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Electron Canalisation imagerie de contraste pour Rapid III-V hétéroépitaxiale Caractérisation

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07:50 min

July 17th, 2015

DOI :

10.3791/52745-v

July 17th, 2015


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Ing nierie

Chapitres dans cette vidéo

0:05

Title

2:03

GaP/Si Sample Loading

2:51

Set up of Appropriate Working Conditions

3:46

Visualization of the Sample's Electron Channeling Patterns

4:35

Imaging of Defects and Features

6:13

Results: Imaging Clearly Shows the Misfit Networks in GaP/Si Samples

7:14

Conclusion

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