이 연구는 중국의 젊은 과학자, 국립 자연 과학 재단의 중국 (보조금 번호 51472164), A 1000 재능 프로그램에 의해 지원 되었다 * 스타 Pharos 프로그램 (그랜트 No. 152 70 00014), 그리고 고급 2d 누스 센터에서 지원 시설 재료입니다.

주의: 화학 및이 작업에 사용 되는 가스 중 일부는 독성, 발암 성, 가연성 및 폭발성입니다. 공학적 통제 (증기 두건) 및 개인 보호 장비 (안전 안경, 전문 보호 마스크, 장갑, 랩 코트, 전체 길이의 사용을 포함 한 증기 수송 증 착을 수행할 때 모든 적절 한 안전 관행을 사용 하시기 바랍니다 바지, 그리고 폐쇄 발가락 신발).
1. 자동 조정 기능 온도 컨트롤러 매개 변수
참고: SnSe 조각의 합성 하기 전에 보일 러의 난방 시스템 제조 업체의 설명서에 따라 보정을 해야 합니다.
<ol><li>가장 일반적으로 사용 온도 80% 대상 온도 설정 합니다. 여기, 560 oC h 1에 대 한 설정 하 고 보일 러 실행.</li>
	<li>온도 560 oC를 접근 하는 때, 1 키 2 s, 매개 변수 "HAL" 팝업 노트 및 언론 "집합"에 대 한 "SET" 키를 누르면 s가 다음 매개 변수를.</li>
	<li>"SET" 키를 눌러 계속 합니다. 후 "계속 = 3" 나타납니다, 그것을 2로 설정. 시스템 자동 조정 기능 Int, 프로 및 Lt, 값에 밖으로 일을 시작 하 고 시스템 3에 갈 것 이다. 자동-조정, 필요할 때 2로 설정 합니다.</li>
</ol>2. 전처리의 석 영 튜브와 세라믹 배
참고: SnSe 조각의 합성 하기 전에 청소 과정은 새로운 세라믹 보트와 새로운 석 영 튜브 필수, 높은 온도 청소용.
<ol><li>새로운 1 인치 직경 석 영 튜브 안에 새로운 세라믹 보트를 배치 합니다. 새로운 2 인치 직경 석 영 튜브와 수평 관으로 내부의 1 인치 직경 석 영 튜브를 놓습니다. 튜브의 양쪽 끝은 단단히 고정 하 고 지원 확인 하십시오.</li>
	<li>로 뚜껑 닫고 1000 oC 30 분 이상 튜브로 열.</li>
	<li>보일 러의 중앙에 온도 1000 oC 접근 때로 1000 oC 30 분 유지. 다음, 점차적으로 이동 튜브로 한쪽 끝에서 다른 세라믹 배 석 영 튜브 벽을 청소에 대 한 튜브의 전체 길이 열.</li>
	<li>이 후, 보일 러를 해제 하 여 실내 온도에 냉각 튜브로 수 있습니다. 보일 러가 실내 온도에 냉각 하 고 때로 뚜껑을 열고 새로운 세라믹 보트 및 후속 실험을 위해 사용 될 수 있는 새로운 1 인치 직경 석 영 튜브, 밖으로 데리고.</li>
</ol>3. 전처리 SiO 2 /Si 기판
<ol><li>SiO2/Si 웨이퍼 (300 nm 두꺼운 SiO2 무 겁 게도 핑된 시에)를 잘라 ( 재료의 표참조) 성장 기판으로 사용 되는 적절 한 크기 (약 1.5 c m × 2 c m)으로 다이아몬드 선 침을 사용 하 여.</li>
	<li>아세톤, 소 프로 파 놀, 그리고 물, 질소 타격 건조에 따라 SiO2/Si 기판 청소.</li>
</ol>4. 합성 대량 직사각형의 모양 SnSe 조각
<ol><li>장소 0.010 g SnSe 깨끗 한 세라믹 배에서 ( 재료의 표참조) 파우더. 세라믹 배, SnSe 분말 성장 면에 깨끗 한 SiO2/Si 기판 (약 1.5 c m × 2 c m)를 배치 합니다. 위치는 깨끗 한 1 인치 직경 석 영 튜브 내부 세라믹 보트입니다.</li>
	<li>외부에, 2-인치 직경 석 영 튜브와 수평 관으로 내부의 1 인치 직경 석 영 튜브를 놓고 세라믹 보트 튜브로가 열 영역의 상류 위치 인지 확인 합니다. 튜브의 양쪽 끝에 플랜지를 강화 하 고 2 인치 직경 석 영 튜브 물개 환기 밸브를 닫습니다.</li>
	<li>석 영 튜브, 펌프 튜브에 공기와 습기를 제거 하 ~ 1 × 10-2 mbar의 압력 튜브에 연결 하는 펌프를 켭니다. 그 압력을 달성 후 펌프를 해제 합니다.</li>
	<li>캐리어 가스 밸브, 가스 흐름을 제어 하는 가스 흐름 미터를 사용 하 여 엽니다. 40 분 (sccm) 아칸소 당 표준 입방 cm 및 10 sccm H2 (순도: 99.9%)에 석 영 튜브 대기압 달성 될 때까지. 석 영 튜브에 가스의 지속적인 흐름을 허용 하도록 환기 밸브를 엽니다.</li>
	<li>로 뚜껑 닫고 빠르게는 35 oC 당 분가 열 속도와 튜브로 열.</li>
	<li>보일 러의 중앙에 온도 700 oC를 접근 하는 때, 신속 하 게 SnSe 분말으로 중심에 위치를 튜브로 이동. SnSe 분말이 증발 할 것 이다, 그리고 SnSe 조각 대량 SiO2/Si 표면에 입금 됩니다.</li>
	<li>15 분 성장 시간 후 신속 하 게 튜브로 실내 온도에 냉각로 뚜껑을 엽니다. 한편, Ar/H2 캐리어 가스를 최대, unreacted 가스 또는 튜브에서 입자를 드라이브에 도움이 될 것입니다의 흐름을 조정 합니다. 성장 과정 완료 될 때 대량 SnSe 조각 SiO2/Si 기판의 표면에 얻을 것 이다.</li>
</ol>5. 제조 단일 레이어 사각형의 모양 SnSe 조각
<ol><li>대량으로 재배 SnSe/SiO2/Si 샘플 얼굴을 새로운 깨끗 한 세라믹 보트에 놓습니다. 위치는 새로운 깨끗 한 1 인치 직경 석 영 튜브 내부 세라믹 보트입니다.</li>
	<li>위치한 세라믹 보트 2-인치 직경 석 영 튜브, 수평 관으로 내부의 1 인치 직경 석 영 튜브를 넣어 튜브로가 열 영역의 업스트림. 튜브의 양쪽 끝에 플랜지를 강화 하 고 2 인치 직경 석 영 튜브를 봉인 하기 위해 환기 밸브를 닫습니다.</li>
	<li>석 영 튜브, 튜브에 공기와 습기를 제거 하 ~ 1 × 10-2 mbar의 압력 튜브 펌프에 연결 하는 펌프를 켭니다. 달성 한 후 펌프를 해제 합니다.</li>
	<li>가스 유량 계를 사용 하 여 가스 흐름을 제어 하는 캐리어 가스 밸브를 엽니다. 50 sccm N2 를 소개 (순도: 99.9%)에 석 영 튜브 대기압 달성 될 때까지. 석 영 튜브에 가스의 지속적인 흐름을 허용 하도록 환기 밸브를 엽니다.</li>
	<li>로 뚜껑 닫고 빠르게 700 oC에서 20 분을 튜브로 열.</li>
	<li>때로의 중심에 온도 접근 700 oC, 신속 하 게 대량 SnSe/SiO2/Si 샘플으로 중심에 위치를 튜브로 이동 합니다.</li>
	<li>700 oC 에칭 프로세스를 완료 하려면 ~ 5-20 분에 대 한에 유지 관리 합니다. 그 후, 보일 러 뚜껑 열고 신속 하 게 튜브로 실내 온도에 냉각. 한편, unreacted 가스 또는 튜브에서 입자를 드라이브에 도움이 될 것 입 최대 N2 가스의 흐름을 유지. 에칭 과정 완료 되 면 단일 레이어 직사각형 모양의 SnSe 조각 SiO2/Si 기판의 표면에 관찰. 참고: 에칭 가스 및 에칭 시간이이 과정에는 주요 제어 요소는. 에칭 메커니즘 참조 29에에서 조사, 그래서 대 한 자세한 내용은 참조 29를 참조.</li>
</ol>

