This work was supported by the Air Force Office of Scientific Research grant FA9550-16-1-0011 and University of Missouri startup funds. The authors would like to thank the University of Missouri Electron Microscopy Core facility for assistance with SEM imaging and use of patterning equipment and software.

1. Herstellung von CNT Wald Beispiel für Fräsen <ol><li> CNT - Synthese <ol><li> Abzuscheiden 10 nm Aluminiumoxid (Aluminiumoxid) auf einem thermisch oxidierten Siliziumwafer unter Verwendung atomic layer deposition 13 oder andere Verfahren physical vapor deposition. </li><li> Kaution 1 nm von Eisen auf der Aluminiumoxid - Trägerschicht von 14 oder andere physikalische Dampfabscheidungsverfahren Sputtern. </li><li> Synthesize CNTs ein etabliertes Verfahren verwenden, wie zum Beispiel thermische chemische Dampfabscheidung 15. <ol><li> Beheizen einen Durchmesser von 20 mm Rohrofen auf 750 ° C in 400 Standardkubikzentimeter (sccm) Helium und 100 sccm Wasserstoff strömt. Einführen 100 sccm Ethylen als Kohlenwasserstoffeinsatzgas für eine Wachstumsrate von etwa 50 &amp; mgr; m / min. </li></ol></li></ol></li><li> SEM Vorbereitung <ol><li> Bewerben Kohlenstoffband mit einem Standard 1/2 &quot;Durchmesser SEM Stummel. Wenn die Stufe i Kippenerforderlich s, überschneiden sich die Region des CNT Wald Probe über den Rand des Stutzens gefräst werden. Wenn softwaregesteuerten Elektronenstrahl Rasterung in der Fräsvorgang verwendet wird, sichern die CNT Probe einem Elektronenstrahl-Lithographiehalterung in einer ähnlichen Weise. </li><li> Wenn die CNT Querschnitt Fräsen, sichern den Stummel auf 45 ° Stummelhalter mit einer Stellschraube. </li><li> Entlüften ESEM durch Auswahl des &quot;Vent&quot; Symbol aus der ESEM Steuerungssoftware. </li><li> Öffnen Sie die ESEM Bühnentür, und sichern Sie den Stummel auf dem SEM-Bühne mit einer Stellschraube. </li><li> Schließen Sie die SEM-Kammer und wählen Sie &quot;Hochvakuum&quot; in der ESEM Steuerungssoftware. </li><li> Während die ESEM Kammer pumpt, wählen Sie die Elektronenstrahlparameter von 5 kV und Spot-Größe von 3,0 die Beam Control Registerkarte innerhalb der Steuerungssoftware. </li><li> Wählen Sie den Sekundärelektronendetektor durch Detektoren Auswahl | ETD (SE) in der ESEM Steuerungssoftware. </li><li> Wählen Sie den &quot;Beam On&quot; Symbol in der Steuerungssoftware.Der Strahl kann nur aktiviert werden , sobald die Kammer Vakuum kleiner als 10 -4 Torr. Verwenden Sie die manuelle SEM Fokus Bedienknöpfe, die Probe zu konzentrieren. </li><li> Kippen Sie die Probe auf 45 ° unter Verwendung manueller Kipptisch Steuerknopf oder durch Eingabe von 45 ° in der &quot;Tilt&quot; Feld in der &quot;Koordinaten&quot; Reiter der ESEM-Software. Konzentrieren Sie sich auf die höchste Probe. Verknüpfen Sie den Fokusabstand zum Arbeitsabstand von Stage Auswahl | Link-Z in der ESEM Software-Menü zu vw. Eingang 7 mm in das &quot;Z&quot; Feld in der &quot;Koordinaten&quot; Registerkarte in der Steuerungssoftware. </li><li> Stellen Sie den Fokus, stigmation, Helligkeit und Kontrast die manuellen Bedienknöpfe mit einem gut fokussierten Bild zu lösen. </li></ol></li><li> Strahljustage in Hochvakuum - Modus <ol><li> Suchen Sie eine Region für das Fräsen Navigationssteuerungen verwenden. Klicken Sie doppelt in der REM-Bild-Ansicht oder durch manuell die x- und y-Steuerknöpfe der SEM Bühne Lenkbarkeit zu navigieren. </li><li> Navigieren Sie zu einem benachbarten location etwa 100 &amp; mgr; m entfernt von der Fräs-Region. </li><li> Konsultieren 1 , die die Materialentfernungsrate des CNT Wald als Funktion von Druck, Beschleunigungsspannung, Verweilzeit pro Pixel und den Strahlstrom zu schätzen. </li><li> Stellen Sie die Beschleunigungsspannung bis 30 kV und Spot-Größe von 5,0 die ESEM Steuerungssoftware. Passen Sie die Bildschärfe, Helligkeit und Kontrast die ESEM Steuerknöpfe verwenden. Für Nanometer-Maßstab Fräsen von einzelnen oder wenigen CNTs, wählen Sie 5 kV und Spot-Größe von 3,0. </li><li> Wählen Sie eine 1 mm Öffnung, die durch manuelle Blendeneinstellung. Stellen Sie den Fokus, stigmation, Helligkeit und Kontrast ein gut aufgelöstes Bild zu erhalten, wie zuvor beschrieben. </li><li> Verringern Sie die Vergrößerung zu &lt;1,000x. </li></ol></li><li> SEM - Setup in Niederdruck - Wasserdampf <ol><li> Wählen Sie einen Druck von 11 Pa in der Steuerungssoftware Dropdown-Box. </li><li> Wählen Sie &quot;Low Pressure&quot; -Modus in den &quot;Vakuum&quot; Einstellungen im ESEM software Wasserdampf einzuführen. </li><li> Wählen Sie &quot;Beam On&quot; in der Steuerungssoftware auf Druckstabilisierung. Wählen Sie eine Verweilzeit von &lt;10 &amp; mgr; s und einer Auflösung von 1024 x 884 in den Drop-Down-Boxen der Steuerungssoftware. </li><li> Stellen Sie die Bildhelligkeit, Kontrast, Fokus und stigmation wie zuvor beschrieben. </li><li> Navigieren Sie zu dem gewünschten Fräsen Region. Drehen Sie die Bildausrichtung durch Scannen der Auswahl | Scannen Rotation in der Steuersoftware, falls