소신호 분석에서 MOSFET 트랜지스터 증폭기는 포화 영역에서 작동할 때 선형 증폭기 역할을 합니다. MOSFET의 게이트-소스 전압(V_GS)은 DC 바이어스 전압과 시간에 따라 변하는 작은 입력 신호의 합입니다. 이 조합은 작동점을 설정하고 드레인에서 소스로 흐르는 드레인 전류(I_D)를 변조합니다. 작은 AC 신호가 게이트의 DC 바이어스 전압에 중첩되면 순간 드레인 전류는 세 부분으로 구성됩니다.
V_GS의 AC 성분의 진폭이 충분히 작은 작은 신호의 경우 드레인 전류의 비선형 성분(입력 신호의 제곱에 비례하는 항 포함)은 무시할 수 있습니다. 이러한 비선형 항을 무시함으로써 MOSFET의 동작을 선형적으로 근사화할 수 있어 분석이 크게 단순화됩니다.
MOSFET의 트랜스컨덕턴스(gm)는 V_GS 변화에 따른 드레인 전류 변화율을 나타내며 바이어스 지점에서 평가되며 다음과 같이 정의됩니다.
여기서 V_GS0은 DC 바이어스 전압입니다.
선형 작동 영역에서 소신호 출력 전류(i_d)는 다음과 같이 계산됩니다.
V_gs가 V_GS의 소신호 구성요소인 경우 증폭기의 전압 이득(A_V)은 다음과 같이 계산됩니다.
R_L이 드레인에 연결된 부하 저항인 경우, 전압 이득 방정식의 음수 부호는 출력 신호가 입력 신호에 대해 반전되었음을 나타냅니다.
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