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	<li>Geim, A. K., Novoselo, K. S. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=The+Rise+of+Graphene.">The Rise of Graphene.</a> Nature Mater. 6, 183-191 (2007).</li><li>Chhowalla, M., Shin, H. S., Eda, G., Li, L. -. J., Loh, K. P., Zhang, H. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=The+Chemistry+of+Two-Dimensional+Layered+Transition+Metal+Dichalcogenide+Nanosheets.">The Chemistry of Two-Dimensional Layered Transition Metal Dichalcogenide Nanosheets.</a> Nat. Chem. 5, 263-275 (2013).</li><li>Zhang, W., Wang, Q., Chen, Y., Wang, Z., Wee, A. T. 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S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Large-Scale+Pattern+Growth+of+Graphene+Films+for+Stretchable+Transparent+Electrodes.">Large-Scale Pattern Growth of Graphene Films for Stretchable Transparent Electrodes.</a> Nature. 457, 706-710 (2009).</li><li>Shalom, M., Gimenez, S., Schipper, F., Herraiz-Cardona, I., Bisquert, J., Antonietti, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Controlled+Carbon+Nitride+Growth+on+Surfaces+for+Hydrogen+Evolution+Electrodes.">Controlled Carbon Nitride Growth on Surfaces for Hydrogen Evolution Electrodes.</a> Angew. 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C. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Mixed-dmensional+van+der+Waals+Heterostructures.">Mixed-dmensional van der Waals Heterostructures.</a> Nature Mater. 16, 170-181 (2017).</li><li>Late, D. J., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=GaS+and+GaSe+Ultrathin+Layer+Transistors.">GaS and GaSe Ultrathin Layer Transistors.</a> Adv. Mater. 24, 3549-3554 (2012).</li><li>Klein, A., Lang, O., Schlaf, R., Pettenkofer, C., Jaegermann, W. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Electronically+Decoupled+Films+of+InSe+Prepared+by+van+der+Waals+Epitaxy:+Localized+and+Delocalized+Valence+States.">Electronically Decoupled Films of InSe Prepared by van der Waals Epitaxy: Localized and Delocalized Valence States.</a> Phys. Rev. Lett. 80, 361-364 (1998).</li><li>Gomes, L. C., Carvalho, A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Phosphorene+Analogues:+Isoelectronic+Two-Dimensional+Group-IV+Monochalcogenides+with+Orthorhombic+Structure.">Phosphorene Analogues: Isoelectronic Two-Dimensional Group-IV Monochalcogenides with Orthorhombic Structure.</a> Phys. Rev. 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D., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Ultralow+Thermal+Conductivity+and+High+Thermoelectric+Figure+of+Merit+in+SnSe+Crystals.">Ultralow Thermal Conductivity and High Thermoelectric Figure of Merit in SnSe Crystals.</a> Nature. 508, 373-377 (2014).</li><li>Zhao, L. D., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Ultrahigh+Power+Factor+and+Thermoelectric+Performance+in+Hole-Doped+Single-Crystal+SnSe.">Ultrahigh Power Factor and Thermoelectric Performance in Hole-Doped Single-Crystal SnSe.</a> Science. 351, 141-144 (2016).</li><li>Bhatt, V. P., Gireesan, K., Pandya, G. R. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Growth+and+Characterization+of+SnSe+and+SnSe2+Single+Crystals.">Growth and Characterization of SnSe and SnSe2 Single Crystals.</a> J. Cryst. Growth. 96, 649-651 (1989).</li><li>Yu, J. G., Yue, A. S., Stafsudd, O. M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Growth+and+Electronic+Properties+of+the+SnSe+Semiconductor.">Growth and Electronic Properties of the SnSe Semiconductor.</a> J. Cryst. Growth. 54, 248-252 (1981).</li><li>Zhang, L., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Tinselenidene:+a+Two-dimensional+Auxetic+Material+with+Ultralow+Lattice+Thermal+Conductivity+and+Ultrahigh+Hole+Mobility.">Tinselenidene: a Two-dimensional Auxetic Material with Ultralow Lattice Thermal Conductivity and Ultrahigh Hole Mobility.</a> Sci. Rep. 6 (1-9), (2016).</li><li>Liu, X., Li, Y., Zhou, B., Wang, X., Cartwright, A. N., Swihart, M. T. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Shape-Controlled+Synthesis+of+SnE+(E=S,+Se)+Semiconductor+Nanocrystals+for+Optoelectronics.">Shape-Controlled Synthesis of SnE (E=S, Se) Semiconductor Nanocrystals for Optoelectronics.</a> Chem. Mater. 26, 3515-3521 (2014).</li><li>Franzman, M. A., Schlenker, C. W., Thompson, M. E., Brutchey, R. L. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Solution-Phase+Synthesis+of+SnSe+Nanocrystals+for+Use+in+Solar+Cells.">Solution-Phase Synthesis of SnSe Nanocrystals for Use in Solar Cells.</a> J. Am. Chem. Soc. 132, 4060-4061 (2010).</li><li>Baumgardner, W. J., Choi, J. J., Lim, Y. -. F., Hanrath, T. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=SnSe+Nanocrystals:+Synthesis,+Structure,+Optical+Properties,+and+Surface+Chemistry.">SnSe Nanocrystals: Synthesis, Structure, Optical Properties, and Surface Chemistry.</a> J. Am. Chem. Soc. 132, 9519-9521 (2010).</li><li>Boscher, N. D., Carmalt, C. J., Palgrave, R. G., Parkin, I. P. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Atmospheric+Pressure+Chemical+Vapour+Deposition+of+SnSe+and+SnSe+2+Thin+Films+on+Glass.">Atmospheric Pressure Chemical Vapour Deposition of SnSe and SnSe 2 Thin Films on Glass.</a> Thin Solid Films. 516, 4750-4757 (2008).</li><li>Zhao, S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Controlled+Synthesis+of+Single-Crystal+SnSe+Nanoplates.">Controlled Synthesis of Single-Crystal SnSe Nanoplates.</a> Nano Res. 8, 288-295 (2015).</li><li>Li, L., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Single-Layer+Single-Crystalline+SnSe+Nanosheets.">Single-Layer Single-Crystalline SnSe Nanosheets.</a> J. Am. Chem. 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공개 하는 것이 없다.