erforderlich. Wählen Sie einen geeigneten Drehwinkel, die mit dem nativen vertikalen und horizontalen Scan Ausrichtung des SEM ausrichtet. </li><li> Strukturgrößen in der Größenordnung von 1 &amp; mgr; m, wählen Sie eine Vergrößerung von 40.000facher zum Fräsen. Wählen Sie eine Vergrößerung von 20.000-fräsen Merkmale mit Abmessungen bis zu 5 um. </li><li> Pause den Elektronenstrahl durch die Auswahl der &#39; &quot;&#39; Symbol. Ein Bild von der CNT Wald wird angezeigt und kann für die Auswahl der reduzierten Fläche fräsen Regionen verwendet werden , während der Strahl unterbrochen ist. &lt;/ Li&gt; </ol></li></ol> 2. CNT Wald Fräsen <ol><li> Hinweise für CNT Wald Fräsen einen rechteckigen ausgewählten Bildbereich <ol><li> Wählen Sie den &quot;reduzierten Bereich&quot; Werkzeug in der Steuerungssoftware, oder wählen Sie Scan-beruhigten Zone in der Software-Menü. Erweitern einer reduzierten Fläche Rechteck über den Bereich gefräst werden. </li><li> Stellen Sie die Bildauflösung zu 2.048 x 1.768. Erhöhen Sie die Verweildauer auf 2 ms. Wenn 2 ms nicht verfügbar ist, navigieren Sie zu den Scan | Einstellungen und wählen Sie die &quot;Scannen&quot; aus. Wählen Sie einen vorhandenen Scan-Zeit und geben Sie &quot;2,0 ms&quot; in die &quot;Dwell Time&quot; Feld. Klicken Sie auf &quot;OK&quot;, um das Menü zu schließen. </li><li> Wählen Sie das &#39; &quot;&#39; Symbol in der Steuerungssoftware , den Elektronenstrahl zu aktivieren. </li><li> Wählen Sie das Symbol &#39; &quot;&#39; , so dass der Strahl Rastern über den ausgewählten Bereich ein Mal. Wählen Sie das Symbol unmittelbar nach dem Schritt 2.1.3. Die Scan - Dauer von der Größe des ausgewählten abhängtBereich, Auflösung und Verweilzeit und kann durch Multiplikation der Anzahl der Pixel innerhalb des Scanbereichs und die Verweilzeit pro Pixel approximiert werden. </li><li> Verringern Sie die Vergrößerung zu &lt;1,000x, sobald der Strahl den ausgewählten Bereich abgeschlossen hat Rasterung. Revert auf die verwendeten Parameter in Schritt 1.3, einschließlich Hochvakuum. Wählen Sie &quot;Beam On&quot;, um den Strahl engagieren. </li></ol></li><li> Hinweise für CNT Wald Fräsen entlang einer horizontalen Linie <ol><li> Wählen Sie die Zeile Scan-Funktion durch Scannen der Navigation | Linie in der Steuerungssoftware. Die Linienbreite wird durch die Größe des Elektronenstrahls selbst bestimmt. Stellen Sie die Bildauflösung zu 2.048 x 1.768 von der Steuersoftware Dropdown-Box. Erhöhen Sie die Verweildauer auf 2 ms, wie in Schritt 2.1.2 beschrieben. </li><li> Mit dem Standbild erfasst, bevor der Elektronenstrahl pausieren, legen Sie die Linie über die Fläche gefräst werden. </li><li> Wählen Sie das Videoskop Symbol oder navigieren Sie zum Scan-Menü und wählen Sie &quot;Videoskop.&quot; Mit der videoscope Tool liefert Feedback in Bezug auf, wenn ein Zeilen vollständig abgeschlossen hat. </li><li> Wählen Sie das &#39; &quot;&#39; Symbol Elektronenstrahl über die Breite der Linie zu scannen. </li><li> Wählen Sie das &#39; &quot;&#39; Symbol auf leere dem Elektronenstrahl. </li></ol></li><li> Hinweise für CNT Wald Fräsen mit einer Software-gesteuerten Elektronenstrahl raster <ol><li> pattern Generation <ol><li> Entwerfen Sie ein Fräsbildes von Interesse ein CAD-Software-Paket wie AutoCAD. </li><li> Mit &quot;Nanometer-Pattern Generation System&quot; (NPGs) Software, importieren Sie die CAD-Pattern-Datei. </li><li> Konvertieren Sie die Formen auf feste Funktionen durch ausgewählte &quot;Gefüllte Polygone&quot; in der NPGs Software. </li><li> Speichern Sie die Zeichnung als &quot;.dc2 &#39;Datei in einem Projektordner NPGs. </li><li> Mit NPGs, navigieren Sie zum Projektordner die &quot;.dc2&quot; Datei enthält. Rechts wählen Sie die &quot;.dc2&quot; Datei und wählen Sie &quot;Ausführen Datei Bearbeitenoder &quot;die Zeichnung zu NPGs Code zu konvertieren Typische Parameter bei gegebenen Bedingungen Muster CNT Wäldern verwendet werden, wie nachstehend aufgeführt.: Mitte-zu-Mitte-Abstand = 5 nm Zeilenabstand = 5 nm Vergrößerung = 10.000fach Wunschstrahlstrom = 26 Line-Dose = 100 nC / cm </li></ol></li><li> Elektronenstrahl- Fräsen mit NPGs Lithography Software </li><li> Wählen Sie den &quot;NPGs Mode&quot; in NPGs Software-Taste Steuerung der SEM NPGs zu geben. </li><li> Markieren Sie die Pattern-Datei und wählen Sie &quot;Prozess Run File&quot; in NPGs Fräsen zu initiieren. </li><li> Wählen Sie &quot;SEM-Modus&quot; im NPGs Software, wenn Musterung beendet ist. Wählen Sie &quot;Hochvakuum&quot; in der ESEM Steuerungssoftware. </li><li> Wählen Sie &quot;Beam On&quot;, um die gefrästen Region zu untersuchen. Verwenden Sie detaillierte Bedingungen in Schritt 1.3. </li></ol></li></ol> 3. Probenentnahme <ol><li> Entlüften Sie die Kammer, indem Sie &quot;Vent&quot; in der ESEM Steuerungssoftware. </li><li> Öffnen Sie die Tür ESEM. Entfernen Sie den Stummel durch die Stellschraube lösen. </li><li> Schließen Sie die Kammertür. Wählen &quot;High Vacuum&quot; in der Steuerungssoftware. </li></ol>

