Bu eser kısmen projeleri en 105-2221-E-001-011-MY3 ve en 105-2622-8-002-Bakanlığı bilim ve teknoloji, Tayvan ve finanse 001 kısmen ile Uygulamalı Bilimler, Academia Sinica için araştırma merkezi tarafından finanse edilen odaklı projesi tarafından desteklenen, Tayvan.

1. büyüme bireysel 2D malzeme (PT2 ve WS2)
<ol><li>
Bir RF sistem SAÇTIRMA kullanarak geçiş metal biriktirme
	<ol>
<li>Temiz 2 x 2 cm2 safir substrat parlak tarafa doğru geçiş metal birikimi için sputtering sisteminin hedefleri ile örnek sahibi yerleştirilir. Safir yüzeylerde yüksek sıcaklık ve atomik düz yüzeyler, sapphire'nın Kimyasal kararlılığı nedeniyle tercih edilmektedir.</li>
		<li>Pompa aşağı sırayla bir Difüzyon pompa tarafından takip bir mekanik pompa kullanarak 3 x 10-6 torr sputtering odasına.</li>
		<li>Ar gaz sputtering sisteme enjekte edip 40 mL/dak bir kütle akış denetleyicisi (MFC) kullanarak gaz akışını tutmak.</li>
		<li>Bir el ile basınç kontrol valfi kullanarak 5 x 10-2 torr odası bastır ve Ar plazma tutuşturmak. Çıkış gücü 40 W. tutun</li>
		<li>El ile tekerleği açısı bebek valf kullanarak 5 x 10-3 torr odası basınç azaltın.</li>
		<li>El ile safir substrat ve 2-inç metal hedef arasındaki çekim açın ve metal birikimi başlayın. Mo ve W. için sputtering güç biriktirme işlemi sırasında 40 W tutmak Arka plan baskı, 5 × 10-3 torr 40 mL/dk Ar gaz akışı ile tutulur.</li>
		<li>Geçiş metalleri filmleri ile farklı kalınlıklarda yatırmak sputtering zaman kontrol. İnce metal kalınlığı nedeniyle kez SAÇTIRMA kuvars kristal rezonatör üzerinden okuma göre film kalınlığı üzerinde daha iyi denetim sağlar. Not: PT2 ve geçerli el yazması açıklanan yöntemle yetiştirilen WS2 katman numaraları için önceden yatırılan Mo ve W filmlerin kez sputtering orantılıdır. Ecek2 ve WS2 gerekli katman sayılarla elde etmek için kez SAÇTIRMA belirlenmesi farklı sputtering kez örnekleriyle kesitsel yüksek çözünürlüklü iletim elektron mikroskobu (HRTEM) görüntülerde temel alır. Bununla birlikte, eğer önceden yatırılan Mo ve W filmleri çok kalın, Mo ve W oksit segregasyon düzlemsel PT2 ve WS2 film büyüme yerine baskın büyüme mekanizması olur. Bu nedenle, ölçülülük sputtering kez ile katman sayıların kaç katmanlı TMDs için sınırlıdır. Ecek2 geçerli el yazması'büyüme koşulu ile katman numaraları 10'dan az katmanları PT2 filmi ne zaman sputtering kez orantılı olacaktır. Sputtering zamanı 30 s 5-katman PT2büyüme için.</li>
	</ol>
</li>
	<li>
Geçiş metalleri film sulfurization
	<ol>
<li>Safir yüzeylerde önceden yatırılan Geçiş metalleri filmleri ile sulfurization için bir sıcak fırın ortasına yerleştirin.</li>
		<li>Kükürt (S) toz akıntıya karşı gaz akışı, 2 cm uzakta Isıtma alanı fırın yerleştirin. 800 ° C'ye yüzey sıcaklık arttıkça bu konumda S toz buharlaşma sıcaklığı 120 ° C olacaktır Tam sulfurization için farklı Geçiş metalleri S toz ağırlık kontrolü. Çalışma, S toz ağırlığı 1.5 g Mo için ve W. için 1.0 g olduğunu. Not: Kükürt tozu tutarları PT2 ve WS2 filmleri farklı miktarda kükürt tozu kullanılarak hazırlanan her malzeme için elde edilen sonuçlara dayanarak hazırlanması için belirleriz.</li>
		<li>Fırın 0.7 torr bastır. Sulfurization işlem sırasında 130 mL/dk Ar gaz taşıyıcı gaz kullanıldı.</li>
		<li>Rampa Oda sıcaklık fırın 40 dakika içinde 800 ° c sıcaklık 20 ° C/dak bir sıcaklık bayiliği oranı ile 800 ° C kükürt tozu tamamen buharlaşıp kadar sıcaklığı tutmak. Bundan sonra ısıtıcı güç fırın sıcaklığı düşürmek için kapanır. Yaklaşık 30-40 dakika oda sıcaklığında 800 ° c dan ulaşmak fırın için alır</li>
	</ol>
</li>
	<li>Raman spektrumu ölçümleri bir 488 nm lazer15,16,17kullanarak gerçekleştirin. 2D kristalleri15,16,17katman numaralarını doğrulamak için kesit HRTEM görüntü elde.</li>
</ol>2. büyüme WS2/MoS2 dikey tek Hetero-yapısı
Not: Bu bölüm safir bir tabaka ile PT2 5 kat ve WS24 kat oluşan tek bir heteroseksüel yapısı oluşturmak için kullanılır.
<ol><li>Adım 1.1 olarak aynı yordamı izleyin. Mo filmin 30 sistemiyle SAÇTIRMA RF kullanarak safir substrat mevduat zaman SAÇTIRMA s.</li>