여기, 증기 수송 증 착 방법 및 질소는 대기 압력 시스템에서 기법 에칭의 조합 처음 보고 됩니다. 이 프로토콜에서 중요 한 단계는 단일 레이어 SnSe 조각 제작의 섹션입니다.
대량 샘플 높은-품질 단일 레이어 샘플 형태로 새겨져 있을 수 있습니다, 비록 대량 샘플의 두께 균일 해야 하며 대량 샘플의 분해 온도 에칭 온도 보다 높아야 한다. 결과 샘플 때문에 에칭 완전히 되 고 대부분 대량 샘플 낮은 범위 밀도가 있다.
스캐닝 터널링 현미경 (STM)의 응용 프로그램에 대 한 단일 레이어 샘플의 보험 밀도 충분 하지 않습니다. 그러나, 광전자 소자의 응용 프로그램에 대 한 보험 밀도 만족. 새로운 2D 그룹 IV monochalcogenides 자료에 관심이 최근 증가 하고있다, 우리가이 간단한 2 단계 제조 기술에 확장 될 수 있습니다 및 다른 사람 다른 대형 높은-품질의 준비에 도움이 될 것입니다 생각 ultrathin 2D 자료입니다.
장기 안정성, XRD 분석 및 SnSe 조각의 라만 특성의 조사 다른29를찾을 수 있습니다.