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The authors declare that they have no competing financial interests.

Das Protokoll Details Best Practices für das Fräsen relativ groß (im Mikrometermaßstab) verfügt in CNT Wälder. Im allgemeinen kann die Materialentfernungsrate durch Verringerung der Beschleunigungsspannung, Punktgröße und Öffnungsdurchmesser verringert werden. Um eine bestimmte CNT in einem Wald trimmen, empfohlenen Bedingungen umfassen 5 kV, eine Punktgröße von 3, und eine Öffnung, die mit 50 &amp; mgr; m oder weniger im Durchmesser ist. Beachten Sie, dass die Frästechnik reduzierte Fläche Rechtecke unter Verwendung solcher detailliert wird, daß der Elektronenstrahl den umschlossenen Bereich nur einmal rastert. Der reduzierte Bereich mehrere Male abgetastet werden kann, wenn zusätzliche Schnitttiefe gewünscht wird; jedoch zeigen wir einen einzigen Scan der Einfachheit halber. Wir stellen fest, dass die erweiterte Elektronenstrahl Zeit, hohe Strom wohnen und hohe Beschleunigungsspannung repräsentieren Bedingungen, die für die Abbildung von auf Kohlenstoff basierenden Materialien häufig vermieden werden; jedoch sind diese aggressive Parameter in einem Niederdruck-Wasserdampf Umgebungs sind kritisch für das Erreichen Großfräsen. Pelzther, stellen wir fest, dass ähnliche Abbildungsbedingungen in Abwesenheit von Niederdruck-Wasserdampf führt zu wenig CNT Schaden. The-ESEM basierte Fräsverfahren in dieser Arbeit beschrieben ist ein minimal störend Bearbeitungsverfahren, die CNT Wald strukturelle Morphologie bewahrt Nachbar. Die Technik ist zugänglich nanoskaligen Eigenschaften wie Segmente einzelner CNTs zu entfernen und auch auf die Beseitigung von Regionen über viele Mikrometer. Wir veranschaulichen die Technik reduzierte Fläche Rechtecke, Linien und beliebige Muster unter Verwendung softwaregesteuerten Elektronenstrahl Rasterung. Während die Technik relativ sauber ist, verglichen mit FIB-basierten Fräsen, besteht geringe Mengen an Kohlenstoffrückstand auf gefrästen Oberflächen. Die aktuelle Forschung befasst sich Wege für diesen Rest zu reduzieren. Zusätzlich wurden die Abtragsraten in 1 gezeigt mit CNTs für eine CNT Wald mit einem mittleren Außen- und Innendurchmesser von 10 und 7 nm mit jeweils. Abtragsleistungs erwartet eine Funktion der CNT Dichte, CNT Durchmesser und CNT Ausrichtung zu sein. Abbildung 1 soll als Leitfaden zu Rate gezogen werden, zu erkennen , dass die angegebene Abtragsleistung dieser CNT Wald Morphologie spezifisch ist . Während qualitative in der Figur dargestellt Trends zu erwarten sind für alle CNT Wälder zu halten, können einige Experimente die optimalen Parameter für ein anderes Materialsystem zu finden, erforderlich. Während die ESEM Bearbeitungsmethodik CNT Wälder demonstriert wird, ist es gleichermaßen anwendbar für Graphen und andere auf Kohlenstoff basierende Materialien. Die Technik erfordert keine Delamination der CNT Wald für die Verarbeitung und führt keine externen schwere Elemente, die die umgebenden CNT Wald Morphologie signifikant verändern kann. Das Verfahren kann zur Inspektion CNT Wald internen Morphologie verwendet werden, und möglicherweise zur Herstellung von 3-D-Gitter-Strukturen für mikroskaligen prototyping die funktional beschichtet sein kann (mit Aluminiumoxid für verbesserteSteife 17, 18, zum Beispiel). Die Technik wird derzeit die interne strukturelle Morphologie von CNT Wälder zu untersuchen genutzt. Da strukturelle Morphologie mit funktionellen Eigenschaften innig 16 verbunden ist, 19, 20, 21, 22, Charakterisierung von CNT Wald Morphologie im dreidimensionalen Raum kann zusätzliche Einblicke in die Führungsstruktur-Eigenschafts - Beziehungen. Mit der Fähigkeit, einen Wald zu genau Mühle in und beachten Sie die interne Nanoröhrchen-Wechselwirkungen, CNT Wald Synthese Modellierung und analytische Modelle abgestimmt und validiert werden. Der Schwerpunkt der ESEM Frästechnik hat bisher zu schnellen Materialabtrag mit weniger Fokus auf die Optimierung der Bedingungen zur Reduzierung der resid gerichtetual Koksrückstandes. Eine zukünftige Richtung ist der Mechanismus der amorphen Kohlenstoffablagerung in der unmittelbaren Nähe der Schnittflächen , wenn große Mengen von Materialien zu untersuchen entfernt werden, wie in Abbildung 5 gezeigt. Mit einem breiten Parameterraum für Exploration, einschließlich Umgebungsgaszusammensetzung, Dampfdruck, Beschleunigungsspannung, Sondenstrom und Elektronenstrahl Rasterung Bedingungen kann verbesserte Oberflächenreinheit erreicht werden.

