Metal-yarı iletken bağlantılarının öngerilimlenmesi, bağlantı boyunca bir voltaj uygulanmasını içerir. Spesifik olarak, yarı iletken topraklanırken metal bir voltaj kaynağına bağlanır. Bu teknik, diyotlar, transistörler ve fotovoltaik hücreler dahil olmak üzere elektronik cihazlardaki akım akış yönünü ve büyüklüğünü kontrol etmek için gereklidir.

Yarı iletkenin n tipi olduğu Schottky bağlantılarında, metale yarı iletkene göre pozitif voltaj uygulanması Fermi seviyesini azaltır. Yarı iletkendeki elektronların metale doğru hareket etmek için aşmaları gereken enerji bariyerini azaltır. Bu, yarı iletkenden metale önemli miktarda elektron akışını mümkün kılar ve bu da bağlantı ileri yönlü olduğunda hızla artan bir akıma neden olur. Negatif voltaj uygulandığında durum tersine döner. Metalin Fermi seviyesi yükselir ve yarı iletkenden metale elektron akışına karşı bariyer artar. Buna rağmen birkaç elektron bariyeri aşabilir ve küçük bir ters eğilim akımı oluşturabilir.

Ohmik bağlantılar farklı davranır. Önemli bir engelin bulunmaması nedeniyle, hafif bir pozitif voltaj bile büyük bir ileri öngerilim akımına neden olabilir ve bu da yarı iletkenden metale elektron akışının kolay olmasını sağlar. Ters öngerilimde, metalden yarı iletkene elektron akışı için minimum bir engel vardır, ancak ters öngerilim voltajı bir voltun birkaç onda birini aşarsa bu engel etkili bir şekilde ortadan kalkar.

Etkileşim dinamikleri p tipi yarı iletkenlerle değişir. Hem Schottky hem de Ohmik bağlantılarda n-tipi yarı iletkenler için tanımlanan davranış tersine çevrilmiştir. Akım akışını öngerilim yoluyla manipüle etme yeteneği, birçok elektronik bileşenin çalışması için gereklidir ve çok çeşitli cihazların işlevselliği için bir temel sağlar.