	<li>1.2 pt2büyüme için adım gibi aynı sulfurization yordamlar aşağıdaki Mo film sulfurize. Ecek2 beş kat sulfurization işlemden sonra elde edilir.</li>
	<li>Adım 1.1 olarak aynı yordamları izleyin. W film PT2tarihinde mevduat/safir substrat kullanarak bir 30 sistemiyle SAÇTIRMA RF zaman SAÇTIRMA s.</li>
	<li>W film adım 1.2 WS2büyüme için aynı sulfurization prosedürü takip sulfurize. WS2 dört kat üstüne PT2 sulfurization işlemden sonra elde edilir. Not: Metal birikimi ve sulfurization yordam tek tek malzeme ile aynıdır. Mo ve W filmlerin sputtering kez MoS2 ve WS2 katman gerekli katman numaraları bağlı olarak belirlenir. Çift - veya multi-hetero-yapılar büyüme yordamın aynısını tekrar ederek kurulabilir. TMDs dikey heteroseksüel yapılarda sırasını da örnek yapısına bağlı olarak değiştirilebilir.</li>
</ol>3. Film aktarma ve cihaz imalat yöntemleri
<ol><li>
Yordam 2D kristal filmlerin aktarma film
	<ol>
<li>Spin kat poly(methyl methacrylate) (PMMA) oda sıcaklığında bütün film kapsayacak şekilde TMD filmde üç damla. Döner düðmeyi iki aşamalı dönme hızının 10 s 500 devir/dakika ve 10 için 800 devir/dakika olması s. 120 ° c 5 min için kür sonra PMMA kalınlığı yaklaşık 3 µm olduğunu.</li>
		<li>PMMA/TMD/Sapphire örnek deiyonize (DI) su ile dolu bir Petri kabına yerleştirin.</li>
		<li>DI suda cımbız kullanarak safir substrat PMMA/TMD filmden bir köşesinde akasındaki.</li>
		<li>250 mL 1 M KOH sulu çözeltisi (250 mL su ile karışık 14 g KOH pelet) bir ölçek ile 100 ° c ısı Örnek ısıtmalı KOH sulu çözüm taşımak ve PMMA/TMD film film tamamen--dan belgili tanımlık substrate soyulmuş kadar peeling devam edin. Peeling tamamlamak için yaklaşık 1 dakika gerektirir.</li>
		<li>Ayrı bir safir substrat KOH çözüm PMMA/TMD filmden kaldırsanız kullanın. Film DI kalıntı KOH film kapalı yıkamak için su ile dolu bir 250 mL kabı için hareket ettirin. Bu aşamada, PMMA/TMD film ve film kaldırsanız safir substrat arasındaki yapışma zayıftır. Bu nedenle, filmin safir substrat DI suya daldırma sonra de-eklemek olacaktır.</li>
		<li>3.1.4 - 3.1.5 üç kez yineleyin emin olmak için yeni DI su kullanarak çoğu KOH kalıntı kaldırılır filmden. Not: Her TMD katman arasındaki yapışma TMDs safir substrat ile birlikte daha çok güçlüdür. Bu nedenle, aynı aktarma yordamı bireysel PT2/WS2 malzeme veya heteroseksüel yapılarını uygulanabilir. 2D kristal filmleri tamamen belgili tanımlık substrate hangi PT2/graphene heteroseksüel-bir önceki yayın18' tartışıldı yapısının peeling benzer soyulmuş. Film aktarma amacı bağlı olarak, bu adımda belirtilen alt katman ya da safir bir substrat veya SiO2/sı substrat önceden yatırılan elektrotlar ile 3.2. adımda açıklandığı gibi olabilir. Diğer yüzeylerde de bu amaçla kullanılabilir.</li>
	</ol>
</li>
	<li>
2D kristal transistörler imalatı.
	<ol>
<li>Standart fotolitografi elektrot desenleri SiO2/sı yüzeylerde15,16,17tarihinde tanımlamak için kullanın. Kaynak ve drenaj elektrotlar 10 nm titanyum (Ti) veya 100 nm altın (Au) yapılmış bir 300 nm SiO2/p-type Si substrat cihazlarında.</li>
		<li>SiO2/sı substrat ile kaynak/drenaj elektrotlar DI su kabı içine önceden desenli ve adım 3.1 hazırlanırken PMMA/TMD film TMD tarafına ekleyin bırakın.</li>
		<li>Sonra film SiO2/sı substrat su artıklarını çıkarın için bağlı olduğu örnek 3 dk, 100 ° C'de pişirin.</li>
		<li>PMMA ile tüm yüzeyi kapak ve daha sıkıca bağlı belgili tanımlık substrate film yapmak için PMMA/TMD filmi örnek üzerinde üç damla damla.</li>
		<li>Örnek bir elektronik kuru kabine en az 8 h için sonraki adıma geçmeden önce yerleştirin.</li>
		<li>İki farklı 250 mL kadehler aseton ile doldurun. PMMA/TMD film ile sırayla aseton 50 ve 10 dk, sırasıyla, üst PMMA tabaka kaldırmak için dolu iki farklı kadehler eklenmiş örnek bırakın.</li>
		<li>Standart fotoğraf-litografi ve reaktif iyon gravür15,16,17kullanarak transistör kanal tanımlayın. Arka kapı PT2 ve WS2/MoS2 hetero-yapısı transistörler fabrikasyon15,16,17vardır. Kanal uzunluğu ve genişliği cihazların 5 ve 150 mikron, sırasıyla vardır.</li>
		<li>Bir çift kanallı sistem sourcemeter enstrüman transistörler15,16,17akım-gerilim özelliklerini ölçmek için kullanın.</li>
	</ol>
</li>
</ol>

