Полевые транзисторы металл-оксид-полупроводник, или MOSFET, играют решающую роль в электронных схемах. Они в основном используются для усиления и переключения сигналов.
Различные жизненно важные параметры влияют на их функциональность, что имеет решающее значение для теории и электронных приложений. Во-первых, решающее значение имеют размеры канала, а именно длина и ширина. Размер этих каналов влияет на способность транзистора проводить ток и скорость переключения; более короткие каналы обычно обеспечивают более быструю работу. Далее, толщина оксида, слоя диоксида кремния, отделяющего затвор от канала, модулирует контроль затвора над каналом. Более тонкие оксиды увеличивают емкость затвора, улучшая этот контроль.
Другим важным фактором является глубина перехода и легирование подложки, которые регулируют пороговое напряжение MOSFET и контролируют токи утечки. Легирование изменяет свойства полупроводника за счет введения примесей.
В эксплуатации MOSFET имеют три различные области в зависимости от напряжения затвор-исток.
Эти условия эксплуатации определяют, как транзисторы MOSFET реализуются в схемах, особенно там, где требуется точное электронное управление.
Из главы 12:
Now Playing
Transistors
329 Просмотры
Transistors
500 Просмотры
Transistors
362 Просмотры
Transistors
363 Просмотры
Transistors
612 Просмотры
Transistors
918 Просмотры
Transistors
702 Просмотры
Transistors
612 Просмотры
Transistors
359 Просмотры
Transistors
323 Просмотры
Transistors
928 Просмотры
Transistors
285 Просмотры
Transistors
352 Просмотры
Transistors
208 Просмотры
Transistors
678 Просмотры
See More
Авторские права © 2025 MyJoVE Corporation. Все права защищены