El comportamiento de conmutación en transistores de unión bipolar (BJT) es un aspecto fundamental utilizado en varios circuitos electrónicos, particularmente para aplicaciones de lógica digital como interruptores y amplificadores. En un circuito de conmutación típico, un BJT alterna entre los modos de corte y saturación, correspondientes a los estados "apagado" y "encendido", respectivamente, comportándose así como un interruptor ideal.
Modo de corte (estado "apagado"): en este estado, tanto la unión emisor-base como la unión colector-base tienen polarización inversa. El transistor evita que la corriente fluya a través de sus terminales, lo que efectivamente apaga el dispositivo. Este modo se utiliza cuando no se requiere transmisión de señal, manteniendo un estado de baja potencia en el circuito.
Modo de saturación (estado "encendido"): a diferencia del modo de corte, en el estado de saturación, ambas uniones están polarizadas directamente. Esta configuración permite el máximo flujo de corriente desde el colector al emisor. El BJT en este modo se comporta como un interruptor cerrado, lo que permite la transmisión completa de la señal a través del circuito.
Dinámica de conmutación: la transición entre los estados "apagado" y "encendido" se desencadena por un cambio repentino en el voltaje de la base del emisor, generalmente iniciado por un pulso de corriente de entrada positivo. El comportamiento de la corriente del colector durante estas transiciones es crucial para una conmutación eficaz. Depende de la variación del exceso total de carga de portador minoritario almacenado en la región de la base del transistor.
Durante la fase de encendido, si la carga base excede un cierto umbral (denotado como QS), el BJT entra en modo de saturación. Por el contrario, durante la fase de apagado, la corriente del colector permanece casi constante hasta que la carga almacenada se reduce a QS, lo que hace que el transistor vuelva al modo activo antes de disminuir finalmente hacia cero a medida que se acerca al modo de corte.
Comprender estas transiciones y la dinámica de carga asociada es esencial para diseñar BJT eficientes que puedan cambiar rápidamente entre estados con una pérdida mínima de rendimiento y potencia.
Del capítulo 12:
Now Playing
Transistors
363 Vistas
Transistors
514 Vistas
Transistors
373 Vistas
Transistors
377 Vistas
Transistors
622 Vistas
Transistors
939 Vistas
Transistors
725 Vistas
Transistors
626 Vistas
Transistors
331 Vistas
Transistors
950 Vistas
Transistors
294 Vistas
Transistors
368 Vistas
Transistors
212 Vistas
Transistors
692 Vistas
Transistors
417 Vistas
See More
ACERCA DE JoVE
Copyright © 2025 MyJoVE Corporation. Todos los derechos reservados