Kohlenstoff-Nanoröhren (CNTs) und Graphen sind Kohlenstoff-Nanomaterialien, die erhebliche Aufmerksamkeit auf sich gezogen haben, wegen ihrer überlegenen Stärke, Haltbarkeit, thermischen und elektrischen Eigenschaften. Präzisionsbearbeitung von Kohlenstoff-Nanomaterialien hat ein aufstrebendes Thema der Forschung geworden und bietet das Potenzial, diese Materialien zu einer Vielzahl von Engineering-Anwendungen zu entwickeln und zu manipulieren. Machining CNTs und Graphen erfordert nanoskaligen räumlicher Präzision zunächst eine nanoskaligen Bereich von Interesse zu lokalisieren und dann im Bereich von Interesse nur das Material selektiv zu entfernen. Als Beispiel betrachten wir die Bearbeitung von vertikal ausgerichteten CNT Wälder (auch als CNT-Arrays bekannt). Der Querschnitt des CNT Wälder kann präzise durch lithographische Strukturierung der Katalysatorfolien definiert werden. Die obere Oberfläche der vertikal ausgerichteten Wälder, sind jedoch häufig schlecht mit ungleichmäßiger Höhe angeordnet. Für oberflächensensitiven Anwendungen wie Wärmeleitmaterialien, ter unregelmäßige Oberfläche kann eine optimale Oberflächenkontakt behindern und die Leistung der Vorrichtung zu reduzieren. Präzisions-Trimmen der unregelmäßigen Oberfläche könnte eine einheitliche ebene Oberfläche zu schaffen potenziell bieten bessere, wiederholbare Leistung, indem die Fläche zur Verfügung Kontakt zu maximieren. Präzisionsbearbeitungstechniken für Nanomaterialien häufig tun ähneln nicht konventionellen makroskaligen mechanischen Bearbeitungstechnologien wie Bohren, Fräsen und Polieren durch gehärtete Werkzeuge. Bisher Techniken energetische Strahlen verwendet haben am erfolgreichsten ortsselektive Fräsen von Kohlenstoff-Nanomaterialien. Diese Techniken umfassen Laser, Elektronenstrahl und fokussierten Ionenstrahl (FIB) Bestrahlung. Von diesen bieten Laserbearbeitungstechniken , um die schnellste Abtragsleistung 1, 2; jedoch ist die Punktgröße von Lasersystemen in der Größenordnung von vielen Mikrometern und ist zu groß nanometerskaligen Einheiten wie ein einzelnes Kohlenstoff n zu isolieren,anotube Segment in einem dicht besiedelten Wald. Demgegenüber Elektronen- und Ionenstrahlsysteme erzeugen einen Strahl, der auf einen Punkt fokussiert werden kann, die einige Nanometer oder weniger im Durchmesser ist. FIB-Systeme sind für nanoskalige Fräs- und Abscheidung von Materialien entwickelt. Diese Systeme verwenden einen energischen Strahl aus gasförmigem Metallionen (typischerweise Gallium) Material aus einem ausgewählten Bereich zu zerstäuben. FIB Fräsen von CNTs ist erreichbar, aber oft mit unbeabsichtigten Nebenprodukte einschließlich Gallium und Kohlenstoff erneute Ablagerung in den umliegenden Regionen des Waldes 3, 4. Wenn die Technik für das CNT Wälder verwendet, die wieder abgelagerte Material Masken und / oder verändert die Morphologie ausgewählter Fräsen Region, das native Aussehen und das Verhalten des CNT Wald zu verändern. Das Gallium kann auch innerhalb der CNT implantieren, elektronische Dotierungsbereitstellt. Solche Folgen oft machen FIB-basierten Fräsen für CNT Wälder unerschwinglich. <p class=&quot;Jove_content&quot;&gt; Transmissions-Elektronenmikroskope (TEMs) verwenden ein fein fokussierter Strahl von Elektronen, die die interne Struktur von Materialien zu untersuchen. Beschleunigungsspannungen für die TEM-Betrieb liegen typischerweise im Bereich von 80 bis 300 kV. Da die Knock-on - Energie von CNTs ist 86,4 keV 5, die Elektronenenergie von TEM erzeugt reicht aus, um direkt Atome aus dem CNT Gitter entfernen und stark lokalisierte Fräsen induzieren. Die Technik Mühlen CNTs mit potenziell Sub-Nanometer Präzision 5, 6, 7; jedoch ist das Verfahren sehr langsam - oft Minuten mill eine einzelne CNT erfordern. Wichtig ist, basierte TEM Fräsen Ansätze erfordern CNTs zunächst aus einem Wachstumssubstrat und dispergiert, auf ein TEM-Gitter für die Verarbeitung entfernt werden. Als Ergebnis TEM-basierende Verfahren sind im allgemeinen nicht kompatibel mit CNT Wald Fräsen in dem die CNTs auf einem starren Substrat verbleiben. Fräsen von CN<html> T Wälder durch Rasterelektronenmikroskope (REM-Aufnahmen) wurde ebenfalls Aufmerksamkeit erhalten. Im Gegensatz zu den TEM-basierte Techniken sind SEM-Instrumente üblicherweise nicht in der Lage Elektronen mit ausreichend Energie zu beschleunigen, die Knock-auf Energie zu verleihen, benötigt, um Kohlenstoffatome direkt entfernen. Vielmehr nutzen SEM-basierte Techniken eines Elektronenstrahls in Gegenwart eines Niederdruck gasförmiges Oxidationsmittel. Der Elektronenstrahl die CNT Gitter selektiv Schäden und kann die gasförmige Umgebung in reaktivere Spezies wie H 2 O 2 und dem Hydroxyl - Radikal dissoziieren. Wasserdampf und Sauerstoff sind die am häufigsten berichteten Gase selektiven Bereich Ätzen zu erreichen. Da die SEM-basierten Techniken stützen sich auf einem mehrstufigen chemischen Prozess, können zahlreiche Verarbeitungsvariablen die Schleifgeschwindigkeit und Genauigkeit des Verfahrens zu beeinflussen. Es wurde zuvor beobachtet, dass man durch Erhöhen Beschleunigungsspannung und Strahlstrom direkt wegen eines erhöhten Energieflusses die Verarbeitungsrate erhöht, wie erwartet&quot;xref&quot;&gt; 11. Die Wirkung der Kammerdruck ist weniger offensichtlich. Ein Druck, der zu niedrig ist, leidet an einem Mangel des Oxidationsmittels, die Verarbeitungsrate abnimmt. Ferner streut ein Überfluss an gasförmigen Spezies des Elektronenstrahls, und verringert die Elektronenflusses in dem Zerkleinerungsbereich, auch die Materialentfernungsrate verringert wird. Zur Abschätzung Rate der Entfernung von Kohlenstoff, einen ähnlichen Ansatz wie die von Lassiter verwendet und Rack - 12 verwendet wurde, wodurch Elektronen mit Vorläufermoleküle in der Nähe der Oberfläche in Wechselwirkung treten reaktive Spezies zu erzeugen, um die Substratoberfläche zu ätzen. Von diesem Modell wird die Ätzrate geschätzt <img alt="Gleichung" src="/files/ftp_upload/55149/55149eq1.jpg" /> wobei N A die Oberflächenkonzentration des Ätzmittels Spezies ist, Z die Oberflächenkonzentration der verfügbaren Reaktionsstellen ist, x eine Stöchiometrie Faktor des flüchtigen Ätzen in Bezugerzeugten Produkte zu den Reaktanten relativ stellt A σ die Wahrscheinlichkeit der gewünschten Ätzspezies aus einem elektronenWasserDampf Kollisionserzeugungs und &amp; Gamma; e ist die Elektronenfluss an der Oberfläche. Die Faktoren X und A σ angenommen Einheit zu sein, während Z angenommen wird , nahezu konstant zu sein und deutlich größer als NA. Weitere Einzelheiten sind in unserer bisherigen Arbeit zu finden. 11 In diesem Artikel wird ein Verfahren untersucht, das Niederdruck-Wasserdampf in einem SEM fräsen Regionen im Bereich von einzelnen CNTs zu großes Volumen (Zehnkubikmikrometer) Materialabtrag verwendet. Hier zeigen wir die Technik verwendet, um mill CNT Wälder eine ESEM durch die Verwendung von reduzierten Bereich Rechtecke unter Verwendung, horizontal Linienscans und softwaregesteuerte Rastern des Elektronenstrahls. Zusätzliche Software und Hardware sind für Mustererzeugung erforderlich, wie in der Materialliste aufgeführt. Der Schwerpunkt liegt auf der Beseitigung relativ platziertly groß (100 von Kubikmikrometer) Materialvolumen von einem CNT Wald, so sind die folgenden Verarbeitungsbedingungen relativ aggressiv. Wenn die Probe und die Probe Stub Handhabung ist es wichtig, Einweg-Handschuhe zu tragen. Dies verhindert, dass Öl aus auf den Stummel oder der Probe übertragen wird und damit die Wirksamkeit der Pumpe verschlechtert.

