Полевые транзисторы металл-оксид-полупроводник, или MOSFET, играют решающую роль в электронных схемах. Они в основном используются для усиления и переключения сигналов.
Различные жизненно важные параметры влияют на их функциональность, что имеет решающее значение для теории и электронных приложений. Во-первых, решающее значение имеют размеры канала, а именно длина и ширина. Размер этих каналов влияет на способность транзистора проводить ток и скорость переключения; более короткие каналы обычно обеспечивают более быструю работу. Далее, толщина оксида, слоя диоксида кремния, отделяющего затвор от канала, модулирует контроль затвора над каналом. Более тонкие оксиды увеличивают емкость затвора, улучшая этот контроль.
Другим важным фактором является глубина перехода и легирование подложки, которые регулируют пороговое напряжение MOSFET и контролируют токи утечки. Легирование изменяет свойства полупроводника за счет введения примесей.
В эксплуатации MOSFET имеют три различные области в зависимости от напряжения затвор-исток.
Эти условия эксплуатации определяют, как транзисторы MOSFET реализуются в схемах, особенно там, где требуется точное электронное управление.
Из главы 12:
Now Playing
Transistors
334 Просмотры
Transistors
511 Просмотры
Transistors
372 Просмотры
Transistors
374 Просмотры
Transistors
622 Просмотры
Transistors
937 Просмотры
Transistors
721 Просмотры
Transistors
623 Просмотры
Transistors
363 Просмотры
Transistors
330 Просмотры
Transistors
947 Просмотры
Transistors
292 Просмотры
Transistors
364 Просмотры
Transistors
212 Просмотры
Transistors
688 Просмотры
See More
Авторские права © 2025 MyJoVE Corporation. Все права защищены