真空沉积有机发光二极管的生产与表征

真空热蒸发用于研究和工业，是迄今为止用于生产有机发光二极管的常用技术。该技术的主要优点是生产高质量且易于重复的结构，可转化为高效设备。从两个图案基板开始。

这些 24 毫米 24 毫米 ITO 涂层玻璃基板的图案为四毫米条纹。用丙酮冲洗每个基材约 10 秒钟，然后用氮气枪擦干。接下来，将基材淹没在丙酮容器中，将容器放在超声波浴中 15 分钟。

完成后，将基材转移到具有异丙醇的容器中。不要忘记向面向 ITO 薄膜的两侧的容器发出信号。将这个容器放在超声波浴中再放置 15 分钟。

第二次超声波浴后，取出基材，用氮气枪擦干。将干基板放在适合等离子清洁剂的平台中。在继续之前，请确保基材上没有残留物或污迹。

在垫片区域使用万用表，确保 ITO 朝向。接下来，去氧气等离子体清洁剂，并放置基板 ITO 侧。清洁六分钟。

等离子清洗后，准备蒸发步骤。使用面罩 A 将基板连接到基板支架上，用于蒸发所有有机层，确保 ITO 朝下。如有疑问，请使用万用表再次进行测试。

准备好第二个面罩，面罩B，用于铝的蒸发。然后将面罩 A 放在面罩 B. 将基板支架和面罩放在手套箱的 Antechamber 上，蒸发室的位置。接下来，准备不同的有机粉末和本设备所需的其他材料，并将其添加到腔室中。

在手套箱中工作时，在向室内添加新的东西之前，请疏散并重新填充三倍的安泰卡安伯，以避免任何氧气进入手套箱。将面罩 A 放在沉积架上。将蒙版 B 放在备用架子上。

最后，将有机粉末放入各自的区域。然后，关闭腔室并启动真空过程。当压力低时，开始冷却水和基板旋转的流动。

这是蒸发序列开始时像素的基板顶部视图和横截面的表示。当蒸发速率约为1安弗罗姆/秒时，沉积40纳米预热NPB。NPB 熔炉冷却后，使用不同的蒸发速率共同蒸发 18 纳米预热 CBP 和 2 纳米预热 DPTZ-DBTO2。

共蒸发步骤对于确保良好的设备性能至关重要。在整个过程中应保持共蒸发率，以确保在整个层中该比率相同。接下来蒸发60纳米的预热TPBI，大约以1个焦虑/秒。

然后，蒸发一纳米预热氟化锂。当氟化锂熔炉冷却时，将面罩 A 放在面罩 B 上，并以大约 1 个 aedrom/秒的速度沉积 100 纳米的预热铝。排气后，从疏散室中拆下基板。

这是蒸发步骤后，通过玻璃基板查看它如何出现。有四个像素。在此原理图视图中，请注意，使用具有不同焊盘大小的掩码 B 可以允许具有两个不同大小的四个像素。

两由四厘米的正方形，四由四厘米的正方形。将基板移动到封装阶段，将其从支架上拆下，并将其放在舞台上，蒸发的薄膜朝前。分散树脂以绘制包含所有蒸发像素的正方形。

接下来，在树脂顶部放置一个封装玻璃，以固定在设备上。准备就绪后，UV 会根据树脂说明固化基材。封装将保证设备不会因氧气或湿度而降解，最终确保其质量。

使用集成球体描述 OLED。在表征之前，检查 OLED。检查 OLED 封装玻璃外的 ITO 条纹是否清洁。

将 OLED 放在集成球体中。确认阳极连接到 ITO 垫，阴极连接到铝垫。建立连接后，关闭集成球体，然后继续进行表征测量。

此图具有电流密度，作为黑色电压的函数。它还具有亮度作为红色电压的函数。首次检测到光的电压为四伏。

在高电压下，器件退化变得明显，这里的亮度下降大约为 13 伏。这些图允许与其他设备进行比较。这是外部量子效率作为电流密度的函数。

这里是黑色的发光效率，并引用左轴，电流效率在蓝色，并提到右轴，每个作为电压的函数。最后，这种发射光的图作为不同电压波长的函数，表明峰值发射波长不会改变。这表明该设备在光学上是稳定的。

在尝试此过程时，必须记住所有材料和基板表面都对环境的影响。温度、湿度、灰尘甚至氧气等参数会影响设备性能。经过开发，这里展示的真空热蒸发技术为当前一代 OLED 铺平了道路。

在这一代中，我们探索了平板显示器和智能手机的不同发射器和应用建议堆栈。该协议显示了一种简单但有效的方法，用于构建具有少量有机层的设备堆栈，该方法仍然允许生产高效系统。不要忘记，使用用于清洁的溶剂可能会很危险。

执行此过程时，应始终采取预防措施，如使用适当的手套、实验室服装和防护眼镜。