<table border="1" fo:keep-together.within-page="1" fo:keep-with-next.within-page="always">
	<tbody>
		<tr>
			<td>100 mm diameter silicon wafer with 1 micron thermal oxide</td>
			<td>University Wafer</td>
			<td></td>
			<td>Beginning substrate</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Iron sputter target</td>
			<td>Kurt J. Lesker</td>
			<td>EJTFEXX351A2</td>
			<td>Sputter target&#160;</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Savannah 200</td>
			<td>Cambridge</td>
			<td></td>
			<td>For atomic layer deposition of alumina</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Quanta 600F Environmental SEM</td>
			<td>FEI</td>
			<td></td>
			<td>Environmental scanning electron microscope used to support a low-pressure water vapor ambient environment for CNT forest milling</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>xT Microscope Control software</td>
			<td>FEI</td>
			<td>4.1.7</td>
			<td>Control software used on Quanta 600F ESEM</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Nanometer Pattern Generation System - Software</td>
			<td>JC Nabity Lithography Systems</td>
			<td>Version 9</td>
			<td>Software used for electron-beam lithography</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Dedicated computer with PCI516 Lithography board</td>
			<td></td>
			<td></td>
			<td>Equipment used for electron-beam lithography</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>DesignCAD software</td>
			<td></td>
			<td>V 21.2</td>
			<td>Optional equipment used to generate patterns for electron-beam lithography</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>E-beam lithography mount</td>
			<td>Ted Pella</td>
			<td>16405</td>
			<td>Electron beam lithography mount with a Faraday cup and gold nanoparticles on carbon tape</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Picoammeter</td>
			<td>Keithley</td>
			<td>6485</td>
			<td>Used with the Faraday cup to quantify beam current</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>12.7 mm diameter SEM stub</td>
			<td>Ted Pella</td>
			<td>16111</td>
			<td>SEM stub</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>45 degree pin stub holder</td>
			<td>Ted Pella</td>
			<td>15329</td>
			<td>Optional equipment used to mill the cross section of a CNT forest</td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

precision milling of carbon nanotube forests using low pressure scanning electron microscopy

A nanoscale fabrication technique appropriate for milling carbon nanotube (CNT) forests is described. The technique utilizes an environmental scanning electron microscope (ESEM) operating with a low pressure water vapor ambient. In this technique, a portion of the electron beam interacts with the water vapor in the vicinity of the CNT sample, dissociating the water molecules into hydroxyl radicals and other species by radiolysis. The remainder of the electron beam interacts with the CNT forest sample, making it susceptible to oxidation from the chemical products of radiolysis. This technique may be used to trim a selected region of an individual CNT, or it may be used to remove hundreds of cubic microns of material by adjusting ESEM parameters. The machining resolution is similar to the imaging resolution of the ESEM itself. The technique produces only small quantities of carbon residue along the boundaries of the cutting zone, with minimal effect on the native structural morphology of the CNT forest.

Die ESEM - Technik wurde zur Mühle verwendet ein CNT Wald 15 unter Verwendung von thermischer CVD synthetisiert, 16. Gewählte Region Entfernung von wenigen CNTs aus einem Wald ist in Abbildung 2 11 gezeigt. Für diese Demonstration Parameter umfassen 5 kV, Spotgröße von 3, 11 Pa, 170,000X Vergrößerung, 2 ms Verweilzeit, und eine Öffnung von 30 &amp; mgr; m. Um eine größere Fläche Entfernung zu demonstrieren, die Oberseite eines CNT Wald micropillar wurde zum Fräsen ausgewählt. SEM Bedingungen werden für eine schnelle, großflächige Wald CNT Entfernung ausgewählt. Und zwar sind diese Bedingungen eine Vergrößerung von 20.000facher, mit einem Druck von 11 Pa, Beschleunigungsspannung von 30 kV, Punktgröße von 5, Verweilzeit von 2 ms, und eine 1 mm Blendeneinstellung. Eine reduzierte Fläche Box ist so gewählt, dass die unregelmäßige obere Fläche eingeschlossen ist innerhalb der ausgewählten entfernt werdenBereich. REM - Aufnahmen der CNT Wald Säule sind in Abbildung 3 vor und nach dem selektiven Bereich Fräsverfahren gezeigt. Die rote Linie in der Figur stellt die untere Grenze des reduzierten Fläche Box zum Fräsen eingesetzt. Nicht rechteckige Geometrien erreicht mit softwaregesteuerten Elektronenstrahl Rasterung und eine relativ kurze 20 &amp; mgr; m groß CNT Wald. Wie in Figur 4 gezeigt, wurde eine 15 &amp; mgr; m Durchmesser - Kreis in einen CNT Wald bearbeitet. Für diese Demonstration wurde die CNT Wald parallel zur CNT Wachstumsrichtung (normal zu dem Substrat) vermahlen. Fräsparameter für diese Demonstration verwendet werden, umfassen eine Vergrößerung von 10.000fach, mit einem Druck von 11 Pa, Beschleunigungsspannung von 30 kV, Punktgröße von 5, Verweilzeit von 2 ms und 1 mm Blendeneinstellung. 4 zeigt , dass das Verfahren die CNTs vollständig an dem darunterliegenden Siliziumsubstrat vermahlen. ithin-page = &quot;1&quot;&gt; <img alt="Abbildung 1" src="/files/ftp_upload/55149/55149fig1.jpg" /> Abbildung 1: Abtragsleistung Variation. Abtragsleistung (MRR) Variation. REM - Aufnahmen zeigen die MRR in Querrichtung (a) durch Betriebsvariierenden Druck von 133, 66, 33, 66 und 11 Pa ( von oben nach unten) und (b) in axialer Richtung SchneidtischDer Verweilzeit variierend von 3, 2 , 1, und 0,5 ms / Pixel (von links nach rechts). Die MRR wird als Funktion der inkrementellen Änderungen in Druck, Beschleunigungsspannung, Strahlstrom aufgetragen, und die Verweilzeit in der (c) quer und (d) axiale Schnittrichtungen. Die MRR als Funktion der Elektronendosis variiert nahezu linear sowohl in der (e) quer und (f) axiales Fräsen Orientierung. Diese Zahl wird mit Genehmigung aus Lit. 11 wiedergegeben.9 / 55149fig1large.jpg &quot;target =&quot; _ blank &quot;&gt; Bitte hier klicken , um eine größere Version dieser Figur zu sehen. <img alt="Figur 2" src="/files/ftp_upload/55149/55149fig2.jpg" /> Abbildung 2: Fräsen einzelner CNTs. REM - Aufnahme zeigt einzelne CNTs aus einem Wald für die lokale Fräsen ausgewählt (a) vor und (b) nach dem Fräsen. Diese Zahl wird mit Genehmigung aus Lit. 11 wiedergegeben. <a href="https://ecsource-jove-com.remotexs.ntu.edu.sg/files/ftp_upload/55149/55149fig2large.jpg" target="_blank">Bitte klicken Sie hier</a> , um <a href="https://ecsource-jove-com.remotexs.ntu.edu.sg/files/ftp_upload/55149/55149fig2large.jpg" target="_blank">eine größere Version dieser Figur zu sehen.</a> <img alt="Figur 3" src="/files/ftp_upload/55149/55149fig3.jpg" /> Abbildung 3: Fräsen eines CNT Wald. Eine 10 &amp; mgr; m breit CNT Wald Säule (a) vor und (b) nach der selektiven Bereich Fräsen ESEM-basierten Fräsen. Mahlbedingungen umfassen 20.000facher Vergrßerung, einen Druck von 11 Pa, Beschleunigungsspannung von 30 kV, Punktgröße von 5, Verweilzeit von 2 ms pro Pixel und 30 &amp; mgr; m Apertur. Die rote Linie in der Figur stellt die untere Grenze des selektiven Bereichs Rechteck im Fräsverfahren verwendet. <a href="https://ecsource-jove-com.remotexs.ntu.edu.sg/files/ftp_upload/55149/55149fig3large.jpg" target="_blank">Bitte klicken Sie hier</a> , um <a href="https://ecsource-jove-com.remotexs.ntu.edu.sg/files/ftp_upload/55149/55149fig3large.jpg" target="_blank">eine größere Version dieser Figur zu sehen.</a> <img alt="Abbildung 4" src="/files/ftp_upload/55149/55149fig4.jpg" /> Abbildung 4: Gemusterte Fräsen von CNT Wald. Software-gesteuerte Elektronenstrahl Rasterung wird verwendet, um zu definieren und Mühle einen 15 &amp; mgr; m Durchmesser-Kreis in einem CNT Wald. In dieser Konfiguration war die Fräsrichtung zur CNT Wachstumsrichtung von der parallel zup Oberfläche zu dem darunterliegenden Substrat. <a href="https://ecsource-jove-com.remotexs.ntu.edu.sg/files/ftp_upload/55149/55149fig4large.jpg" target="_blank">Bitte klicken Sie hier</a> , um <a href="https://ecsource-jove-com.remotexs.ntu.edu.sg/files/ftp_upload/55149/55149fig4large.jpg" target="_blank">eine größere Version dieser Figur zu sehen.</a> <img alt="Abbildung 5" src="/files/ftp_upload/55149/55149fig5.jpg" /> Abbildung 5: abgeschiedenem Kohlenstoff nach dem Fräsen. REM-Aufnahmen der Oberfläche von ESEM gefräst CNT Wälder zeigt. (A) Die Oberfläche eines CNT Wald zeigt die Oberflächenvariation zwischen den gefrästen und so synthetisierte Regionen. (B) Höhere Vergrößerungen zeigen , dass einige amorphe Kohlenstoffablagerungen während des Schneidprozesses hinter sich gelassen. <a href="https://ecsource-jove-com.remotexs.ntu.edu.sg/files/ftp_upload/55149/55149fig5large.jpg" target="_blank">Bitte klicken Sie hier</a> , um <a href="https://ecsource-jove-com.remotexs.ntu.edu.sg/files/ftp_upload/55149/55149fig5large.jpg" target="_blank">eine größere Version dieser Figur zu sehen.</a>

