12.11 : טרנזיסטור אפקט שדה

A field effect transistor is a three-terminal unipolar device comprising a gate, drain, and source terminal.

Charge carriers flow from the source to the drain through a channel, the conductivity of which is controlled by the potential difference applied between the gate and the source terminal.

Based on the structure of the gate diode, FETs are categorized into Junction-FETs, Metal-Semiconductor FETs, and Metal-Oxide-Semiconductor FETs.

JFETs control the channel conductivity through the extension of the gate-channel pn-junction. With their lower input impedance, they are commonly used in analog circuits.

MESFETs use metal-semiconductor diodes for rectifying contact, providing advantages such as lower temperature fabrication and lower resistance. They are used in microwave applications due to their high-frequency response.

MOSFETs, known for their high input impedance, are the most common type and are frequently used in digital circuits.

FETs can be classified further based on the channel's semiconductor material.

They are used in amplifiers, switches, and voltage regulators. Their high input impedance, compact size, low noise, and lower power consumption make them advantageous over Bipolar Junction Transistors.

טרנזיסטורי אפקט שדה (FET) הינם חלק בלתי נפרד ממעגלים אלקטרוניים ומובחנים על ידי מערך שלושת המסופים שלהם: השער, השפך והמקור. טרנזיסטורים אלו פועלים כהתקנים חד-קוטביים, אשר מנצלים או אלקטרונים או חורים כנשאי מטען, בניגוד לטרנזיסטורים דו-קוטביים, המשתמשים בשני סוגי הנשאים. תפקידו העיקרי של ה-FET הוא לווסת את זרימת הנשאים הללו מהמקור לשפך דרך הערוץ. הפרש המתח בין מסופי השער והמקור שולט ישירות על המוליכות של ערוץ זה.

FETs מסווגים באופן נרחב על סמך המבנה של דיודות השער שלהם צומת-JFETs)FETs), מתכת-מוליך למחצה MESFETs)FETs)ומתכת-תחמוצת-מוליך למחצה JFETs. (MOSFETs)FETs פועלים על ידי הרחבת צומת הערוץ שער-pn כדי לשלוט על מוליכות הערוץ, מה שהופך אותם ליעילים ביותר במעגלים אנלוגיים בשל עכבת הכניסה הנמוכה יותר שלהם. מכשירי MESFET, המשתמשים בדיודות מוליכים למחצה מתכתיים ליישור מגע, מועדפים ביישומי מיקרוגל בגלל התגובה החזקה שלהם בתדר גבוה וטמפרטורות ייצור נמוכות יותר. מכשירי MOSFET, לעומת זאת, הם הסוג הנפוץ ביותר, הידוע בעכבת הכניסה הגבוהה והיישום התכוף שלהם במעגלים דיגיטליים.

ניתן להבחין בכל סוג של FET על סמך החומר המוליך למחצה של הערוץ, המספק צרכים טכנולוגיים ספציפיים. FETs נמצאים בשימוש נרחב במגברים, מתגים ומווסתי מתח. יתרונות העיצוב שלהם כוללים עכבת כניסה גבוהה, קומפקטיות, רעש נמוך וצריכת חשמל מופחתת, מה שהופך אותם ליתרון במיוחד על פני טרנזיסטורי צומת דו-קוטביים מסורתיים ביישומים רבים. תכונות אלו מדגישות את הרבגוניות והתועלת של FETs במגוון עצום של רכיבים ומערכות אלקטרוניות.

Tags

Field Effect Transistor FET Gate Drain Source Unipolar Devices Charge Carriers Junction FET JFET Metal Semiconductor FET MESFET Metal Oxide Semiconductor FET MOSFET Analog Circuits Digital Circuits High Input Impedance Amplifiers Switches Voltage Regulators

From Chapter 12:

article

Now Playing

12.11 : טרנזיסטור אפקט שדה

Transistors

296 Views

article

12.1 : טרנזיסטור דו קוטבי

Transistors

516 Views

article

12.2 : תצורות של BJT

Transistors

373 Views

article

12.3 : עקרון העבודה של BJT

Transistors

380 Views

article

12.4 : מאפיינים של BJT

Transistors

623 Views

article

12.5 : דרכי פעולה של BJT

Transistors

942 Views

article

12.6 : תגובת תדר של BJT

Transistors

727 Views

article

12.7 : תדירות קטעון של BJT

Transistors

628 Views

article

12.8 : מיתוג BJTs

Transistors

363 Views

article

12.9 : מגברי BJT

Transistors

332 Views

article

12.10 : ניתוח אותות קטנים של מגברי BJT

Transistors

951 Views

article

12.12 : מאפייני JFET

Transistors

368 Views

article

12.13 : הטיה של FETs

Transistors

216 Views

article

12.14 : קבל MOS

Transistors

699 Views

article

12.15 : MOSFET

Transistors

417 Views

See More

Copyright © 2025 MyJoVE Corporation. All rights reserved