La generación de corriente eléctrica en semiconductores está impulsada fundamentalmente por dos mecanismos: deriva y difusión. Estos procesos son esenciales para la funcionalidad y el rendimiento de los dispositivos basados en semiconductores.
Corriente de deriva:
La deriva de los portadores de carga se inicia mediante un campo eléctrico externo (E). Las partículas cargadas, como los electrones y los huecos, experimentan una aceleración entre colisiones con los átomos de la red. Para los electrones, esto da como resultado una velocidad de deriva (v_d) dada por:
Donde μ_e es la movilidad de los electrones y E es la intensidad del campo eléctrico.
La densidad de corriente (J) debida a la deriva de electrones (J_n) y huecos (J_p) se puede expresar como:
Donde q es la carga elemental, n y p, son las concentraciones de electrones y huecos, respectivamente, y μ_n y μ_p son las movilidades de electrones y huecos. La densidad de corriente de deriva total (J_total) es la suma de las densidades de corriente de electrones y huecos:
La conductancia (σ) es entonces la suma de los productos de densidad de carga y movilidad para cada tipo de portador:
Corriente de difusión:
La difusión se produce debido al movimiento térmico de los portadores, moviéndose desde regiones de mayor concentración a regiones de menor concentración. La densidad de corriente (J_difusión) es:
D_n y D_p son los coeficientes de difusión de electrones y huecos, respectivamente, y dn/dx y dp/dx son los gradientes de concentración de electrones y huecos.
Las relaciones de Einstein vinculan la movilidad y el coeficiente de difusión tanto para los electrones como para los huecos:
Donde k es la constante de Boltzmann y T es la temperatura absoluta.
Cuando están presentes tanto un campo eléctrico como un gradiente de concentración, la densidad de corriente total es la suma de los componentes de deriva y difusión. En aplicaciones del mundo real, estos fenómenos se analizan utilizando las ecuaciones de semiconductores, un conjunto de ecuaciones diferenciales que describen el comportamiento de los portadores de carga en un semiconductor.
Del capítulo 10:
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