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Precision Milling of Carbon Nanotube Forests Using Low Pressure Scanning Electron Microscopy

Low pressure scanning electron microscopy in a water vapor ambient is used to machine nanoscale to microscale features in carbon nanotube forests.

Präzisionsfräsen von Carbon Nanotube Wälder Verwendung von Niederdruck-Rasterelektronenmikroskopie

A nanoscale fabrication technique appropriate for milling carbon nanotube (CNT) forests is described. The technique utilizes an environmental scanning ...

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Nanyang Technological University

Research

JoVE Journal

Engineering

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Serie: Precision Milling of Carbon Nanotube Forests Using Low Pressure Scanning Electron Microscopy

Fabrication, Densification, and Replica Molding of 3D Carbon Nanotube Microstructures

The introduction of new materials and processes to microfabrication has, in large part, enabled many important advances in microsystems, lab-on-a-chip devices, and their applications. In particular, capabilities for cost-effective fabrication of polymer microstructures were transformed by the advent of soft lithography and other micromolding techniques 1, 2, and this led a revolution in applications of microfabrication to biomedical engineering and biology. Nevertheless, it remains challenging to fabricate microstructures with well-defined nanoscale surface textures, and to fabricate arbitrary 3D shapes at the micro-scale. Robustness of master molds and maintenance of shape integrity is especially important to achieve high fidelity replication of complex structures and preserving their nanoscale surface texture. The combination of hierarchical textures, and heterogeneous shapes, is a profound challenge to existing microfabrication methods that largely rely upon top-down etching using fixed mask templates. On the other hand, the bottom-up synthesis of nanostructures such as nanotubes and nanowires can offer new capabilities to microfabrication, in particular by taking advantage of the collective self-organization of nanostructures, and local control of their growth behavior with respect to microfabricated patterns. 
Our goal is to introduce vertically aligned carbon nanotubes (CNTs), which we refer to as CNT "forests", as a new microfabrication material. We present details of a suite of related methods recently developed by our group: fabrication of CNT forest microstructures by thermal CVD from lithographically patterned catalyst thin films; self-directed elastocapillary densification of CNT microstructures; and replica molding of polymer microstructures using CNT composite master molds. In particular, our work shows that self-directed capillary densification ("capillary forming"), which is performed by condensation of a solvent onto the substrate with CNT microstructures, significantly increases the packing density of CNTs. This process enables directed transformation of vertical CNT microstructures into straight, inclined, and twisted shapes, which have robust mechanical properties exceeding those of typical microfabrication polymers. This in turn enables formation of nanocomposite CNT master molds by capillary-driven infiltration of polymers. The replica structures exhibit the anisotropic nanoscale texture of the aligned CNTs, and can have walls with sub-micron thickness and aspect ratios exceeding 50:1. Integration of CNT microstructures in fabrication offers further opportunity to exploit the electrical and thermal properties of CNTs, and diverse capabilities for chemical and biochemical functionalization 3.

We present methods for fabrication of patterned microstructures of vertically aligned carbon nanotubes (CNTs), and their use as master molds for production of polymer microstructures with organized nanoscale surface texture. The CNT forests are densified by condensation of solvent onto the substrate, which significantly increases their packing density and enables self-directed formation of 3D shapes.

Fabrication, Verdichtung, und Replica Molding von 3D-Carbon Nanotube Mikrostrukturen

The introduction of new materials and processes to microfabrication has, in large part, enabled many important advances in microsystems, lab-on-a-chip ...

Forschung

Ingenieurwesen

Dry Oxidation and Vacuum Annealing Treatments for Tuning the Wetting Properties of Carbon Nanotube Arrays

In this article, we describe a simple method to reversibly tune the wetting properties of vertically aligned carbon nanotube (CNT) arrays. Here, CNT arrays are defined as densely packed multi-walled carbon nanotubes oriented perpendicular to the growth substrate as a result of a growth process by the standard thermal chemical vapor deposition (CVD) technique.1,2 These CNT arrays are then exposed to vacuum annealing treatment to make them more hydrophobic or to dry oxidation treatment to render them more hydrophilic. The hydrophobic CNT arrays can be turned hydrophilic by exposing them to dry oxidation treatment, while the hydrophilic CNT arrays can be turned hydrophobic by exposing them to vacuum annealing treatment. Using a combination of both treatments, CNT arrays can be repeatedly switched between hydrophilic and hydrophobic.2 Therefore, such combination show a very high potential in many industrial and consumer applications, including drug delivery system and high power density supercapacitors.3-5
The key to vary the wettability of CNT arrays is to control the surface concentration of oxygen adsorbates. Basically oxygen adsorbates can be introduced by exposing the CNT arrays to any oxidation treatment. Here we use dry oxidation treatments, such as oxygen plasma and UV/ozone, to functionalize the surface of CNT with oxygenated functional groups. These oxygenated functional groups allow hydrogen bond between the surface of CNT and water molecules to form, rendering the CNT hydrophilic. To turn them hydrophobic, adsorbed oxygen must be removed from the surface of CNT. Here we employ vacuum annealing treatment to induce oxygen desorption process. CNT arrays with extremely low surface concentration of oxygen adsorbates exhibit a superhydrophobic behavior.

