JoVE Logo

Oturum Aç

12.13 : Yüzey Birleşimli Alan Etkili Transistörlerin (FET) Öngerilimlenmesi

Bir Kavşak Alan Etkili Transistörün (JFET) kutuplanması, operasyonel parametrelerin ayarlanması ve elektronik devrelerde verimli işleyişin sağlanması için çok önemlidir. JFET'ler, kanalın PN bağlantılarıyla çevrelendiği N-kanal veya P-kanal konfigürasyonlarında tek bir taşıyıcı tipinin kullanılmasıyla karakterize edilir. Bu bağlantılar, cihazın akım akışını kontrol etme yeteneğinin merkezinde yer alır.

Bir N-kanallı JFET'te yapı, P-tipi malzemeden yapılmış kapı ile P-tipi bir alt tabaka üzerinde kanalı oluşturan N-tipi malzemeden oluşur. Bu tip öngerilim, kaynağa göre geçide negatif bir voltajın uygulanmasını içerir. Bu negatif voltaj kanaldaki elektronları iterek kanalı daraltan ve iletkenliğini azaltan bir tükenme bölgesi oluşturur. Kanal genişliğinin bu manipülasyonu elektron akışını ve dolayısıyla akımı kontrol eder.

Tersine, bir P-kanalı JFET, her iki tarafında da N-tipi geçit malzemesi bulunan bir P-tipi yarı iletken kanala sahiptir. Bu yapıda, P-tipi kanala pozitif bir kapı voltajının uygulanması delikleri iter, tükenme bölgesini arttırır ve iletkenliği azaltır. Bu ters eğilim, cihaz üzerinden geçen akımın kontrol edilmesinde kritik öneme sahiptir.

Anahtar veya amplifikatör olarak kullanılan JFET'ler için etkili öngerilim esastır. Uygulanan geçit kaynağı voltajı, kanaldaki akım akışını yöneterek tükenme bölgesinin genişliğini hassas bir şekilde ayarlar. Ayrıca, JFET'lerin polarizasyonu aynı zamanda tipik olarak birkaç yüz ohm arasında değişen AC drenaj direnci gibi özellikleri ve transkondüktans ve amplifikasyon faktörü gibi parametreleri de etkiler.

Doğru öngerilimleme, JFET'in doygunluk veya kesinti gibi istenmeyen durumlarda çalışmasını önleyerek devrelerdeki performansını ve dayanıklılığını optimize eder.

Etiketler

JFETBiasingN channel JFETP channel JFETDepletion RegionChannel WidthCurrent FlowSwitchAmplifierDrain ResistanceTransconductanceAmplification Factor

Bölümden 12:

article

Now Playing

12.13 : Yüzey Birleşimli Alan Etkili Transistörlerin (FET) Öngerilimlenmesi

Transistörler

207 Görüntüleme Sayısı

article

12.1 : Bipolar Bağlantılı (Kavşak) Transistor

Transistörler

499 Görüntüleme Sayısı

article

12.2 : Bipolar Bağlantı Transistörleri Yapılandırmaları

Transistörler

359 Görüntüleme Sayısı

article

12.3 : Bipolar Bağlantı Transistörünin Çalışma Prensibi

Transistörler

360 Görüntüleme Sayısı

article

12.4 : Bipolar Bağlantı Transistörünün Özellikleri

Transistörler

606 Görüntüleme Sayısı

article

12.5 : BJT'nin Çalışma Modları

Transistörler

913 Görüntüleme Sayısı

article

12.6 : Bipolar Bağlantı Transistörünün Frekans Tepkisi

Transistörler

698 Görüntüleme Sayısı

article

12.7 : Bipolar Bağlantı Transistörlerinin Kesme Frekansı

Transistörler

610 Görüntüleme Sayısı

article

12.8 : Bipolar Bağlantı Transistörlerin Değiştirilmesi

Transistörler

359 Görüntüleme Sayısı

article

12.9 : Bipolar Bağlantı Transistör Amplifikatörler

Transistörler

322 Görüntüleme Sayısı

article

12.10 : Bipolar Bağlantı Transistörlü Yükselteçlerin Küçük Sinyal Analizi

Transistörler

922 Görüntüleme Sayısı

article

12.11 : Alan Etkili Transistör

Transistörler

283 Görüntüleme Sayısı

article

12.12 : JFET'in Özellikleri

Transistörler

349 Görüntüleme Sayısı

article

12.14 : MOS Kapasitör

Transistörler

674 Görüntüleme Sayısı

article

12.15 : MOSFET

Transistörler

408 Görüntüleme Sayısı

See More

JoVE Logo

Gizlilik

Kullanım Şartları

İlkeler

Araştırma

Eğitim

JoVE Hakkında

Telif Hakkı © 2020 MyJove Corporation. Tüm hakları saklıdır