2 차원 (2D) 자료에 대 한 연구는 그들의 대량 대응1 우수한, 광학, 전기 및 기계적 속성을가지고 2D 자료의 가능성으로 인해 그래 핀의 성공적인 분리 이후 최근 몇 년 동안에 피어 , 2 , 3 , 4 , 5. 2D 자료 분산 감지 8,9, 표면 강화 라만 분할 하는 물, 촉매 및 전자 기기6,7, 광전자 유망한 응용 프로그램 표시 10,11, 등 2D 자료로는 피부 박피 수 있는 계층화 된 물자의 큰 가족 보기 좋은 다양성, 반도체 전이 금속 dichalcogenides (TMDs 반 금속 그래 핀에서까지 ) 검은 단 열 6 각형 붕 소 질 화물 (h-BN)을 인 (BP). 이러한 자료와 그들의 heterostructures 최근 몇 년 동안, 잘 공부 된 많은 소설 속성 및 응용 프로그램12전시 하 고 있다. 덜 공부 하는 다른, 하지만 자료는 IIIA에 계층화 된 동등 하 게 2D 약속-(가스, GaSe, 및 곤충)13,14 및 IVA 통해-16,17 가족 (릿지, GeSe, SnS)15,를 통해 있다 또한 최근 받은 관심.
SnSe는 IVA에 속한다-그룹을 통해 및 원자 pnma 공간 그룹에서 배열 하 고 phosphorene의 결정 구조 같은 계층 내에서 묶 었와 orthorhombic 구조에서 결정 한다. SnSe 0.6 eV의 밴드 갭 좁은 간격 반도체 하지만 더 잘 알려진, 더 독특한 열전 속성에 대 한 그것으로 보고 923 K18,19 에서 2.6의 매우 높은 ZT (열전 그림 실력의) 값을가지고 는 그것의 독특한 전자 구조 및 낮은 열 전도성에 기인 했다. 대량 SnSe 크리스탈 상업적으로 사용할 수 있습니다 및 알려진된 방법으로 성장 될 수 있다, 하는 동안 방법 Stockbarger 방법20 또는 화학 수증기 수송 방법 등21, 성장 하는 큰 크기의 유 전체에 몇 가지 레이어 및 단일 레이어 SnSe 기판은 더 많은 도전. 매우 지향적인된 pyrolytic 흑연 (hopg 총 현재), 운 모, SiO2, Si3N4, 유리 등의 2D 소재 성장을 지원 하기 위해 많은 기질을 확인 하 고 있습니다. 저 비 SiO2 유는 가장 일반적으로 사용 되는 기판, field-effect 트랜지스터, 제조는 유 전기 뒷문의 일환으로 봉사 수 있습니다. 그래 핀 및 TMDs와 달리 우리의 경험에서 그것은 몇 레이어 또는 단일 레이어 SnSe 조각 micromechanical 각 질 제거 방법으로 얻기 어려운 대량 SnSe는 interlayer 바인딩 에너지22 32 meV의 높은 /2, 두께에 이르게 Å 레이어, exfoliated 조각의 가장자리를 따라도. 따라서, 공부 하 고 몇 가지 레이어 및 단일 레이어 SnSe의 새로운 전자 속성, 새로운 간단 하 고 저렴 한 비용 합성 메서드 고품질 대형 단일 레이어 SnSe 절연 기판에 크리스탈을 준비 하는 필요, 특히 SnSe는 이후 위대한 약속 낮은 중간 온도 범위19에서 에너지 변환 위한 열전 응용 프로그램에 대 한 후보자로 표시.
몇몇 연구원은 고품질 SnSe 결정을 합성 하는 방법을 개발 했습니다. 리 우 외. 23 , Franzman 외. 24 SnSe 나노 양자 점, nanoplates, 단일 결정 nanosheets, nanoflowers, 및 SnCl2 와 알 킬-phosphine-셀레늄 또는 dialkyl nanopolyhedra 등 다른 형태의 합성 솔루션 단계 방법을 사용 선구자로 diselenium입니다. Baumgardner 외. 25 bis[bis(trimethylsilyl)amino]tin(II) 뜨거운 trioctylphosphine, 주입 하 여 콜 로이드 SnSe 나노 입자 합성 그리고 그들은 직경에서 4 ~ 10 nm의 나노. Boscher 외. 26 주석 사염화 비율 10 diethyl 셀 렌, 그리고 그들의 합성 보다 큰 주석 사염화 및 diethyl 셀 렌 유도체를 사용 하 여 유리 기판에 SnSe 영화를 대기압 화학 증기 증 착 기법을 사용 SnSe 영화 했다 약 100 nm 두께 모양에 실버-블랙. 조 외. 27 사용 낮은 진공 시스템에 전송 증 착을 증기와 합성 운 모 기판에 단일-크리스탈 SnSe nanoplates 1-6 µ m의 정사각형 nanoplates을 얻은. 그러나, 단일 레이어 SnSe 취득 결정 되지 않습니다 이러한 기법을 사용 하 여. 리 외. 28 성공적으로 단일 레이어 단일 크리스탈 SnSe nanosheets SnCl4 와 서구2 단계인 한 냄비 합성 방법을 사용 하 여 합성. 그러나, 그들은 했다만 약 300의 가로 크기를 얻을 수 그들의 nanosheets에 대 한 nm. 우리는 최근 우리의 방법을 높은 품질, 대형 단계 순수29는 단일 레이어 SnSe 결정 성장 출판. 이 상세한 프로토콜은 다른 대형 고급 ultrathin 2D 자료가이 방법론을 사용 하 여 성장에 새로운 실무자 수 있도록 것입니다.

<table border="0" cellpadding="0" cellspacing="0" width="1083">
	<tbody>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:283px;">SnSe powder&#160;&#160;</td>
			<td style="width:295px;">Sigma-Aldrich</td>
			<td style="width:159px;">1315-06-6</td>
			<td style="width:347px;">(99.999%) toxic, carcinogenic</td>
		</tr>
		<tr height="28">
			<td height="28" style="height:28px;width:283px;">Ar gas</td>
			<td style="width:295px;"></td>
			<td style="width:159px;"></td>
			<td>explosive</td>
		</tr>
		<tr height="32">
			<td height="32" style="height:32px;width:283px;">H2 gas</td>
			<td style="width:295px;"></td>
			<td style="width:159px;"></td>
			<td>flammable, explosive</td>
		</tr>
		<tr height="32">
			<td height="32" style="height:32px;">SiO2/Si wafer</td>
			<td style="width:295px;"></td>
			<td style="width:159px;"></td>
			<td>300 nm thick SiO2 on heavily doped Si</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;">Acetone</td>
			<td style="width:295px;">Sigma-Aldrich</td>
			<td>67-64-1</td>
			<td>toxic, flammable</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;">Isopropanol</td>
			<td style="width:295px;">Sigma-Aldrich</td>
			<td>67-63-0</td>
			<td>flammable</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;">Quartz tube</td>
			<td>Dongjing Quartz Company, China</td>
			<td style="width:159px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:283px;">Ceramic boat</td>
			<td style="width:295px;">Dongjing Quartz Company, China</td>
			<td style="width:159px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:283px;">Optical microscope</td>
			<td style="width:295px;">Olympus, BX51</td>
			<td style="width:159px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:283px;">Atomic force microscopy</td>
			<td style="width:295px;">Bruker&#160;</td>
			<td style="width:159px;"></td>
			<td>Using FastScan-A probe type&#160; and ScanAsyst-air</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:283px;">Scanning electron microscopy&#160;</td>
			<td style="width:295px;">JEOL JSM-6700F</td>
			<td style="width:159px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:283px;">transmission electron microscopy</td>
			<td style="width:295px;">FEI Titan</td>
			<td style="width:159px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:283px;">Tube furnace</td>
			<td style="width:295px;">MTI Corporation</td>
			<td style="width:159px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

atmospheric pressure fabrication of large-sized single-layer rectangular snse flakes

