12.15 :  MOSFET 

O transistor de efeito de campo semicondutor de óxido metálico (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET, em inglês) desempenha um papel fundamental na eletrônica moderna, graças à sua versatilidade e eficiência no controle de correntes elétricas. Este dispositivo, também conhecido como IGFET, MISFET e MOSFET, apresenta três terminais principais: Fonte, Dreno e Porta. Os MOSFETs são classificados em de canal n ou de canal p com base nas características de dopagem de seu substrato e nas regiões de fonte ou dreno.

Em um MOSFET canal N, a estrutura inclui regiões de fonte e dreno tipo n isoladas de um substrato tipo p por diodos p-n com polarização reversa. A porta, composta por uma placa metálica colocada sobre uma camada de óxido e o contato ôhmico no substrato, constitui os quatro terminais do MOSFET. Em condições normais, sem tensão aplicada à porta, o MOSFET de canal N permanece desligado, sem corrente significativa fluindo da fonte para o dreno, exceto por uma corrente de fuga insignificante.

No entanto, aplicar uma polarização positiva à porta de um MOSFET de canal N cria um canal n, facilitando o fluxo de uma grande corrente. A condutância deste canal pode ser ajustada variando a tensão da porta, permitindo um controle preciso da corrente entre a fonte fixa e as regiões de dreno.

Os MOSFETs são componentes integrais em diversas aplicações, desde microprocessadores em smartphones e laptops até sistemas de gerenciamento de energia em veículos elétricos. A sua capacidade de controlar eficientemente a corrente com perda mínima de energia torna-os indispensáveis ​​no avanço da tecnologia em vários setores.