12.2 : Configurations de BJT

Les transistors à jonction bipolaire (BJT) sont classés en différents types en fonction de leurs configurations, chacun ayant des caractéristiques et des applications distinctes. Les configurations sont principalement différenciées par le terminal (base, émetteur ou collecteur) commun aux circuits d'entrée et de sortie.

La configuration de base commune se distingue par son gain haute tension, ce qui la positionne comme un choix idéal pour les circuits amplificateurs à un étage, tels que les préamplificateurs de microphone. Une caractéristique notable de cette configuration est sa tendance à réduire le signal de courant d'entrée, car le courant du collecteur de sortie est généralement inférieur au courant de l'émetteur d'entrée.

À l’inverse, la configuration à émetteur commun est le type le plus largement utilisé dans les amplificateurs à transistors, en raison de son impédance d’entrée, de son courant et de son gain de puissance supérieurs par rapport à la configuration à base commune. Il fonctionne comme un amplificateur inverseur, produisant un signal de sortie déphasé de 180 degrés par rapport au signal d'entrée, ce qui le rend essentiel pour divers besoins d'amplification.

Enfin, la configuration du collecteur commun, également connue sous le nom de circuit émetteur-suiveur ou circuit suiveur de tension, est reconnue pour son impédance d'entrée exceptionnellement élevée et son impédance de sortie relativement faible. Bien que son gain en tension soit légèrement inférieur à un, il permet une amplification de courant substantielle. Cette configuration, qui n'inverse pas le signal d'entrée, est particulièrement utile pour l'adaptation d'impédance et sert de tampon de tension dans de nombreuses applications. Chaque configuration offre des avantages uniques, ce qui rend les composants BJT polyvalents dans la conception de circuits électroniques.