<ol>
	<li>Moldt, T., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=High-Yield+Production+and+Transfer+of+Graphene+Flakes+Obtained+by+Anodic+Bonding.">High-Yield Production and Transfer of Graphene Flakes Obtained by Anodic Bonding.</a> ACS Nano. 5, 7700-7706 (2011).</li><li>Choi, W., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=High-Detectivity+Multilayer+MoS2+Phototransistors+with+Spectral+Response+from+Ultraviolet+to+Infrared.">High-Detectivity Multilayer MoS2 Phototransistors with Spectral Response from Ultraviolet to Infrared.</a> Adv. Mater. 24, 5832-5836 (2012).</li><li>Liu, H., Neal, A. T., Ye, P. D. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Channel+Length+Scaling+of+MoS2+MOSFETs.">Channel Length Scaling of MoS2 MOSFETs.</a> ACS Nano. 6, 8563-8569 (2012).</li><li>Wang, Q. H., Kalantar-Zadeh, K., Kis, A., Coleman, J. N., Strano, M. S. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Electronics+and+optoelectronics+of+two-dimensional+transition+metal+dichalcogenides.">Electronics and optoelectronics of two-dimensional transition metal dichalcogenides.</a> Nat. Nanotechnol. 7, 699-712 (2012).</li><li>Radisavljevic, B., Radenovic, A., Brivio, J., Giacometti, V., Kis, A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Single-layer+MoS2+transistors.">Single-layer MoS2 transistors.</a> Nat. Nanotechnol. 6, 147-150 (2011).</li><li>Lee, Y. H., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Synthesis+of+Large-Area+MoS2+Atomic+Layers+with+Chemical+Vapor+Deposition.">Synthesis of Large-Area MoS2 Atomic Layers with Chemical Vapor Deposition.</a> Adv. Mater. 24, 2320-2325 (2012).</li><li>Yu, Y., Li, C., Liu, Y., Su, L., Zhang, Y., Cao, L. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Controlled+Scalable+Synthesis+of+Uniform,+High-Quality+Monolayer+and+Few-layer+MoS2+Films.">Controlled Scalable Synthesis of Uniform, High-Quality Monolayer and Few-layer MoS2 Films.</a> Sci. Rep. 3, 1866 (2013).</li><li>Ling, X., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Role+of+the+Seeding+Promoter+in+MoS2+Growth+by+Chemical+Vapor+Deposition.">Role of the Seeding Promoter in MoS2 Growth by Chemical Vapor Deposition.</a> Nano Lett. 14, 464-472 (2014).</li><li>Lee, Y., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Synthesis+of+wafer-scale+uniform+molybdenum+disulfide+films+with+control+over+the+layer+number+using+a+gas+phase+sulfur+precursor.">Synthesis of wafer-scale uniform molybdenum disulfide films with control over the layer number using a gas phase sulfur precursor.</a> Nanoscale. 6, 2821-2826 (2014).</li><li>Lin, M. Y., Su, C. F., Lee, S. C., Lin, S. Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=The+Growth+Mechanisms+of+Graphene+Directly+on+Sapphire+Substrates+using+the+Chemical+Vapor+Deposition.">The Growth Mechanisms of Graphene Directly on Sapphire Substrates using the Chemical Vapor Deposition.</a> J. Appl. Phys. 115, 223510 (2014).</li><li>Wu, C. R., Chang, X. R., Chang, S. W., Chang, C. E., Wu, C. H., Lin, S. Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Multilayer+MoS2+prepared+by+one-time+and+repeated+chemical+vapor+depositions:+anomalous+Raman+shifts+and+transistors+with+high+ON/OFF+ratio.">Multilayer MoS2 prepared by one-time and repeated chemical vapor depositions: anomalous Raman shifts and transistors with high ON/OFF ratio.</a> J. Phys. D Appl. Phys. 48, 435101 (2015).</li><li>Li, M. Y., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Epitaxial+growth+of+a+monolayer+WSe2-MoS2+lateral+p-n+junction+with+an+atomically+sharp+interface.">Epitaxial growth of a monolayer WSe2-MoS2 lateral p-n junction with an atomically sharp interface.</a> Science. 349, 524-528 (2015).</li><li>Zhan, Y., Liu, Z., Najmaei, S., Ajayan, M. P., Lou, J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Large-area+vapor-phase+growth+and+characterization+of+MoS2+atomic+layers+on+a+SiO2+substrate.">Large-area vapor-phase growth and characterization of MoS2 atomic layers on a SiO2 substrate.</a> Small. 8, 966 (2012).</li><li>Woods, J. M., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=One-Step+Synthesis+of+MoS2/WS2+Layered+Heterostructures+and+Catalytic+Activity+of+Defective+Transition+Metal+Dichalcogenide+Films.">One-Step Synthesis of MoS2/WS2 Layered Heterostructures and Catalytic Activity of Defective Transition Metal Dichalcogenide Films.</a> ACS Nano. 10, 2004-2009 (2016).</li><li>Wu, C. R., Chang, X. R., Wu, C. H., Lin, S. Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=The+Growth+Mechanism+of+Transition+Metal+Dichalcogenides+using+Sulfurization+of+Pre-deposited+Transition+Metals+and+the+2D+Crystal+Hetero-structure+Establishment.">The Growth Mechanism of Transition Metal Dichalcogenides using Sulfurization of Pre-deposited Transition Metals and the 2D Crystal Hetero-structure Establishment.</a> Sci. Rep. 7, 42146 (2017).</li><li>Chen, K. C., Chu, T. W., Wu, C. R., Lee, S. C., Lin, S. Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Layer+Number+Controllability+of+Transition-metal+Dichalcogenides+and+The+Establishment+of+Hetero-structures+using+Sulfurization+of+Thin+Transition+Metal+Films.">Layer Number Controllability of Transition-metal Dichalcogenides and The Establishment of Hetero-structures using Sulfurization of Thin Transition Metal Films.</a> J. of Phys. D: Appl. Phy. 50, 064001 (2017).</li><li>Wu, C. R., Chang, X. R., Chu, T. W., Chen, H. A., Wu, C. H., Lin, S. Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Establishment+of+2D+Crystal+Heterostructures+by+Sulfurization+of+Sequential+Transition+Metal+Depositions:+Preparation,+Characterization,+and+Selective+Growth.">Establishment of 2D Crystal Heterostructures by Sulfurization of Sequential Transition Metal Depositions: Preparation, Characterization, and Selective Growth.</a> Nano Lett. 16, 7093-7097 (2016).</li><li>Lin, M. Y., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Toward+epitaxially+grown+two-dimensional+crystal+hetero-structures:+Single+and+double+MoS2/graphene+hetero-structures+by+chemical+vapor+depositions.">Toward epitaxially grown two-dimensional crystal hetero-structures: Single and double MoS2/graphene hetero-structures by chemical vapor depositions.</a> Appl. Phys. Lett. 105, 073501 (2014).</li><li>Lee, C., Yan, H., Brus, L. E., Heinz, T. F., Hone, J., Ryu, S. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Anomalous+Lattice+Vibrations+of+Single+and+Few-Layer+MoS2.">Anomalous Lattice Vibrations of Single and Few-Layer MoS2.</a> ACS Nano. 4, 2695-2700 (2010).</li><li>Chen, K. C., Chu, T. W., Wu, C. R., Lee, S. C., Lin, S. Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Atomic+Layer+Etchings+of+Transition+Metal+Dichalcogenides+with+Post+Healing+Procedures:+Equivalent+Selective+Etching+of+2D+Crystal+Hetero-structures.">Atomic Layer Etchings of Transition Metal Dichalcogenides with Post Healing Procedures: Equivalent Selective Etching of 2D Crystal Hetero-structures.</a> 2D Mater. 4, 034001 (2017).</li></ol>

