Fuente: Faisal Alamgir, School of Materials Science and Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA
La espectroscopia de fotoelectrón de rayos X (XPS) es una técnica que mide la composición elemental, la fórmula empírica, el estado químico y el estado electrónico de los elementos que existen dentro de un material. Los espectros XPS se obtienen irradiando un material con un haz de rayos X mientras se mide simultáneamente la energía cinética y el número de electrones que escapan de los primeros nanómetros del material que se está analizando (dentro de los 10 nm superiores, para la cinética típica energías de los electrones). Debido al hecho de que los electrones de señal escapan predominantemente de dentro de los primeros nanómetros del material, XPS se considera una técnica analítica de superficie.
El descubrimiento y la aplicación de los principios físicos detrás de XPS o, como se conocía anteriormente, la espectroscopia de electrones para el análisis químico (ESCA), dio lugar a dos premios Nobel de física. El primero fue otorgado en 1921 a Albert Einstein por su explicación del efecto fotoeléctrico en 1905. El efecto fotoeléctrico sustenta el proceso por el cual se genera la señal en XPS. Mucho más tarde, Kai Siegbahn desarrolló ESCA basado en algunos de los primeros trabajos de Innes, Moseley, Rawlinson y Robinson, y grabó, en 1954, el primer espectro XPS de alta resolución de energía de NaCl. Una nueva demostración del poder de ESCA/XPS para el análisis químico, junto con el desarrollo de la instrumentación asociada para la técnica, condujo al primer instrumento monocromático XPS comercial en 1969 y al Premio Nobel de Física en 1981 a Siegbahn en reconocimiento a sus extensos esfuerzos para desarrollar la técnica como herramienta analítica.
En XPS, los rayos X incidentes de una fuente, típicamente Al Ko, con una energía fotónica de 1486.7 eV, irradian una muestra y, cumpliendo con las energías de unión umbral de algunos (si no todos) de los electrones centrales en los átomos constituyentes en un material, expulsan estos electrones centrales más allá de la energía Fermi (E_f). Es una fluorescencia de rayos X específica emitida durante la relajación de los átomos de Al que han sido llevadas a estados excitados a través de la expulsión de sus 1s electrones. Si la energía de los rayos X de origen (Es) es lo suficientemente alta, entonces el electrón central puede cumplir con la función de trabajo de umbral (o) necesaria para superar el nivel de vacío (E_vac)y emerger con energía cinética remanente. Estos electrones se llaman fotoelectrones, y siempre que estén lo suficientemente cerca de la superficie, pueden emerger de la superficie de la muestra y ser recogidos por un detector de electrones que discrimina energía. Este detector mide la energía cinética del fotoelectrón (KE), que se puede utilizar para calcular la energía de unión (BE) de los electrones:
BE = ES-Φ - KE
Debido a que la trayectoria libre media inelástica (IMFP) de los electrones de señal es sólo unos pocos nanómetros (es decir, la distancia media que los electrones viajan entre eventos de dispersión inelástica es unos pocos nanómetros XPS requiere condiciones de vacío ultra-alto (UHV) dentro de la cámara de medición. Los límites de detección para la mayoría de los elementos están en el orden de las piezas por rango de mil (1.000 PPM). Con el fin de lograr mejores límites de detección de partes por millón (ppm), la técnica requiere una alta concentración de la especie que se detecta en la superficie superior o un tiempo de recolección muy largo (varias horas). Los datos resultantes serán en forma de un espectro donde una intensidad (que representa los recuentos por segundo de electrones golpeando el detector) frente a la energía de unión. Siempre que la fuente de rayos X sea lo suficientemente energética como para expulsar electrones de estados electrónicos particulares de los átomos en el material, habrá uno o más picos correspondientes en el espectro. El BE de un determinado pico de un elemento en el espectro puede entonces compararse con los de los materiales de referencia, o con los valores tabulados en las bases de datos, con el fin de determinar el "estado químico" de ese elemento en la muestra. La intensidad de un determinado pico elemental es, por supuesto, proporcional a la concentración de ese elemento en la muestra. Sin embargo, debido a que las probabilidades de ionizar diferentes estados de electrones varían, la conversión de los recuentos medidos bajo picos espectrales a valores de concentraciones requerirá la normalización de los recuentos por "factores de sensibilidad" que corrige para estos probabilidades diferentes.
El sistema XPS puede acomodar películas delgadas, muestras a granel de hasta 1 cm de grosor y muestras de polvo. La etapa de la muestra aquí es de 60 mm por 60 mm y puede contener tantas muestras como caben en esta área. Las películas pueden ser inorgánicas u orgánicas/biológicas siempre y cuando estén secas.
El siguiente procedimiento se aplica a un instrumento XPS específico y su software asociado, y puede haber algunas variaciones cuando se utilizan otros instrumentos.
La Figura 1 muestra un espectro de encuestas de la muestra, mostrando claramente las emisiones de Pt, Si, C y O. En la Figura 2,vemos el escaneo de alta resolución de los picos Pt 4f7/2 y 4f5/2 de la muestra. Las energías de unión de cada uno de los picos de nivel central se pueden comparar con las que se encuentran en bases de datos como la mantenida por el Instituto Nacional de Estándares y Tecnología (NIST) (en https://srdata.nist.gov/xps/Default.aspx). Los cambios sutiles en la energía de unión en relación con los de los compuestos de referencia en la base de datos pueden revelar el estado químico de cada uno de los elementos de la muestra. La relación de intensidad de los picos revelará la composición de la superficie.
Figura 1: Un espectro de encuesta de la muestra, que muestra claramente las emisiones de Pt, Si, C y O.
Figura 2:Escaneo de alta resolución de los picosPt 4f7/2 y 4f5/2 de la muestra.
XPS es una técnica de análisis químico de superficie que es versátil en el rango de muestras que se puede utilizar para investigar. La técnica proporciona cuantificación de la composición química, el estado químico y la estructura electrónica ocupada de los átomos dentro de un material.
XPS proporciona elemental la composición de la superficie (dentro de 1-10 nm por lo general), y se puede utilizar para determinar la fórmula empírica de los compuestos de superficie, la identidad de los elementos que contaminan una superficie, el estado químico o electrónico de cada elemento en el la uniformidad de la composición a través de la superficie superior y a través de la profundidad (mediante el fresado secuencial en el material y la toma de datos XPS de la nueva superficie expuesta).
Habitualmente, XPS se utiliza para analizar una amplia gama de materiales, por ejemplo aleaciones de metal, otros compuestos inorgánicos como cerámica, polímeros, semiconductores, catalizadores, vasos, partes de materiales biológicos de plantas como células, huesos y muchos otros.
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