer and a tensile tester have been used to characterize deformation and breakup behavior of highly filled pastes in uniaxial elongation. Significant differences were observed in all experiments described above for two commercial screen-printing silver pastes used for front side metallization of Si-solar cells.

A protocol for a robust and application relevant rheological characterization of highly concentrated suspensions is presented. Silver pastes used for screen-printing application in solar cell production are employed as model systems.

高度に濃縮された懸濁液のレオロジー特性評価における課題 - スクリーン印刷シルバーペーストのためのケーススタディ

A comprehensive rheological characterization of highly concentrated suspensions or pastes is mandatory for a targeted product development meeting the ...

Fabrication of Ultra-thin Color Films with Highly Absorbing Media Using Oblique Angle Deposition

Ultra-thin film structures have been studied extensively for use as optical coatings, but performance and fabrication challenges remain.&#160; We present an advanced method for fabricating ultra-thin color films with improved characteristics. The proposed process addresses several fabrication issues, including large area processing. Specifically, the protocol describes a process for fabricating ultra-thin color films using an electron beam evaporator for oblique angle deposition of germanium (Ge) and gold (Au) on silicon (Si) substrates.&#160; Film porosity produced by the oblique angle deposition induces color changes in the ultra-thin film. The degree of color change depends on factors such as deposition angle and film thickness. Fabricated samples of the ultra-thin color films showed improved color tunability and color purity. In addition, the measured reflectance of the fabricated samples was converted into chromatic values and analyzed in terms of color. Our ultra-thin film fabricating method is expected to be used for various ultra-thin film applications such as flexible color electrodes, thin film solar cells, and optical filters. Also, the process developed here for analyzing the color of the fabricated samples is broadly useful for studying various color structures.

We present a detailed method for fabricating ultra-thin color films with improved characteristics for optical coatings. The oblique angle deposition technique using an electron beam evaporator allows improved color tunability and purity. Fabricated films of Ge and Au on Si substrates were analyzed by reflectance measurements and color information conversion.

斜め蒸着を使用してメディアを高吸収極薄カラー フィルムの作製

Ultra-thin film structures have been studied extensively for use as optical coatings, but performance and fabrication challenges remain.&#160; We present ...

Flow-assisted Dielectrophoresis: A Low Cost Method for the Fabrication of High Performance Solution-processable Nanowire Devices

Flow-assisted dielectrophoresis (DEP) is an efficient self-assembly method for the controllable and reproducible positioning, alignment, and selection of nanowires. DEP is used for nanowire analysis, characterization, and for solution-based fabrication of semiconducting devices. The method works by applying an alternating electric field between metallic electrodes. The nanowire formulation is then dropped onto the electrodes which are on an inclined surface to create a flow of the formulation using gravity. The nanowires then align along the gradient of the electric field and in the direction of the liquid flow. The frequency of the field can be adjusted to select nanowires with superior conductivity and lower trap density. 
In this work, flow-assisted DEP is used to create nanowire field effect transistors. Flow-assisted DEP has several advantages: it allows selection of nanowire electrical properties; control of nanowire length; placement of nanowires in specific areas; control of orientation of nanowires; and control of nanowire density in the device. 
The technique can be expanded to many other applications such as gas sensors and microwave switches. The technique is efficient, quick, reproducible, and it uses a minimal amount of dilute solution making it ideal for the testing of novel nanomaterials. Wafer scale assembly of nanowire devices can also be achieved using this technique, allowing large numbers of samples for testing and large-area electronic applications.

In this paper, flow assisted dielectrophoresis is demonstrated for the self-assembly of nanowire devices. The fabrication of a silicon nanowire field effect transistor is shown as an example.

誘電泳動の流れ支援: 高性能低温硬化型ナノワイヤ デバイス作製のための低コストの方法

Flow-assisted dielectrophoresis (DEP) is an efficient self-assembly method for the controllable and reproducible positioning, alignment, and selection of ...