Yazarlar ifşa gerek yok.

Si ve GaAs gibi geleneksel yarı iletken malzemeler ile karşılaştırıldığında, uygulamalar cihaz için 2B malzeme avantajı çok atom katman aşağı çok ince organları ile cihaz imalat olasılığı yatıyor. Ne zaman Si sanayi gelişmeler içine < 10 nm teknolojisi düğüm, yüksek en/boy oranı Si fin FET yapacak aygıt mimarlık pratik uygulamalar için uygun olmayan. Böylece, 2D malzemeleri Si elektronik cihaz uygulamaları için değiştirmek için onların potansiyel nedeniyle ortaya çıkmıştır....

2D kristal filmleri elde etmek için en sık kullanılan yaklaşımlardan birini toplu malzemeler1,2,3,4,5mekanik pul pul dökülme kullanıyor. Her ne kadar kaliteli kristal ile 2D kristal filmleri kolayca bu yöntemi kullanarak elde edilebilir, ölçeklenebilir 2D kristal filmler için pratik uygulamalar dezavantajlı Bu yaklaşımla kullanılabilir değil. Kimyasal Buhar biriktirme (CVD) kullanarak, geniş alanlara ve tek tip 2B kristal filmleri hazırlanan6,7,8,9olabilir önceki yayınlarda kanıtlanmıştır. Grafin safir yüzeylerde ve aynı büyüme döngüsü yineleyerek hazırlanan katman-sayı-kontrol edilebilir PT2 filmleri doğrudan büyüme vardır ayrıca gösterdiği CVD büyüme tekniği10,11kullanarak. Bir son yayında2/MoS2 hetero-yapı pul da uçak-WSe CVD büyüme tekniği12kullanılarak imal edilmiştir. CVD büyüme tekniği ölçeklenebilir 2D kristal filmleri sağlama konusunda umut verici olsa da, bu büyüme teknik büyük dezavantajı farklı öncüleri için farklı 2D kristalleri bulunduğu olması. Büyüme koşulları da farklı 2D kristalleri arasında değişir. Bu durumda, zaman talep için 2D kristal hetero-yapıları büyür büyüme yordamlar daha karmaşık olacaktır.
CVD büyüme tekniği ile karşılaştırıldığında, önceden yatırılan Geçiş metalleri filmlerin sulfurization benzer ancak daha basit büyüme yaklaşım TMDs13,14için sağlamıştır. Büyüme yordamı yalnızca metal birikimi ve sulfurization yordamını gerektirdiğinden, farklı TMDs olan aynı büyüme yordamları büyümeye mümkündür. Öte yandan, 2D kristalleri katman numara kontrol edilebilirlik da önceden yatırılan Geçiş metalleri kalınlıkları değiştirerek elde edilebilir. Bu durumda, tek bir katmanına büyüme en iyi duruma getirme ve katman numara kontrolü farklı TMDs. için gerekli büyüme mekanizmaları anlama da karmaşık TMD hetero-yapıları bu yöntemi kullanarak kurulması için çok önemli.
Bu kağıt, PT2 ve WS2 filmleri benzer büyüme yordamlar tarafından sulfurization prosedürü takip metal yükünün altında hazırlanır. Kükürt yeterli ve eksik koşullar altında Mo filmlerin sulfurization elde edilen sonuçlardan iki büyüme mekanizmaları sırasında sulfurization yordam15gözlenir. Kükürt yeterli koşul altında bir üniforma ve katman-sayı-kontrol edilebilir PT2 film sulfurization işlemden sonra elde edilebilir. Örnek kükürt eksik koşul altında sulfurized, arka plan kükürt Mo oksit segregasyon ve birleştirme erken büyüme aşamada baskın mekanizması olacak öyle ki tam bir ecek2 film oluşturmak yeterli değildir. Ecek2 kaç katmanları birleştirerek kaplı Mo oksit kümelere sahip bir örnek sulfurization yordam15sonra elde edilir. Sıralı metal birikimi ve aşağıdaki sulfurization yordamları, WS2/MoS2 dikey hetero-yapıları ile tek bir katmanına katman numara kontrol edilebilirlik15,16hazırlanabilir. Bu tekniği kullanarak, bir örnek üzerinde tek bir safir substrat dört bölgeler ile elde edilir: (I) safir substrat, (II) tek başına PT2, (III) WS2/MoS2 hetero-yapısı ve (IV) tek başına WS217 boş . Büyüme tekniği dikey 2D kristal hetero-yapısı kurulması için avantajlıdır ve seçici büyüme kapasitesine sahip sonuçlar gösterilmektedir. 2D kristal hetero-yapıları gelişmiş aygıt performansları pratik uygulamalar 2D kristalleri için atılan ilk adım işaretler.