주석 셀 렌 (SnSe) phosphorene, 같은 버클 채운된 구조와 계층된 금속 칼코게나이드 물질의 가족에 속한다 고 차원 일렉트로닉스 장치에 응용 프로그램에 대 한 잠재적인 보이고 있다. SnSe 나노 합성 많은 방법은 개발 되었다, 단일 레이어 SnSe 조각 대형 조작 하는 간단한 방법은 큰 도전 남아 있다. 여기, 우리가 직접 대형 단일 레이어 사각형 SnSe 일반적으로 사용 되 SiO2/Si 기판 대기압 석 영 튜브에서 간단한 2 단계 제조 방법을 사용 하 여 절연에 부스러기를 성장 실험 방법을 보여줍니다. 로 시스템입니다. 단일 레이어 사각형 SnSe ~6.8 Å의 평균 두께를 조각 하 고 약 30 µ m × 50 µ m의 측면 크기 증기 증 착 기술과 질소 에칭 경로 전송의 조합에 의해 조작 했다. 우리는 형태학, 미세, 고 사각형 SnSe 부스러기의 전기적 특성을 특징 하 고 우수한 결정성 및 좋은 전자 속성을 획득. 2 단계 제조 방법에 대 한이 기사는 대기 압력 시스템을 사용 하 여 다른 유사한 2 차원, 대형, 단일 레이어 물질 성장 연구원을 도울 수 있다.

실험 장치, 광학 이미지, 원자 힘 현미경 (AFM) 이미지, 스캐닝 전자 현미경 (SEM) 이미지, 그리고 전송 전자 현미경 (TEM) 이미지 조작 SnSe 조각의 도식 다이어그램 그림 1에 나와 있습니다. 그림 2및 그림 3 광학 이미지는 전통적인 광학 현미경에 의해 수행 됩니다. 접 안 렌즈 렌즈는 10 배, 그리고 객 관 렌즈는 20 X, X, 50 및 100 X. 노출 시간은 약 0.3 초입니다. 얻은 광학 이미지의 해상도 1, 376 × 1, 038. 스캔 크기 1의 가로 세로비 30 µ m 이다. X 및 Y 오프셋 및 각도 모두 0으로 설정 됩니다. 스캔 속도가 512 샘플/라인 3.92 Hz입니다. 통합 이득 및 비례 이득 1.000 5.000로 각각 설정 됩니다. 진폭 기준, 드라이브 주파수 및 진폭 208.9 설정 mV, 1400.789 KHz, 85.14 mV, 각각. SEM 및 TEM 이미지 30에서 운영 하는 전자 현미경에서 수행한 kV 및 200 kV, 각각.
그림 1 선구자 SnSe 분말, 대형 직사각형 대량 SnSe 조각 대기압 석 영에서 증기 수송 증 착 기술을 통해 성장 SiO2/Si 표면에 증발의 과정을 보여 줍니다. 튜브 시스템입니다. 단일 레이어 SnSe 조각 조작, 하 우리는 질소 에칭에 대 한 인접 한 관으로 대량으로 재배 SnSe/SiO2/Si 샘플 전송. 우리가 어떤 열/화학 치료 방법을 사용 하지 않았다도 아니다 그들을 성장 과정 후 필요한 이었다.
<img alt="Figure 1" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/57023/57023fig1.jpg"> 그림 1: 합성. 실험 기구 및 합성의 과정을 보여주는 도식 다이어그램 대량 직사각형 SnSe 조각 및 단일 레이어 사각형 SnSe 부스러기의 제조. <a href="//cloudflare-jove-com.remotexs.ntu.edu.sg/files/ftp_upload/57023/57023fig1large.jpg" target="_blank">이 그림의 더 큰 버전을 보려면 여기를 클릭 하십시오.</a>
그림 2 에 광학 현미경 및 AFM 특성화로 합성 대량 및 단일 레이어 SnSe 조각의 형태학의 보여 줍니다. 우리는 대량 및 단일 레이어 SnSe 조각은 대략 직사각형 그리고 무작위로 SiO2/Si 기판에 성장 발견. 그림 2a -d 와 그림 2f-i: 우리는 단일 레이어 단일 결정 SnSe nanosheets Li 외. 여 보다 약 200 배 더 큰 크기에서 약 30 µ m × 50 µ m SnSe 조각 획득 28 그림 2e 약 54.9 ± 5.6 nm의 두께 가진 평면을 드러내는 전형적인 합성된 대량 SnSe 플레이크의 해당 선 프로 파일 AFM 이미지를 보여 줍니다. 우리는 ~6.8 ± 1.4의 두께 측정 Å 울트라 얇은 직사각형 SnSe 조각 (그림 2j), 이론적인 값18Å 5.749의 단일 레이어 SnSe의 가까이.
<img alt="Figure 2" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/57023/57023fig2.jpg"> 그림 2: SnSe 조각의 이미지. 대량으로 합성 (-d) 및 단일 레이어 (f-i) 직사각형의 광학 이미지 SnSe 조각 모양. 대량 (e) 및 단일 레이어 (j) 직사각형의 전형적인 AFM 이미지 SnSe 조각 조각 가장자리의 (a)와 (f), 각각 모양. 저작권: IOP 게시 (권한이 필요한 재현). 이 수치는 장 외 에서 수정 29 <a href="//cloudflare-jove-com.remotexs.ntu.edu.sg/files/ftp_upload/57023/57023fig2large.jpg" target="_blank">이 그림의 더 큰 버전을 보려면 여기를 클릭 하십시오.</a>
마이크로 구조와 화학 조성으로 합성 샘플의 분석, 우리 특징 대량 및 단일 레이어 SnSe 조각 현미경과 에너지 분산 x-선 분석 (EDX). 그림 3a -b 대량 및 단일 레이어 SnSe 조각, SiO2/Si 웨이퍼의 표면에 무작위로 배포의 일반적인 SEM 이미지를 보여줍니다. 우리는 대량 및 단일 레이어 SnSe 조각은 약 직사각형 약 30 µ m × 50 µ m의 광학 현미경 이미지 (그림 2)에서 얻은 결과와 우수한 계약에서 볼 수 있습니다. EDX 스펙트럼 (그림 3c) 화학 량 론 SnSe 고 하지 SnSe2대량으로 합성 샘플에서 Sn 및 Se 1:0.92 원자 비율을 보여줍니다. 그림 3d 전송된 SnSe 파편의 전형적인 가장 이미지를 보여줍니다. 단일 레이어 SnSe 조각의 선택된 영역의 전자 회절 패턴 (저장) 명확 하 게 전시 하는 우리의 샘플 단일 크리스털을 나타내는 한 기가 대칭 회절 패턴 (그림 3e), 자연에서. 단일 레이어 SnSe 조각은 일반적으로 동쪽을 향한 [100] 비행기 방향을 따라는 저장 또한 0 kl 반사의 자리 패턴을 보여줍니다. 그림 3 층 에서 2 개의 명백한 직교 격자 변두리와 전송된 SnSe 파편의 높은 해상도 가장 (인사 편) 이미지를 표시는 평면 및 격자 간격의 약 0.30 nm. 격자 가장자리 사이의 각도 약 86.5o, 이론18동의 orthorhombic 결정 구조에 해당 하는입니다.
<img alt="Figure 3" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/57023/57023fig3.jpg"> 그림 3: SEM 이미지 (a)와 EDX 스펙트럼 (c) 대량 SnSe의 조각; SEM 이미지 (b), TEM 이미지 (d), 저장 패턴 (e), 및 단일 레이어 직사각형 모양의 SnSe 조각의 고해상도 TEM 이미지 (f) 조각화, 각각. 저작권: IOP 게시 (권한이 필요한 재현). 이 수치는 장 외 에서 수정 29 <a href="//cloudflare-jove-com.remotexs.ntu.edu.sg/files/ftp_upload/57023/57023fig3large.jpg" target="_blank">이 그림의 더 큰 버전을 보려면 여기를 클릭 하십시오.</a>

