JoVE Logo

Iniciar sesión

12.6 : Respuesta de frecuencia de BJT

La respuesta de frecuencia de un transistor de unión bipolar (BJT) en una configuración de emisor común es fundamental para su funcionalidad, especialmente en aplicaciones que implican amplificación de señales de corriente alterna (CA). Esta respuesta se puede analizar a través de circuitos equivalentes de baja y alta frecuencia, considerando diversos parámetros internos y condiciones externas.

Respuesta de baja frecuencia: a bajas frecuencias, el comportamiento del BJT está determinado por su punto de polarización de CC, que se establece mediante el voltaje del emisor-base, la corriente de la base y la corriente del colector. La línea de carga, que influye en el funcionamiento del amplificador, también está definida por la tensión aplicada y la resistencia de carga. En este rango, cuando se superpone una pequeña señal de CA al voltaje de entrada, la corriente base fluctúa con el tiempo, lo que genera las variaciones correspondientes en la corriente de salida. Los parámetros críticos en el circuito equivalente de baja frecuencia incluyen resistencias y transconductancia; esta última describe la relación entre los cambios en la corriente del colector (I_C) y el voltaje emisor-base (V_EB).

Respuesta de alta frecuencia: a medida que aumenta la frecuencia de la señal de entrada, el circuito equivalente del BJT debe tener en cuenta elementos adicionales como capacidades de agotamiento y difusión en la unión emisor-base y una capacitancia de agotamiento en la unión colector-base. Estas capacitancias introducen cambios de fase y pérdidas dependientes de la frecuencia, lo que complica el comportamiento del BJT. Las frecuencias altas también tienen en cuenta el efecto de modulación de ancho de base, lo que da como resultado una conductancia de salida finita.

El circuito equivalente de alta frecuencia integra estas complejidades, proporcionando una visión integral del rendimiento del transistor ante cambios rápidos de señal. Este circuito mejorado es crucial para predecir con precisión el comportamiento del transistor en aplicaciones de alta velocidad, lo que lo hace fundamental para diseñar amplificadores prácticos y otros dispositivos electrónicos.

Tags

BJT Frequency ResponseLow frequency ResponseHigh frequency ResponseCommon emitter ConfigurationDC Bias PointLoad LineTransconductanceEmitter base Junction CapacitanceCollector base Junction CapacitanceBase Width ModulationHigh speed ApplicationsAmplifier Design

Del capítulo 12:

article

Now Playing

12.6 : Respuesta de frecuencia de BJT

Transistors

724 Vistas

article

12.1 : Transistor de unión bipolar

Transistors

511 Vistas

article

12.2 : Configuraciones de BJT

Transistors

373 Vistas

article

12.3 : Principio de funcionamiento de BJT

Transistors

376 Vistas

article

12.4 : Características del BJT

Transistors

622 Vistas

article

12.5 : Modos de operación de BJT

Transistors

939 Vistas

article

12.7 : Frecuencia de corte de BJT

Transistors

624 Vistas

article

12.8 : Cambio de BJT

Transistors

363 Vistas

article

12.9 : Amplificadores BJT

Transistors

331 Vistas

article

12.10 : Análisis de pequeñas señales de amplificadores BJT

Transistors

950 Vistas

article

12.11 : Transistor de efecto de campo

Transistors

294 Vistas

article

12.12 : Características de JFET

Transistors

366 Vistas

article

12.13 : Sesgo de los FET

Transistors

212 Vistas

article

12.14 : Condensador MOS

Transistors

689 Vistas

article

12.15 : MOSFET

Transistors

417 Vistas

See More

JoVE Logo

Privacidad

Condiciones de uso

Políticas

Investigación

Educación

ACERCA DE JoVE

Copyright © 2025 MyJoVE Corporation. Todos los derechos reservados