<table>
	<tbody>
		<tr>
			<td>RF sputtering system</td>
			<td>Kao Duen Technology</td>
			<td>N/A</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Furnace for sulfurization</td>
			<td>Creating Nano Technologies</td>
			<td>N/A</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Polymethyl methacrylate (PMMA)</td>
			<td>Microchem</td>
			<td>8110788</td>
			<td>Flammable</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>KOH, &#62; 85%</td>
			<td>Sigma-Aldrich</td>
			<td>30603</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Acetone, 99.5%</td>
			<td>Echo Chemical</td>
			<td>CMOS110</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Sulfur (S), 99.5%</td>
			<td>Sigma-Aldrich</td>
			<td>13803</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Molybdenum (Mo), 99.95%</td>
			<td>Summit-Tech</td>
			<td>N/A</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Tungsten (W), 99.95%</td>
			<td>Summit-Tech</td>
			<td>N/A</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>C-plane Sapphire substrate</td>
			<td>Summit-Tech</td>
			<td>X171999</td>
			<td>(0001) &#177; 0.2 &#176; one side polished</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>300 nm SiO2/Si substrate</td>
			<td>Summit-Tech</td>
			<td>2YCDDM</td>
			<td>P-type Si substrate, resistivity: 1-10 &#937; &#183; cm.</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Sample holder (sputtering system)</td>
			<td>Kao Duen Technology</td>
			<td>N/A</td>
			<td>Ceramic material</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Mechanical pump (sputtering system)</td>
			<td>Ulvac</td>
			<td>D-330DK</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Diffusion pump (sputtering system)</td>
			<td>Ulvac</td>
			<td>ULK-06A</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Mass flow controller</td>
			<td>Brooks</td>
			<td>5850E</td>
			<td>The maximum Argon flow is 400 mL/min</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Manual wheel Angle poppet valve</td>
			<td>King Lai</td>
			<td>N/A</td>
			<td>Vacuum range from 2500 ~1 &#215; 10-8 torr</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Raman measurement system</td>
			<td>Horiba</td>
			<td>Jobin Yvon LabRAM HR800</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Transmission electron microscopy</td>
			<td>Fei</td>
			<td>Tecnai G2 F20</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Petri dish</td>
			<td>Kwo Yi</td>
			<td>N/A</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Tweezer</td>
			<td>Venus</td>
			<td>2A</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Digital dry cabinet</td>
			<td>Jwo Ruey Technical</td>
			<td>DRY-60</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Dual-channel system sourcemeter</td>
			<td>Keithley</td>
			<td>2636B</td>
			<td></td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

preparation of large-area vertical 2d crystal hetero-structures through the sulfurization of transition metal films for device fabrication

Biz bu molibden (Mo) ve tungsten (W), geniş alan gibi Geçiş metalleri filmlerin sulfurization aracılığıyla göstermiştir ve Geçiş metalleri dichalcogenides (TMDs) ecek2 üniforma ve WS2 safir yüzeylerde hazırlanabilir. Metal film kalınlığı kontrol ederek, TMDs, tek bir katman aşağı iyi katman numara kontrol edilebilirlik bu büyüme tekniği kullanılarak elde edilebilir. Kükürt eksik koşul altında sulfurized Mo film elde edilen sonuçlara dayanarak, (a) düzlemsel PT2 büyüme ve (b) sulfurization işlem sırasında gözlenen Mo oksit segregasyon iki mekanizma vardır. Arka plan kükürt yeterli olduğunda, düzlemsel TMD büyüme bir üniforma PT2 filmde sulfurization işlemden sonra neden olur baskın büyüme mekanizması var. Arka plan kükürt eksik ise, Mo oksit segregasyon baskın büyüme mekanizması sulfurization yordam ilk aşamada olacaktır. Bu durumda, örnek birkaç katman PT2 ile kaplı Mo oksit kümeleri ile elde edilir. Sıralı Mo ifade/sulfurization ve W ifade/sulfurization yordamlar, dikey WS2/MoS2 hetero-yapılar büyüme kullanılarak oluşturulduktan sonra. WS2 ve PT2, sırasıyla karşılık gelen Raman tepeler ve bireysel 2D malzemeleri toplamı heteroseksüel yapısıyla aynı katman sayısını dikey 2D kristal başarılı kurulması doğruladı hetero-yapısı. WS2/MoS2 film öncesi desenli kaynak/drenaj elektrotlar ile SiO2/sı substrat üzerine aktardıktan sonra alt-kapı transistörde fabrikasyon olduğunu. Sadece ecek2 kanalları ile transistör ile karşılaştırıldığında, daha yüksek drenaj akımları WS2/MoS2 hetero-yapısı cihazın bu 2D kristal hetero-yapıları, üstün aygıt girişi ile sergiledi performans elde edilebilir. Sonuçları bu büyüme teknik 2D kristallerinin pratik uygulama için potansiyelini ortaya çıkardı.

Raman spektrumu ve bireysel PT2 ve sulfurization önceden yatırılan geçiş metallerin kullanarak fabrikasyon WS2 kesit HRTEM görüntülerini Şekil 1a-b17' de sırasıyla gösterilir. İki karakteristik Raman tepeler gözlenen PT2 hem WS2, uçak-karşılık <img alt="Equation 1" src="/files/ftp_upload/56494/56494eq1.jpg"> ve out-of-uçak bir1 g Fonon titreşim ...

Watch this Scientific Journal Video about Preparation of Large-area Vertical 2D Crystal Hetero-structures Through the Sulfurization of Transition Metal Films for Device Fabrication at JoVE.com

Preparation of Large-area Vertical 2D Crystal Hetero-structures Through the Sulfurization of Transition Metal Films for Device Fabrication

Önceden yatırılan geçiş metaller sulfurization, geniş alanlara ve dikey 2D kristal hetero-yapıları sahte olduğu. Film aktarma ve cihaz imalat işlemleri de bu raporda gösterilen.

Geniş alan dikey 2D Crystal Hetero-yapıları aracılığıyla geçiş metalleri filmleri Sulfurization cihaz imalat için hazırlanması

We have demonstrated that through the sulfurization of transition metal films such as molybdenum (Mo) and tungsten (W), large-area and uniform transition ...

preparation-large-area-vertical-2d-crystal-hetero-structures-through

Research

JoVE Journal

Engineering

9.1K Görüntüleme.  National Taiwan University. Önceden yatırılan geçiş metaller sulfurization, geniş alanlara ve dikey 2D kristal hetero-yapıları sahte olduğu. Film aktarma ve cihaz imalat işlemleri de bu raporda gösterilen.