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Atmospheric Pressure Fabrication of Large-Sized Single-Layer Rectangular SnSe Flakes

프로토콜은 대형 단일 레이어 직사각형 모양의 SnSe는 대기압 석 영 튜브로 시스템에 저가 SiO2/Si 유 전체 웨이퍼에 부스러기를 성장 하는 2 단계 제조 기법을 보여주는 제공 됩니다.

단일 레이어 사각형 SnSe 대형 조각의 대기압 제조

Tin selenide (SnSe) belongs to the family of layered metal chalcogenide materials with a buckled structure like phosphorene, and has shown potential for ...

atmospheric-pressure-fabrication-large-sized-single-layer-rectangular

Nanyang Technological University

Research

JoVE Journal

Engineering

8.1K 조회수.  Shenzhen University. 프로토콜은 대형 단일 레이어 직사각형 모양의 SnSe는 대기압 석 영 튜브로 시스템에 저가 SiO2/Si 유 전체 웨이퍼에 부스러기를 성장 하는 2 단계 제조 기법을 보여주는 제공 됩니다.

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Fabrication of Spatially Confined Complex Oxides

Complex materials such as high Tc superconductors, multiferroics, and colossal magnetoresistors have electronic and magnetic properties that arise from the inherent strong electron correlations that reside within them. These materials can also possess electronic phase separation in which regions of vastly different resistive and magnetic behavior can coexist within a single crystal alloy material. By reducing the scale of these materials to length scales at and below the inherent size of the electronic domains, novel behaviors can be exposed. Because of this and the fact that spin-charge-lattice-orbital order parameters each involve correlation lengths, spatially reducing these materials for transport measurements is a critical step in understanding the fundamental physics that drives complex behaviors. These materials also offer great potential to become the next generation of electronic devices 1-3. Thus, the fabrication of low dimensional nano- or micro-structures is extremely important to achieve new functionality. This involves multiple controllable processes from high quality thin film growth to accurate electronic property characterization. Here, we present fabrication protocols of high quality microstructures for complex oxide manganite devices. Detailed descriptions and required equipment of thin film growth, photo-lithography, and wire-bonding are presented.

We describe the use of pulsed laser deposition (PLD), photolithography and wire-bonding techniques to create micrometer scale complex oxides devices. The PLD is utilized to grow epitaxial thin films. Photolithography and wire-bonding techniques are introduced to create practical devices for measurement purposes.

공간적으로 밀폐 복합 산화물의 제조

Complex materials such as high Tc superconductors, multiferroics, and colossal magnetoresistors have electronic and magnetic properties that arise from ...

연구

공학

Synthesis and Microdiffraction at Extreme Pressures and Temperatures

High pressure compounds and polymorphs are investigated for a broad range of purposes such as determine structures and processes of deep planetary interiors, design materials with novel properties, understand the mechanical behavior of materials exposed to very high stresses as in explosions or impacts. Synthesis and structural analysis of materials at extreme conditions of pressure and temperature entails remarkable technical challenges. In the laser heated diamond anvil cell (LH-DAC), very high pressure is generated between the tips of two opposing diamond anvils forced against each other; focused infrared laser beams, shined through the diamonds, allow to reach very high temperatures on samples absorbing the laser radiation. When the LH-DAC is installed in a synchrotron beamline that provides extremely brilliant x-ray radiation, the structure of materials under extreme conditions can be probed in situ. LH-DAC samples, although very small, can show highly variable grain size, phase and chemical composition. In order to obtain the high resolution structural analysis and the most comprehensive characterization of a sample, we collect diffraction data in 2D grids and combine powder, single crystal and multigrain diffraction techniques. Representative results obtained in the synthesis of a new iron oxide, Fe4O5 1 will be shown.

The laser heated diamond anvil cell combined with synchrotron micro-diffraction techniques allows researchers to explore the nature and properties of new phases of matter at extreme pressure and temperature (PT) conditions. Heterogeneous samples can be characterized in situ under high pressure by 2D mapping and combined powder, single-crystal and multigrain diffraction approaches.

극단적 인 압력과 온도에서 합성 부위 회절

High pressure compounds and polymorphs are investigated for a broad range of purposes such as determine structures and processes of deep planetary ...

