JoVE Logo

Accedi

12.3 : Principio di Funzionamento del BJT

Un transistor a giunzione bipolare (BJT), in particolare un transistor PNP in una configurazione a base comune, amplifica o commuta efficacemente i segnali elettronici, controllando il flusso dei portatori di carica. Questa discussione si concentra sul suo funzionamento in modalità attiva.

Nella configurazione PNP, l'emettitore è fortemente drogato con portatori di carica positivi (lacune), mentre la base è leggermente drogata con portatori negativi (elettroni). Questa configurazione consente una polarizzazione diretta attraverso la giunzione emettitore-base, diminuendo la potenziale barriera e consentendo alle lacune di diffondersi dall'emettitore alla base. Queste lacune tentano quindi di attraversare verso il collettore. Durante questo viaggio, alcune lacune si ricombinano con gli elettroni della base, riducendo il numero di portatori che raggiungono il collettore e contribuendo alla corrente di base. Contemporaneamente, gli elettroni generati termicamente dal collettore si muovono verso la base, aumentando la corrente del collettore.

Il componente principale della corrente dell'emettitore sono queste lacune che diffondono. La corrente di base deriva dalla differenza tra la corrente dell'emettitore e la corrente del collettore, che è fondamentale per mantenere la neutralità della carica nella base. L'efficienza del transistor è misurata dal suo guadagno di corrente, che comprende due fattori critici: l'efficienza dell'emettitore e il fattore di trasporto di base. L'efficienza dell'emettitore indica la frazione di portatori iniettati dall'emettitore che contribuiscono alla corrente di uscita. Al contrario, il fattore di trasporto base, riflette la proporzione di questi vettori che raggiungono il collettore. Idealmente, entrambi i valori dovrebbero avvicinarsi all'unità, a significare un trasporto efficiente dei vettori e una ricombinazione minima.

Inoltre, l'eventuale corrente di dispersione tra collettore e base, quando la giunzione emettitore-base è aperta, è inclusa nel calcolo della corrente di collettore in termini di guadagno di corrente. Questa perdita denota un'inefficienza operativa, influenzando le prestazioni del transistor nei circuiti elettronici.

Tags

Bipolar Junction TransistorBJTPNP TransistorCommon base ConfigurationCharge CarriersActive ModeEmitter CurrentBase CurrentCollector CurrentEmitter EfficiencyBase Transport FactorLeakage CurrentCurrent GainElectronic SignalsAmplificationSignal Switching

Dal capitolo 12:

article

Now Playing

12.3 : Principio di Funzionamento del BJT

Transistors

391 Visualizzazioni

article

12.1 : Transistor a Giunzione Bipolare

Transistors

588 Visualizzazioni

article

12.2 : Configurazioni di BJT

Transistors

378 Visualizzazioni

article

12.4 : Caratteristiche del BJT

Transistors

633 Visualizzazioni

article

12.5 : Modalità di Funzionamento del BJT

Transistors

961 Visualizzazioni

article

12.6 : Risposta in Frequenza del BJT

Transistors

750 Visualizzazioni

article

12.7 : Frequenza di taglio del BJT

Transistors

640 Visualizzazioni

article

12.8 : Cambio di BJT

Transistors

364 Visualizzazioni

article

12.9 : Amplificatori BJT

Transistors

407 Visualizzazioni

article

12.10 : Analisi dei Piccoli Segnali degli Amplificatori BJT

Transistors

984 Visualizzazioni

article

12.11 : Transistor ad Effetto di Campo

Transistors

305 Visualizzazioni

article

12.12 : Caratteristiche dei JFET

Transistors

422 Visualizzazioni

article

12.13 : Polarizzazione dei FET

Transistors

218 Visualizzazioni

article

12.14 : condensatore MOS

Transistors

708 Visualizzazioni

article

12.15 : MOSFET

Transistors

426 Visualizzazioni

See More

JoVE Logo

Riservatezza

Condizioni di utilizzo

Politiche

Ricerca

Didattica

CHI SIAMO

Copyright © 2025 MyJoVE Corporation. Tutti i diritti riservati