Video: Preparation of Large-area Vertical 2D Crystal Hetero-structures Through the Sulfurization of Transition Metal Films for Device Fabrication

Fabrication And Characterization Of Photonic Crystal Slow Light Waveguides And Cavities

Slow light has been one of the hot topics in the photonics community in the past decade, generating great interest both from a fundamental point of view and for its considerable potential for practical applications. Slow light photonic crystal waveguides, in particular, have played a major part and have been successfully employed for delaying optical signals1-4 and the enhancement of both linear5-7 and nonlinear devices.8-11
Photonic crystal cavities achieve similar effects to that of slow light waveguides, but over a reduced band-width. These cavities offer high Q-factor/volume ratio, for the realization of optically12 and electrically13 pumped ultra-low threshold lasers and the enhancement of nonlinear effects.14-16 Furthermore, passive filters17 and modulators18-19 have been demonstrated, exhibiting ultra-narrow line-width, high free-spectral range and record values of low energy consumption.
To attain these exciting results, a robust repeatable fabrication protocol must be developed. In this paper we take an in-depth look at our fabrication protocol which employs electron-beam lithography for the definition of photonic crystal patterns and uses wet and dry etching techniques. Our optimised fabrication recipe results in photonic crystals that do not suffer from vertical asymmetry and exhibit very good edge-wall roughness. We discuss the results of varying the etching parameters and the detrimental effects that they can have on a device, leading to a diagnostic route that can be taken to identify and eliminate similar issues.
The key to evaluating slow light waveguides is the passive characterization of transmission and group index spectra. Various methods have been reported, most notably resolving the Fabry-Perot fringes of the transmission spectrum20-21 and interferometric techniques.22-25 Here, we describe a direct, broadband measurement technique combining spectral interferometry with Fourier transform analysis.26 Our method stands out for its simplicity and power, as we can characterise a bare photonic crystal with access waveguides, without need for on-chip interference components, and the setup only consists of a Mach-Zehnder interferometer, with no need for moving parts and delay scans.
When characterising photonic crystal cavities, techniques involving internal sources21 or external waveguides directly coupled to the cavity27 impact on the performance of the cavity itself, thereby distorting the measurement. Here, we describe a novel and non-intrusive technique that makes use of a cross-polarised probe beam and is known as resonant scattering (RS), where the probe is coupled out-of plane into the cavity through an objective. The technique was first demonstrated by McCutcheon et al.28 and further developed by Galli et al.29

Use of photonic crystal slow light waveguides and cavities has been widely adopted by the photonics community in many differing applications. Therefore fabrication and characterization of these devices are of great interest. This paper outlines our fabrication technique and two optical characterization methods, namely: interferometric (waveguides) and resonant scattering (cavities).

Fotonik Kristal Yavaş Işık Dalga Kılavuzları Ve Çürükler Üretimi ve Karakterizasyonu

Slow light has been one of the hot topics in the photonics community in the past decade, generating great interest both from a fundamental point of view ...

Mühendislik

Fabrication of VB2/Air Cells for Electrochemical Testing

A technique to investigate the properties and performance of new multi-electron metal/air battery systems is proposed and presented. A method for synthesizing nanoscopic VB2 is presented as well as step-by-step procedure for applying a zirconium oxide coating to the VB2 particles for stabilization upon discharge. The process for disassembling existing zinc/air cells is shown, in addition construction of the new working electrode to replace the conventional zinc/air cell anode with a the nanoscopic VB2 anode. Finally, discharge of the completed VB2/air battery is reported. We show that using the zinc/air cell as a test bed is useful to provide a consistent configuration to study the performance of the high-energy high capacity nanoscopic VB2 anode.

Fabrication of VB2/Air Cells for Electrochemical Testing

A protocol is presented to study multi-electron metal/air battery systems by using previous technology developed for the zinc/air cell. Electrochemical testing is then performed on fabricated batteries to evaluate performance.

VB Fabrikasyon<sub&gt; 2</subElektrokimyasal Test için&gt; / Hava Hücreleri

A technique to investigate the properties and performance of new multi-electron metal/air battery systems is proposed and presented. A method for ...

Fabrication of Low Temperature Carbon Nanotube Vertical Interconnects Compatible with Semiconductor Technology

We demonstrate a method for the low temperature growth (350 &#176;C) of vertically-aligned carbon nanotubes (CNT) bundles on electrically conductive thin-films. Due to the low growth temperature, the process allows integration with modern low-&#954; dielectrics and some flexible substrates. The process is compatible with standard semiconductor fabrication, and a method for the fabrication of electrical 4-point probe test structures for vertical interconnect test structures is presented. Using scanning electron microscopy the morphology of the CNT bundles is investigated, which demonstrates vertical alignment of the CNT and can be used to tune the CNT growth time. With Raman spectroscopy the crystallinity of the CNT is investigated. It was found that the CNT have many defects, due to the low growth temperature. The electrical current-voltage measurements of the test vertical interconnects displays a linear response, indicating good ohmic contact was achieved between the CNT bundle and the top and bottom metal electrodes. The obtained resistivities of the CNT bundle are among the average values in the literature, while a record-low CNT growth temperature was used.

A method for the growth of low temperature vertically-aligned carbon nanotubes, and the subsequent fabrication of vertical interconnect electrical test structures using semiconductor fabrication is presented.

Yarıiletken Teknolojisi ile uyumlu Düşük Sıcaklık Karbon Nanotüp Dikey Bağlantıları Fabrikasyon

We demonstrate a method for the low temperature growth (350 &#176;C) of vertically-aligned carbon nanotubes (CNT) bundles on electrically conductive ...