Measurement of Coherence Decay in GaMnAs Using Femtosecond Four-wave Mixing

The application of femtosecond four-wave mixing to the study of fundamental properties of diluted magnetic semiconductors ((s,p)-d hybridization, spin-flip scattering) is described, using experiments on GaMnAs as a prototype III-Mn-V system.&#160; Spectrally-resolved and time-resolved experimental configurations are described, including the use of zero-background autocorrelation techniques for pulse optimization.&#160; The etching process used to prepare GaMnAs samples for four-wave mixing experiments is also highlighted.&#160; The high temporal resolution of this technique, afforded by the use of short (20 fsec) optical pulses, permits the rapid spin-flip scattering process in this system to be studied directly in the time domain, providing new insight into the strong exchange coupling responsible for carrier-mediated ferromagnetism.&#160; We also show that spectral resolution of the four-wave mixing signal allows one to extract clear signatures of (s,p)-d hybridization in this system, unlike linear spectroscopy techniques.&#160;&#160; This increased sensitivity is due to the nonlinearity of the technique, which suppresses defect-related contributions to the optical response. This method may be used to measure the time scale for coherence decay (tied to the fastest scattering processes) in a wide variety of semiconductor systems of interest for next generation electronics and optoelectronics.

The technique of femtosecond four-wave mixing is described, including spectrally-resolved and time-resolved configurations. We illustrate the utility of this technique for the investigation of crucial physical properties in the III-V diluted magnetic semiconductors, afforded by its nonlinearity and high temporal resolution.

The application of femtosecond four-wave mixing to the study of fundamental properties of diluted magnetic semiconductors ((s,p)-d hybridization, ...

Fabrication and Testing of Microfluidic Optomechanical Oscillators

Cavity optomechanics experiments that parametrically couple the phonon modes and photon modes have been investigated in various optical systems including microresonators. However, because of the increased acoustic radiative losses during direct liquid immersion of optomechanical devices, almost all published optomechanical experiments have been performed in solid phase. This paper discusses a recently introduced hollow microfluidic optomechanical resonator. Detailed methodology is provided to fabricate these ultra-high-Q microfluidic resonators, perform optomechanical testing, and measure radiation pressure-driven breathing mode and SBS-driven whispering gallery mode parametric vibrations. By confining liquids inside the capillary resonator, high mechanical- and optical- quality factors are simultaneously maintained.

Parametric optomechanical excitations have recently been experimentally demonstrated in microfluidic optomechanical resonators by means of optical radiation pressure and stimulated Brillouin scattering. This paper describes the fabrication of these microfluidic resonators along with methodologies for generating and verifying optomechanical oscillations.

제작 및 미세 유체 광​​ 기계 발진기의 테스트

Cavity optomechanics experiments that parametrically couple the phonon modes and photon modes have been investigated in various optical systems including ...

How to Ignite an Atmospheric Pressure Microwave Plasma Torch without Any Additional Igniters

This movie shows how an atmospheric pressure plasma torch can be ignited by microwave power with no additional igniters. After ignition of the plasma, a stable and continuous operation of the plasma is possible and the plasma torch can be used for many different applications. On one hand, the hot (3,600 K gas temperature) plasma can be used for chemical processes and on the other hand the cold afterglow (temperatures down to almost RT) can be applied for surface processes. For example chemical syntheses are interesting volume processes. Here the microwave plasma torch can be used for the decomposition of waste gases which are harmful and contribute to the global warming but are needed as etching gases in growing industry sectors like the semiconductor branch. Another application is the dissociation of CO2. Surplus electrical energy from renewable energy sources can be used to dissociate CO2 to CO and O2. The CO can be further processed to gaseous or liquid higher hydrocarbons thereby providing chemical storage of the energy, synthetic fuels or platform chemicals for the chemical industry. Applications of the afterglow of the plasma torch are the treatment of surfaces to increase the adhesion of lacquer, glue or paint, and the sterilization or decontamination of different kind of surfaces. The movie will explain how to ignite the plasma solely by microwave power without any additional igniters, e.g., electric sparks. The microwave plasma torch is based on a combination of two resonators &#8212; a coaxial one which provides the ignition of the plasma and a cylindrical one which guarantees a continuous and stable operation of the plasma after ignition. The plasma can be operated in a long microwave transparent tube for volume processes or shaped by orifices for surface treatment purposes.

This movie shows how an atmospheric plasma torch can be ignited by microwaves with no additional igniters and provides a stable and continuous plasma operation suitable for plenty of applications.

어떻게 추가 점화기없이 대기압 마이크로 웨이브 플라즈마 토치를 점화

This movie shows how an atmospheric pressure plasma torch can be ignited by microwave power with no additional igniters. After ignition of the plasma, a ...

Atomically Traceable Nanostructure Fabrication

Reducing the scale of etched nanostructures below the 10 nm range eventually will require an atomic scale understanding of the entire fabrication process being used in order to maintain exquisite control over both feature size and feature density. Here, we demonstrate a method for tracking atomically resolved and controlled structures from initial template definition through final nanostructure metrology, opening up a pathway for top-down atomic control over nanofabrication. Hydrogen depassivation lithography is the first step of the nanoscale fabrication process followed by selective atomic layer deposition of up to 2.8 nm of titania to make a nanoscale etch mask. Contrast with the background is shown, indicating different mechanisms for growth on the desired patterns and on the H passivated background. The patterns are then transferred into the bulk using reactive ion etching to form 20 nm tall nanostructures with linewidths down to ~6 nm. To illustrate the limitations of this process, arrays of holes and lines are fabricated. The various nanofabrication process steps are performed at disparate locations, so process integration is discussed. Related issues are discussed including using fiducial marks for finding nanostructures on a macroscopic sample and protecting the chemically reactive patterned Si(100)-H surface against degradation due to atmospheric exposure.

We report a protocol for combining the atomic metrology of the Scanning Tunneling Microscope for surface patterning with selective Atomic Layer Deposition and Reactive Ion Etching. Using a robust process involving numerous atmospheric exposures and transport, 3D nanostructures with atomic metrology are fabricated.

원자 추적 가능한 나노 구조 제작

Reducing the scale of etched nanostructures below the 10 nm range eventually will require an atomic scale understanding of the entire fabrication process ...