This article describes a simple method to fabricate vertically aligned carbon nanotube arrays by CVD and to subsequently tune their wetting properties by exposing them to vacuum annealing or dry oxidation treatment.

Dry Oxidation und Vakuumtempern Behandlungen für Tuning der Benetzungseigenschaften von Carbon Nanotube-Arrays

In this article, we describe a simple method to reversibly  tune the wetting properties of vertically aligned carbon nanotube (CNT) arrays.  Here, CNT ...

Synthesis and Functionalization of Nitrogen-doped Carbon Nanotube Cups with Gold Nanoparticles as Cork Stoppers

Nitrogen-doped carbon nanotubes consist of many cup-shaped graphitic compartments termed as nitrogen-doped carbon nanotube cups (NCNCs). These as-synthesized graphitic nanocups from chemical vapor deposition (CVD) method were stacked in a head-to-tail fashion held only through noncovalent interactions. Individual NCNCs can be isolated out of their stacking structure through a series of chemical and physical separation processes. First, as-synthesized NCNCs were oxidized in a mixture of strong acids to introduce oxygen-containing defects on the graphitic walls. The oxidized NCNCs were then processed using high-intensity probe-tip sonication which effectively separated the stacked NCNCs into individual graphitic nanocups. Owing to their abundant oxygen and nitrogen surface functionalities, the resulted individual NCNCs are highly hydrophilic and can be effectively functionalized with gold nanoparticles (GNPs), which preferentially fit in the opening of the cups as cork stoppers. These graphitic nanocups corked with GNPs may find promising applications as nanoscale containers and drug carriers.

We discussed the synthesis of individual graphitic nanocups using a series of techniques including chemical vapor deposition, acid oxidation and probe-tip sonication. By citrate reduction of HAuCl4, the graphitic nanocups were effectively corked with gold nanoparticles due to the chemically reactive edges of the cups.

Synthese und Funktionalisierung von Stickstoff-dotierten Kohlenstoffnanoröhrchen Cups mit Gold-Nanopartikel als Korken

Nitrogen-doped carbon  nanotubes consist of many cup-shaped graphitic compartments termed as  nitrogen-doped carbon nanotube cups (NCNCs).  These ...

Synthesis and Microdiffraction at Extreme Pressures and Temperatures

High pressure compounds and polymorphs are investigated for a broad range of purposes such as determine structures and processes of deep planetary interiors, design materials with novel properties, understand the mechanical behavior of materials exposed to very high stresses as in explosions or impacts. Synthesis and structural analysis of materials at extreme conditions of pressure and temperature entails remarkable technical challenges. In the laser heated diamond anvil cell (LH-DAC), very high pressure is generated between the tips of two opposing diamond anvils forced against each other; focused infrared laser beams, shined through the diamonds, allow to reach very high temperatures on samples absorbing the laser radiation. When the LH-DAC is installed in a synchrotron beamline that provides extremely brilliant x-ray radiation, the structure of materials under extreme conditions can be probed in situ. LH-DAC samples, although very small, can show highly variable grain size, phase and chemical composition. In order to obtain the high resolution structural analysis and the most comprehensive characterization of a sample, we collect diffraction data in 2D grids and combine powder, single crystal and multigrain diffraction techniques. Representative results obtained in the synthesis of a new iron oxide, Fe4O5 1 will be shown.

The laser heated diamond anvil cell combined with synchrotron micro-diffraction techniques allows researchers to explore the nature and properties of new phases of matter at extreme pressure and temperature (PT) conditions. Heterogeneous samples can be characterized in situ under high pressure by 2D mapping and combined powder, single-crystal and multigrain diffraction approaches.

Synthese und Mikrodiffraktion bei extremen Drücken und Temperaturen

High pressure compounds and polymorphs are investigated for a broad range of purposes such as determine structures and processes of deep planetary ...

Scanning-probe Single-electron Capacitance Spectroscopy

The integration of low-temperature scanning-probe techniques and single-electron capacitance spectroscopy represents a powerful tool to study the electronic quantum structure of small systems - including individual atomic dopants in semiconductors. Here we present a capacitance-based method, known as Subsurface Charge Accumulation (SCA) imaging, which is capable of resolving single-electron charging while achieving sufficient spatial resolution to image individual atomic dopants. The use of a capacitance technique enables observation of subsurface features, such as dopants buried many nanometers beneath the surface of a semiconductor material1,2,3. In principle, this technique can be applied to any system to resolve electron motion below an insulating surface.
As in other electric-field-sensitive scanned-probe techniques4, the lateral spatial resolution of the measurement depends in part on the radius of curvature of the probe tip. Using tips with a small radius of curvature can enable spatial resolution of a few tens of nanometers. This fine spatial resolution allows investigations of small numbers (down to one) of subsurface dopants1,2. The charge resolution depends greatly on the sensitivity of the charge detection circuitry; using high electron mobility transistors (HEMT) in such circuits at cryogenic temperatures enables a sensitivity of approximately 0.01 electrons/Hz&frac12; at 0.3 K 5.

Scanning-probe single-electron capacitance spectroscopy facilitates the study of single-electron motion in localized subsurface regions. A sensitive charge-detection circuit is incorporated into a cryogenic scanning probe microscope to investigate small systems of dopant atoms beneath the surface of semiconductor samples.

Scanning-Probe-Einzel-Elektronen-Spektroskopie Kapazität

The integration of low-temperature scanning-probe techniques and single-electron capacitance spectroscopy represents a powerful tool to study the ...

Fabrication of Low Temperature Carbon Nanotube Vertical Interconnects Compatible with Semiconductor Technology

We demonstrate a method for the low temperature growth (350 &#176;C) of vertically-aligned carbon nanotubes (CNT) bundles on electrically conductive thin-films. Due to the low growth temperature, the process allows integration with modern low-&#954; dielectrics and some flexible substrates. The process is compatible with standard semiconductor fabrication, and a method for the fabrication of electrical 4-point probe test structures for vertical interconnect test structures is presented. Using scanning electron microscopy the morphology of the CNT bundles is investigated, which demonstrates vertical alignment of the CNT and can be used to tune the CNT growth time. With Raman spectroscopy the crystallinity of the CNT is investigated. It was found that the CNT have many defects, due to the low growth temperature. The electrical current-voltage measurements of the test vertical interconnects displays a linear response, indicating good ohmic contact was achieved between the CNT bundle and the top and bottom metal electrodes. The obtained resistivities of the CNT bundle are among the average values in the literature, while a record-low CNT growth temperature was used.

