Исчерпывающая характеристика протяженных дефектов в полупроводниковых материалах на растровом электронном микроскопе
13.6K Views
•
11:14 min
•
May 28th, 2016
DOI :
May 28th, 2016
•Главы в этом видео
0:05
Title
1:16
Sample Preparation for Cryo-cathodoluminescence Experiment
6:28
Performing Cross-correlation Electron Backscatter Diffraction Experiments
8:50
Results: Cathodoluminenscence and Strain Fields of Extended Defects in Silicon
2:06
Cryo-cathodoluminescence Experiment
10:19
Conclusion
Похожие видео
Выявление динамических процессов в жидкостях материалов с использованием жидкого сотовых просвечивающей электронной микроскопии
12.6K Views
Характеристика модификации поверхности белым светом интерферометрии, применения в ионного распыления, лазерной абляции, и трибологии Эксперименты
15.5K Views
Сканирующего зонда Одноэлектронные емкостной спектроскопии
13.0K Views
Характеристика теплового транспорта в одномерных твердых материалов
17.1K Views
Электрон Ченнелинг Контрастность изображений для быстрого III-V гетероэпитаксиального Характеристика
10.9K Views
Кремний Металл-оксид-полупроводниковых квантовых точек для одного электрона Перекачивание
14.3K Views
Ручным управлением Манипуляции одиночных молекул с помощью сканирующего зондового микроскопа с 3D-интерфейсом виртуальной реальности
8.9K Views
Изучение динамических процессов наноразмерных объектов в жидкости с помощью сканирующего просвечивающего электронного микроскопа
12.6K Views
Сканирование СКВИД Исследование вихревых Манипуляции с местным представителем компании
6.8K Views
Новый метод для
9.1K Views
Авторские права © 2025 MyJoVE Corporation. Все права защищены