Contrôle de champ électrique des États électroniques dans WS2 nanodispositifs par électrolyte Gate
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April 12th, 2018
DOI :
April 12th, 2018
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0:04
Title
0:38
Dispersion of WS2 Nanotubes (NTs) on a Si/SiO2 Substrate
1:35
Application of WS2 Flakes to a Si/SiO2 Substrate with the Tape Method
2:28
Device Fabrication by Electron Beam Lithography
5:59
Electrode Deposition
7:17
Device Completion and Transport Measurements
8:31
Results: Transistor Operations of WS2 Nanotube and Flake Devices
9:56
Conclusion
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