JoVE Logo

Zaloguj się

12.6 : Odpowiedź na częstotliwość tranzystora BJT

Charakterystyka częstotliwościowa tranzystora bipolarnego (BJT) w konfiguracji ze wspólnym emiterem ma kluczowe znaczenie dla jego funkcjonalności, szczególnie w zastosowaniach obejmujących wzmacnianie sygnałów prądu przemiennego (AC). Odpowiedź tę można analizować za pomocą obwodów zastępczych niskiej i wysokiej częstotliwości, biorąc pod uwagę różne parametry wewnętrzne i warunki zewnętrzne.

Odpowiedź dla niskiej częstotliwości: Przy niskich częstotliwościach zachowanie BJT jest określone przez jego punkt polaryzacji DC, który jest ustalany przez napięcie podstawy emitera, prąd bazy i prąd kolektora. Linię obciążenia, która ma wpływ na pracę wzmacniacza, wyznacza się także przyłożonym napięciem i rezystancją obciążenia. W tym zakresie, gdy na napięcie wejściowe zostanie nałożony niewielki sygnał prądu przemiennego, prąd bazowy zmienia się w czasie, co prowadzi do odpowiednich zmian prądu wyjściowego. Do parametrów krytycznych obwodu zastępczego niskiej częstotliwości należą rezystancje i transkonduktancja — ta ostatnia opisuje zależność między zmianami prądu kolektora (IC) a napięciem podstawy emitera (VEB).

Odpowiedź na wysoką częstotliwość: Wraz ze wzrostem częstotliwości sygnału wejściowego, obwód zastępczy BJT musi uwzględniać dodatkowe elementy, takie jak pojemności wyczerpywania i dyfuzji na złączu emiter-baza oraz pojemność wyczerpywania na złączu kolektor-baza. Te pojemności powodują przesunięcia fazowe i straty zależne od częstotliwości, komplikując zachowanie BJT. Wysokie częstotliwości uwzględniają również efekt modulacji szerokości podstawy, co skutkuje skończoną przewodnością wyjściową.

Obwód zastępczy wysokiej częstotliwości integruje te złożoności, zapewniając kompleksowy obraz działania tranzystora przy szybkich zmianach sygnału. Ten ulepszony obwód ma kluczowe znaczenie dla dokładnego przewidywania zachowania tranzystora w zastosowaniach wymagających dużej prędkości, co czyni go podstawą projektowania praktycznych wzmacniaczy i innych urządzeń elektronicznych.

Tagi

BJT Frequency ResponseLow frequency ResponseHigh frequency ResponseCommon emitter ConfigurationDC Bias PointLoad LineTransconductanceEmitter base Junction CapacitanceCollector base Junction CapacitanceBase Width ModulationHigh speed ApplicationsAmplifier Design

Z rozdziału 12:

article

Now Playing

12.6 : Odpowiedź na częstotliwość tranzystora BJT

Transistors

725 Wyświetleń

article

12.1 : Tranzystor bipolarny

Transistors

514 Wyświetleń

article

12.2 : Konfiguracje tranzystora bipolarnego (BJT)

Transistors

373 Wyświetleń

article

12.3 : Zasada działania tranzystorów bipolarnych (BJT)

Transistors

377 Wyświetleń

article

12.4 : Charakterystyka tranzystorów bipolarnych BJT

Transistors

622 Wyświetleń

article

12.5 : Tryby działania tranzystora bipolarnego (BJT)

Transistors

939 Wyświetleń

article

12.7 : Częstotliwość odcięcia tranzystora BJT

Transistors

626 Wyświetleń

article

12.8 : Przełączanie tranzystora BJT

Transistors

363 Wyświetleń

article

12.9 : Wzmacniacze tranzystorów BJT

Transistors

331 Wyświetleń

article

12.10 : Analiza małych sygnałów wzmacniaczy BJT

Transistors

950 Wyświetleń

article

12.11 : Tranzystor polowy (FET)

Transistors

294 Wyświetleń

article

12.12 : Charakterystyka tranzystora JFET

Transistors

368 Wyświetleń

article

12.13 : Polaryzacja w tranzystorach FET

Transistors

212 Wyświetleń

article

12.14 : Kondensator MOS

Transistors

692 Wyświetleń

article

12.15 : MOSFET

Transistors

417 Wyświetleń

See More

JoVE Logo

Prywatność

Warunki Korzystania

Zasady

Badania

Edukacja

O JoVE

Copyright © 2025 MyJoVE Corporation. Wszelkie prawa zastrzeżone