JoVE Logo

Войдите в систему

12.16 : Характеристики MOSFET

Полевые транзисторы металл-оксид-полупроводник, или MOSFET, играют решающую роль в электронных схемах. Они в основном используются для усиления и переключения сигналов.

Различные жизненно важные параметры влияют на их функциональность, что имеет решающее значение для теории и электронных приложений. Во-первых, решающее значение имеют размеры канала, а именно длина и ширина. Размер этих каналов влияет на способность транзистора проводить ток и скорость переключения; более короткие каналы обычно обеспечивают более быструю работу. Далее, толщина оксида, слоя диоксида кремния, отделяющего затвор от канала, модулирует контроль затвора над каналом. Более тонкие оксиды увеличивают емкость затвора, улучшая этот контроль.

Другим важным фактором является глубина перехода и легирование подложки, которые регулируют пороговое напряжение MOSFET и контролируют токи утечки. Легирование изменяет свойства полупроводника за счет введения примесей.

В эксплуатации MOSFET имеют три различные области в зависимости от напряжения затвор-исток.

  • В области отсечки транзистор выключен, поэтому между истоком и стоком нет проводящего пути, что ограничивает ток минимальной обратной утечкой.
  • Линейная область появляется, когда V_GS превышает пороговое значение и V_DS (напряжение сток-исток) становится низким. Здесь транзистор действует как переменный резистор, где ток стока (I_D) прямо пропорционален V_DS, модулированному V_GS.
  • В области насыщения плато I_D, несмотря на увеличение VDS, из-за эффекта защемления, когда канал возле стока сужается, ограничивая дальнейший ток.

Эти условия эксплуатации определяют, как транзисторы MOSFET реализуются в схемах, особенно там, где требуется точное электронное управление.

Теги

MOSFETMetal oxide semiconductorField effect TransistorElectronic CircuitsSignal AmplificationSwitching SignalsChannel DimensionsOxide ThicknessGate CapacitanceJunction DepthSubstrate DopingThreshold VoltageLeakage CurrentsCutoff RegionLinear RegionSaturation RegionDrain Current

Из главы 12:

article

Now Playing

12.16 : Характеристики MOSFET

Transistors

329 Просмотры

article

12.1 : Биполярный транзистор.

Transistors

500 Просмотры

article

12.2 : Конфигурации биполярных переходных транзисторов

Transistors

362 Просмотры

article

12.3 : Принцип работы BJT

Transistors

363 Просмотры

article

12.4 : Характеристики BJT

Transistors

612 Просмотры

article

12.5 : Режимы работы BJT

Transistors

918 Просмотры

article

12.6 : Частотная характеристика BJT

Transistors

702 Просмотры

article

12.7 : Предельная частота BJT

Transistors

612 Просмотры

article

12.8 : Переключение BJT

Transistors

359 Просмотры

article

12.9 : BJT-усилители

Transistors

323 Просмотры

article

12.10 : Анализ малых сигналов биполярных переходных транзисторных усилителей (BJT)

Transistors

928 Просмотры

article

12.11 : Полевой транзистор

Transistors

285 Просмотры

article

12.12 : Характеристики JFET

Transistors

352 Просмотры

article

12.13 : Смещение полевых транзисторов (FET)

Transistors

208 Просмотры

article

12.14 : МОП-конденсатор

Transistors

678 Просмотры

See More

JoVE Logo

Исследования

Образование

О JoVE

Авторские права © 2025 MyJoVE Corporation. Все права защищены