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Leicht verbesserte Flusssäure Passivierung: eine empfindliche Technik zum Nachweis von Bulk-Silizium-Defekte

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9.2K Views

•

09:15 min

•

January 4th, 2016

DOI :

10.3791/53614-v

January 4th, 2016

•

Nicholas E. Grant¹

¹Research School of Engineering, Australian National University

Zusammenfassung

A RT flüssige Oberflächenpassivierung Technik, um die Rekombination Aktivität von Bulk-Silizium-Defekte zu untersuchen beschrieben. Für die Technik erfolgreich ist, drei kritische Schritte erforderlich sind: (i) chemische Reinigen und Ätzen von Silizium, (ii) Eintauchen des Silizium in 15% Fluorwasserstoffsäure und (iii) Beleuchtungs für 1 min.

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Volumenlebensdauer

Photoleitf higkeit

Kapitel in diesem Video

0:05

Title

1:02

Cleaning and Etching the Silicon Wafers

4:08

Silicon Wafer Passivation and Photoconductive (PC) Measurement

7:08

Results: Silicon Wafer Photoconductive Measurement after Surface Passivation

8:10

Conclusion

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