A method for the growth of low temperature vertically-aligned carbon nanotubes, and the subsequent fabrication of vertical interconnect electrical test structures using semiconductor fabrication is presented.

Herstellung von Niedertemperatur-Carbon Nanotube Vertikale Verbindungen Kompatibel mit Halbleitertechnik

We demonstrate a method for the low temperature growth (350 &#176;C) of vertically-aligned carbon nanotubes (CNT) bundles on electrically conductive ...

In Depth Analyses of LEDs by a Combination of X-ray Computed Tomography (CT) and Light Microscopy (LM) Correlated with Scanning Electron Microscopy (SEM)

In failure analysis, device characterization and reverse engineering of light emitting diodes (LEDs), and similar electronic components of micro-characterization, plays an important role. Commonly, different techniques like X-ray computed tomography (CT), light microscopy (LM) and scanning electron microscopy (SEM) are used separately. Similarly, the results have to be treated for each technique independently. Here a comprehensive study is shown which demonstrates the potentials leveraged by linking CT, LM and SEM. In depth characterization is performed on a white emitting LED, which can be operated throughout all characterization steps. Major advantages are: planned preparation of defined cross sections, correlation of optical properties to structural and compositional information, as well as reliable identification of different functional regions. This results from the breadth of information available from identical regions of interest (ROIs): polarization contrast, bright and dark-field LM images, as well as optical images of the LED cross section in operation. This is supplemented by SEM imaging techniques and micro-analysis using energy dispersive X-ray spectroscopy.

In Depth Analyses of LEDs by a Combination of X-ray Computed Tomography CT and Light Microscopy LM Correlated with Scanning Electron Microscopy SEM

A workflow for comprehensive micro-characterization of active optical devices is outlined. It contains structural as well as functional investigations by means of CT, LM and SEM. The method is demonstrated for a white LED which can be still be operated during characterization.

In Tiefenanalysen der LEDs durch eine Kombination von Röntgen Computertomographie (CT) und Lichtmikroskopie (LM) korrelierte mit Rasterelektronenmikroskopie (SEM)

In failure analysis, device characterization and reverse engineering of light emitting diodes (LEDs), and similar electronic components of ...

Probing C84-embedded Si Substrate Using Scanning Probe Microscopy and Molecular Dynamics

This paper reports an array-designed C84-embedded Si substrate fabricated using a controlled self-assembly method in an ultra-high vacuum chamber. The characteristics of the C84-embedded Si surface, such as atomic resolution topography, local electronic density of states, band gap energy, field emission properties, nanomechanical stiffness, and surface magnetism, were examined using a variety of surface analysis techniques under ultra, high vacuum (UHV) conditions as well as in an atmospheric system. Experimental results demonstrate the high uniformity of the C84-embedded Si surface fabricated using a controlled self-assembly nanotechnology mechanism, represents an important development in the application of field emission display (FED), optoelectronic device fabrication, MEMS cutting tools, and in efforts to find a suitable replacement for carbide semiconductors. Molecular dynamics (MD) method with semi-empirical potential can be used to study the nanoindentation of C84-embedded Si substrate. A detailed description for performing MD simulation is presented here. Details for a comprehensive study on mechanical analysis of MD simulation such as indentation force, Young&#39;s modulus, surface stiffness, atomic stress, and atomic strain are included. The atomic stress and von-Mises strain distributions of the indentation model can be calculated to monitor deformation mechanism with time evaluation in atomistic level.

Probing C84-embedded Si Substrate Using Scanning Probe Microscopy and Molecular Dynamics

This paper reports the nanomaterial fabrication of a fullerene Si substrate inspected and verified by nanomeasurements and molecular dynamic simulation.

Probing C<sub&gt; 84</sub&gt; -embedded Si-Substrat mit Hilfe der Rastersondenmikroskopie und Molecular Dynamics

This paper reports an array-designed C84-embedded Si substrate fabricated using a controlled self-assembly method in an ultra-high vacuum chamber. The ...

Studying Dynamic Processes of Nano-sized Objects in Liquid using Scanning Transmission Electron Microscopy

Samples fully embedded in liquid can be studied at a nanoscale spatial resolution with Scanning Transmission Electron Microscopy (STEM) using a microfluidic chamber assembled in the specimen holder for Transmission Electron Microscopy (TEM) and STEM. The microfluidic system consists of two silicon microchips supporting thin Silicon Nitride (SiN) membrane windows. This article describes the basic steps of sample loading and data acquisition. Most important of all is to ensure that the liquid compartment is correctly assembled, thus providing a thin liquid layer and a vacuum seal. This protocol also includes a number of tests necessary to perform during sample loading in order to ensure correct assembly. Once the sample is loaded in the electron microscope, the liquid thickness needs to be measured. Incorrect assembly may result in a too-thick liquid, while a too-thin liquid may indicate the absence of liquid, such as when a bubble is formed. Finally, the protocol explains how images are taken and how dynamic processes can be studied. A sample containing AuNPs is imaged both in pure water and in saline.

This protocol describes the operation of a liquid flow specimen holder for scanning transmission electron microscopy of AuNPs in water, as used for the observation of nanoscale dynamic processes.

Studium dynamischer Prozesse von Nano-Größe Objekte in Liquid Scanning Transmission Electron Micros mit

Samples fully embedded in liquid can be studied at a nanoscale spatial resolution with Scanning Transmission Electron Microscopy (STEM) using a ...

Measurements of Soil Carbon by Neutron-Gamma Analysis in Static and Scanning Modes

The herein described application of the inelastic neutron scattering (INS) method for soil carbon analysis is based on the registration and analysis of gamma rays created when neutrons interact with soil elements. The main parts of the INS system are a pulsed neutron generator, NaI(Tl) gamma detectors, split electronics to separate gamma spectra due to INS and thermo-neutron capture (TNC) processes, and software for gamma spectra acquisition and data processing. This method has several advantages over other methods in that it is a non-destructive in situ method that measures the average carbon content in large soil volumes, is negligibly impacted by local sharp changes in soil carbon, and can be used in stationary or scanning modes. The result of the INS method is the carbon content from a site with a footprint of ~2.5 - 3 m2 in the stationary regime, or the average carbon content of the traversed area in the scanning regime. The measurement range of the current INS system is &#62;1.5 carbon weight % (standard deviation &#177; 0.3 w%) in the upper 10 cm soil layer for a 1 hmeasurement.

Here, we present the protocol for in situ measurement of soil carbon using the neutron-gamma technique for single point measurements (static mode) or field averages (scanning mode). We also describe system construction and elaborate data treatment procedures.

Messungen von Kohlenstoff im Boden durch Neutron-Gamma-Analyse in statische und Scan-Modi

The herein described application of the inelastic neutron scattering (INS) method for soil carbon analysis is based on the registration and analysis of ...