Preparation of Liquid-exfoliated Transition Metal Dichalcogenide Nanosheets with Controlled Size and Thickness: A State of the Art Protocol

We summarize recent advances in the production of liquid-exfoliated transition metal dichalcogenide (TMD) nanosheets with controlled size and thickness. Layered crystals of molybdenum disulphide (MoS2) and tungsten disulphide (WS2) are exfoliated in aqueous surfactant solution by sonication. This yields highly polydisperse mixtures containing nanosheets with broad size and thickness distributions. However, for most purposes, specific sizes (in terms of both lateral dimension and thickness) are required. For example, large and thin nanosheets are desired for (opto) electronic applications, while laterally small nanosheets are interesting for catalytic applications. Therefore, post-exfoliation size selection is an important step that we address here. We provide a detailed protocol on the efficient size selection in large quantities by liquid cascade centrifugation and the size and thickness quantification by statistical microscopic analysis (atomic force microscopy and transmission electron microscopy). The comparison of MoS2 and WS2 shows that both materials are size-selected in a similar way by the same procedure. Importantly, the dispersions of size-selected nanosheets show systematic changes in their optical extinction spectra with size due to edge and confinement effects. We show how these optical changes are related quantitatively to the nanosheets dimensions and describe how mean nanosheets length and layer number can be extracted reliably from the extinction spectra. The exfoliation and size selection protocol can be applied to a broad range of layered crystals as we have previously demonstrated for graphene, gallium sulphide (GaS) and black phosphorus.

A protocol for the liquid exfoliation of layered materials to nanosheets, their size selection and size measurement by microscopic and spectroscopic techniques is presented.

Sıvı dağılmış Geçiş Metal dikalkogenid Kontrollü Boyutu Nanosheets ve Kalınlığının Hazırlanması: Sanat Protokolü Bir Devlet

We summarize recent advances in the production of liquid-exfoliated transition metal dichalcogenide (TMD) nanosheets with controlled size and thickness. ...

Fabrication of 1-D Photonic Crystal Cavity on a Nanofiber Using Femtosecond Laser-induced Ablation

We present a protocol for fabricating 1-D Photonic Crystal (PhC) cavities on subwavelength-diameter tapered optical fibers, optical nanofibers, using femtosecond laser-induced ablation. We show that thousands of periodic nano-craters are fabricated on an optical nanofiber by irradiating with just a single femtosecond laser pulse. For a typical sample, periodic nano-craters with a period of 350 nm and with diameter gradually varying from 50 - 250 nm over a length of 1 mm are fabricated on a nanofiber with diameter around 450 - 550 nm. A key aspect of such a nanofabrication is that the nanofiber itself acts as a cylindrical lens and focuses the femtosecond laser beam on its shadow surface. Moreover, the single-shot fabrication makes it immune to mechanical instabilities and other fabrication imperfections. Such periodic nano-craters on nanofiber, act as a 1-D PhC and enable strong and broadband reflection while maintaining the high transmission out of the stopband. We also present a method to control the profile of the nano-crater array to fabricate apodized and defect-induced PhC cavities on the nanofiber. The strong confinement of the field, both transverse and longitudinal, in the nanofiber-based PhC cavities and the efficient integration to the fiber networks, may open new possibilities for nanophotonic applications and quantum information science.

We present a protocol for fabricating 1-D photonic crystal cavities on subwavelength diameter silica fibers (optical nanofibers) using femtosecond laser-induced ablation.

Femtosaniye Lazer kaynaklı Ablasyonu kullanarak nanolif 1-D Fotonik Kristal Kavitenin Fabrikasyon

We present a protocol for fabricating 1-D Photonic Crystal (PhC) cavities on subwavelength-diameter tapered optical fibers, optical nanofibers, using ...

Orientational Transition in a Liquid Crystal Triggered by the Thermodynamic Growth of Interfacial Wetting Sheets

In liquid crystal (LC) physical chemistry, molecules near the surface play a great role in controlling bulk orientation. Thus far, mainly to achieve desired molecular orientation states in LC displays, the "static" surface property of LCs, so-called surface anchoring, has been intensively studied. As a rule of thumb, once the initial orientation of LCs is "locked" by specific surface treatments, such as rubbing or treatment with a specific alignment layer, it hardly changes with temperature. Here, we present a system exhibiting an orientational transition upon temperature variation, which conflicts with the consensus. Right on the transition, the bulk LC molecules experience the orientational rotation, with 90&#176; between the planar (P) orientation at high temperatures and the vertical (V) orientation at low temperatures in the first-order transitional manner. We have tracked thermodynamic surface anchoring behavior by means of polarizing optical microscopy (POM), dielectric spectroscopy (DS), high-resolution differential scanning calorimetry (HR-DSC), and grazing incidence X-ray diffraction (GI-XRD) and reached a plausible physical explanation: that the transition is triggered by a growth of surface wetting sheets, which impose the V orientation locally against the P orientation in the bulk. This landscape would provide a general link explaining how the equilibrium bulk orientation is affected by surface-localized orientation in many LC systems. In our characterization, POM and DS are advantageous by offering information on the spatial distribution of the orientation of LC molecules. HR-DSC gives information about the precise thermodynamic information on transitions, which cannot be addressed by conventional DSC instruments due to limited resolution. GI-XRD provides information on surface-specific molecular orientation and short-range orderings. The goal of this paper is to present a protocol for preparing a sample that exhibits the transition and to demonstrate how the thermodynamic structural variation, both in the bulk and on surfaces, can be analyzed through the abovementioned methods.

Here, we present a protocol to trigger an orientational transition of a liquid crystal in response to temperature. Methodologies are described for preparing a sample in order to observe the transition and the detailed transitional evolution.

Yüzey Islatma Levhalarının Termodinamik Büyümesi ile tetiklenen Sıvı Kristalde Oryantasyon Geçişi

In liquid crystal (LC) physical chemistry, molecules near the surface play a great role in controlling bulk orientation. Thus far, mainly to achieve ...