Blast Quantification Using Hopkinson Pressure Bars

Near-field blast load measurement presents an issue to many sensor types as they must endure very aggressive environments and be able to measure pressures up to many hundreds of megapascals. In this respect the simplicity of the Hopkinson pressure bar has a major advantage in that while the measurement end of the Hopkinson bar can endure and be exposed to harsh conditions, the strain gauge mounted to the bar can be affixed some distance away. This allows protective housings to be utilized which protect the strain gauge but do not interfere with the measurement acquisition. The use of an array of pressure bars allows the pressure-time histories at discrete known points to be measured. This article also describes the interpolation routine used to derive pressure-time histories at un-instrumented locations on the plane of interest. Currently the technique has been used to measure loading from high explosives in free air and buried shallowly in various soils.

This protocol details the use of Hopkinson pressure bars to measure reflected blast loading from near-field explosive events. It is capable of interpolating a pressure-time history at any point on a reflective boundary and as such can be used to fully characterize the spatial and temporal variations in loading produced.

폭발 정량화는 홉 킨슨 압력 막대를 사용하여

Near-field blast load measurement presents an issue to many sensor types as they must endure very aggressive environments and be able to measure pressures ...

Fabrication and Characterization of Superconducting Resonators

Superconducting microwave resonators are of interest for a wide range of applications, including for their use as microwave kinetic inductance detectors (MKIDs) for the detection of faint astrophysical signatures, as well as for quantum computing applications and materials characterization. In this paper, procedures are presented for the fabrication and characterization of thin-film superconducting microwave resonators. The fabrication methodology allows for the realization of superconducting transmission-line resonators with features on both sides of an atomically smooth single-crystal silicon dielectric. This work describes the procedure for the installation of resonator devices into a cryogenic microwave testbed and for cool-down below the superconducting transition temperature. The set-up of the cryogenic microwave testbed allows one to do careful measurements of the complex microwave transmission of these resonator devices, enabling the extraction of the properties of the superconducting lines and dielectric substrate (e.g., internal quality factors, loss and kinetic inductance fractions), which are important for device design and performance.

Superconducting microwave resonators are of interest for detection of light, quantum computing applications and materials characterization. This work presents a detailed procedure for fabrication and characterization of superconducting microwave resonator scattering parameters.

초전도 공진기의 제조 및 특성

Superconducting microwave resonators are of interest for a wide range of applications, including for their use as microwave kinetic inductance detectors ...

An Atmospheric Pressure Plasma Setup to Investigate the Reactive Species Formation

Non-thermal atmospheric pressure (&#39;cold&#39;) plasmas have received increased attention in recent years due to their significant biomedical potential. The reactions of cold plasma with the surrounding atmosphere yield a variety of reactive species, which can define its effectiveness. While efficient development of cold plasma therapy requires kinetic models, model benchmarking needs empirical data. Experimental studies of the source of reactive species detected in aqueous solutions exposed to plasma are still scarce. Biomedical plasma is often operated with He or Ar feed gas, and a specific interest lies in investigation of the reactive species generated by plasma with various gas admixtures (O2, N2, air, H2O vapor, etc.) Such investigations are very complex due to difficulties in controlling the ambient atmosphere in contact with the plasma effluent. In this work, we addressed common issues of &#39;high&#39; voltage kHz frequency driven plasma jet experimental studies. A reactor was developed allowing the exclusion of ambient atmosphere from the plasma-liquid system. The system thus comprised the feed gas with admixtures and the components of the liquid sample. This controlled atmosphere allowed the investigation of the source of the reactive oxygen species induced in aqueous solutions by He-water vapor plasma. The use of isotopically labelled water allowed distinguishing between the species originating in the gas phase and those formed in the liquid. The plasma equipment was contained inside a Faraday cage to eliminate possible influence of any external field. The setup is versatile and can aid in further understanding the cold plasma-liquid interactions chemistry.

An experimental setup was created for the helium-operated kHz frequency plasma jet. The setup includes a cage for the plasma power supply and jet and an in-house built reactor to monitor plasma-induced reactive species without the interference of the ambient atmosphere.

대기압 플라즈마 설치 프로그램은 반응성 종 형성을 조사하기

Non-thermal atmospheric pressure (&#39;cold&#39;) plasmas have received increased attention in recent years due to their significant biomedical potential. ...

New Application of an Atmospheric Pressure Plasma Jet as a Neuro-protective Agent Against Glucose Deprivation-induced Injury of SH-SY5Y Cells

The atmospheric pressure plasma jet (APPJ) has attracted the attention of many researchers from multiple disciplines in recent years because its emissions include multiple types of reactive nitrogen species (RNS) and reactive oxygen species (ROS). Our previous study has shown the cytoprotective effect of the APPJ against oxidative stress-induced injuries. The aim of the present study is to provide a detailed in vitro treatment protocol regarding the neuroprotective applications of helium APPJs on glucose deprivation-induced injury in SH-SY5Y cells. The SH-SY5Y human neuroblastoma-derived cell line was maintained in RPMI 1640 medium supplemented with 15% fetal calf serum. The culture medium was then changed to RPMI 1640 without glucose before APPJ treatment. After a 1 h incubation in a cell incubator, cell viability was determined using Cell Counting Kit 8. The results showed that, compared to the glucose deprivation group, cells treated with APPJ exhibited significantly increased cell viability in a dose-dependent manner, with 8 s/well observed as an optimal dose. Meanwhile, helium flow had no effect on the glucose deprivation-induced cell impairment. Our results indicated that APPJ could be potentially used as a treatment method for the diseases in the central nervous system related to glucose deprivation. This protocol could also be used as a cytoprotective application for other cells with different impairments, but the cell culture and APPJ treatment conditions should be readjusted, and the treatment dose must be relatively low.

A protocol for the neuroprotective application of low-dose atmospheric pressure plasma treatment on glucose deprivation-induced SH-SY5Y injuries.

SH SY5Y 세포의 포도 당 부족 유발 부상에 대 한 신경 보호 요원으로 대기압 플라즈마 제트의 새로운 응용 프로그램

The atmospheric pressure plasma jet (APPJ) has attracted the attention of many researchers from multiple disciplines in recent years because its emissions ...