Scalable Solution-processed Fabrication Strategy for High-performance, Flexible, Transparent Electrodes with Embedded Metal Mesh

Here, the authors report the embedded metal-mesh transparent electrode (EMTE), a new transparent electrode (TE) with a metal mesh completely embedded in a polymer film. This paper also presents a low-cost, vacuum-free fabrication method for this novel TE; the approach combines lithography, electroplating, and imprint transfer (LEIT) processing. The embedded nature of the EMTEs offers many advantages, such as high surface smoothness, which is essential for organic electronic device production; superior mechanical stability during bending; favorable resistance to chemicals and moisture; and strong adhesion with plastic film. LEIT fabrication features an electroplating process for vacuum-free metal deposition and is favorable for industrial mass production. Furthermore, LEIT allows for the fabrication of metal mesh with a high aspect ratio (i.e., thickness to linewidth), significantly enhancing its electrical conductance without adversely losing optical transmittance. We demonstrate several prototypes of flexible EMTEs, with sheet resistances lower than 1 &#937;/sq and transmittances greater than 90%, resulting in very high figures of merit (FoM) &#8211; up to 1.5 x 104 &#8211; which are amongst the best values in the published literature.

This protocol describes a solution-based fabrication strategy for high-performance, flexible, transparent electrodes with fully-embedded, thick metal mesh. Flexible transparent electrodes fabricated by this process demonstrate among the highest reported performances, including ultra-low sheet resistance, high optical transmittance, mechanical stability under bending, strong substrate adhesion, surface smoothness, and environmental stability.

Gömülü Metal Örgülü Yüksek Performanslı, Esnek, Şeffaf Elektrotlar için Ölçeklenebilir Çözeltiyle İşlenmiş Üretim Stratejisi

Here, the authors report the embedded metal-mesh transparent electrode (EMTE), a new transparent electrode (TE) with a metal mesh completely embedded in a ...

Preparation of Liquid Crystal Networks for Macroscopic Oscillatory Motion Induced by Light

A strategy based on doped liquid crystalline networks is described to create mechanical self-sustained oscillations of plastic films under continuous light irradiation. The photo-excitation of dopants that can quickly dissipate light into heat, coupled with anisotropic thermal expansion and self-shadowing of the film, gives rise to the self-sustained deformation. The oscillations observed are influenced by the dimensions and the modulus of the film, and by the directionality and intensity of the light. The system developed offers applications in energy conversion and harvesting for soft-robotics and automated systems.
The general method described here consists of creating free-standing liquid crystalline films and characterizing the mechanical and thermal effects observed. The molecular alignment is achieved using alignment layers (rubbed polyimide), commonly used in the display manufacturing industry. To obtain actuators with large deformation, the mesogens are aligned and polymerized in a splay/bend configuration, i.e., with the director of the liquid crystals (LCs) going gradually from planar to homeotropic through the film thickness. Upon irradiation, the mechanical and thermal oscillations obtained are monitored with a high-speed camera. The results are further quantified by image analysis using an image processing program.

The goal of the protocol is to create liquid crystalline polymer films that can mechanically oscillate under continuous light irradiation. We describe in great detail the conception of free-standing films, from the liquid crystal alignment method to the photo-actuation. The experimental protocol applied to prepare this material is broadly applicable.

Işık tarafından indüklenen makroskopik salınım hareketi için sıvı kristal ağlar hazırlanması

A strategy based on doped liquid crystalline networks is described to create mechanical self-sustained oscillations of plastic films under continuous ...

Fabrication of Ultra-thin Color Films with Highly Absorbing Media Using Oblique Angle Deposition

Ultra-thin film structures have been studied extensively for use as optical coatings, but performance and fabrication challenges remain.&#160; We present an advanced method for fabricating ultra-thin color films with improved characteristics. The proposed process addresses several fabrication issues, including large area processing. Specifically, the protocol describes a process for fabricating ultra-thin color films using an electron beam evaporator for oblique angle deposition of germanium (Ge) and gold (Au) on silicon (Si) substrates.&#160; Film porosity produced by the oblique angle deposition induces color changes in the ultra-thin film. The degree of color change depends on factors such as deposition angle and film thickness. Fabricated samples of the ultra-thin color films showed improved color tunability and color purity. In addition, the measured reflectance of the fabricated samples was converted into chromatic values and analyzed in terms of color. Our ultra-thin film fabricating method is expected to be used for various ultra-thin film applications such as flexible color electrodes, thin film solar cells, and optical filters. Also, the process developed here for analyzing the color of the fabricated samples is broadly useful for studying various color structures.

We present a detailed method for fabricating ultra-thin color films with improved characteristics for optical coatings. The oblique angle deposition technique using an electron beam evaporator allows improved color tunability and purity. Fabricated films of Ge and Au on Si substrates were analyzed by reflectance measurements and color information conversion.

Eğik açısı ifade kullanarak medya yüksek emici ile Ultra ince renk filmleri imalatı

Ultra-thin film structures have been studied extensively for use as optical coatings, but performance and fabrication challenges remain.&#160; We present ...

Atmospheric Pressure Fabrication of Large-Sized Single-Layer Rectangular SnSe Flakes

Tin selenide (SnSe) belongs to the family of layered metal chalcogenide materials with a buckled structure like phosphorene, and has shown potential for applications in two-dimensional nanoelectronics devices. Although many methods to synthesize SnSe nanocrystals have been developed, a simple way to fabricate large-sized single-layer SnSe flakes remains a great challenge. Herein, we show the experimental method to directly grow large-sized single-layer rectangular SnSe flakes on commonly used SiO2/Si insulating substrates using a straightforward two-step fabrication method in an atmospheric pressure quartz tube furnace system. The single-layer rectangular SnSe flakes with an average thickness of ~6.8 &#197; and lateral dimensions of about 30 &#181;m &#215; 50 &#181;m were fabricated by a combination of vapor transport deposition technique and nitrogen etching route. We characterized the morphology, microstructure, and electrical properties of the rectangular SnSe flakes and obtained excellent crystallinity and good electronic properties. This article about the two-step fabrication method can help researchers grow other similar two-dimensional, large-sized, single-layer materials using an atmospheric pressure system.

A protocol is presented demonstrating a two-step fabrication technique to grow large-sized single-layer rectangular shaped SnSe flakes on low-cost SiO2/Si dielectrics wafers in an atmospheric pressure quartz tube furnace system.

Tek katmanlı dikdörtgen SnSe büyük ölçekli pul imalatı atmosfer basıncı

Tin selenide (SnSe) belongs to the family of layered metal chalcogenide materials with a buckled structure like phosphorene, and has shown potential for ...